液晶性组合物、侧链型高分子液晶性化合物、吸光各向异性膜、层叠体及图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种能够形成高取向度的吸光各向异性膜的侧链型高分子液晶性化合物、液晶性组合物、使用液晶性组合物的吸光各向异性膜、层叠体及图像显示装置。本发明专利技术的液晶性组合物含有侧链型高分子液晶性化合物和二色性物质，侧链型高分子液晶性化合物是具有重复单元1和重复单元2的共聚物，重复单元1具有介晶基团和存在于介晶基团的末端的哈米特取代基常数σp值大于0的吸电子基团，重复单元2具有介晶基团和存在于介晶基团的末端的哈米特取代基常数σp值为0以下的基团。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶性组合物、侧链型高分子液晶性化合物、吸光各向异性膜、层叠体及图像显示装置
本专利技术涉及一种液晶性组合物、侧链型高分子液晶性化合物、吸光各向异性膜、层叠体及图像显示装置。
技术介绍
以往，当需要包括激光或自然光的照射光的衰减功能、偏振功能、散射功能或遮光功能等时，利用了根据按各自功能而不同的原理工作的装置。因此，与上述功能对应的产品也是通过按各自功能而不同的制造工序制造的。例如，在液晶显示器(liquidcrystaldisplay：LCD)中，为了控制显示中的旋光性及双折射性而使用线偏振片及圆偏振片。并且，在有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode：OLED)中，为了防止外光的反射也使用圆偏振片。以往，在这些偏振片(偏振元件)中，将碘广泛用作二色性物质，但对将有机色素用作二色性物质来替代碘的偏振元件也进行了研究。例如，专利文献1中记载有“一种吸光各向异性膜，其特征在于，含有至少一种热致液晶性二色性色素及至少一种热致液晶性高分子，上述热致液晶性二色性色素在吸光各向异性膜中的质量含有率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶性组合物，其含有侧链型高分子液晶性化合物和二色性物质，/n所述侧链型高分子液晶性化合物是具有重复单元1和重复单元2的共聚物，/n所述重复单元1具有介晶基团和存在于所述介晶基团的末端的哈米特取代基常数σp值大于0的吸电子基团，/n所述重复单元2具有介晶基团和存在于所述介晶基团的末端的哈米特取代基常数σp值为0以下的基团。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180131 JP 2018-0150301.一种液晶性组合物，其含有侧链型高分子液晶性化合物和二色性物质，
所述侧链型高分子液晶性化合物是具有重复单元1和重复单元2的共聚物，
所述重复单元1具有介晶基团和存在于所述介晶基团的末端的哈米特取代基常数σp值大于0的吸电子基团，
所述重复单元2具有介晶基团和存在于所述介晶基团的末端的哈米特取代基常数σp值为0以下的基团。


2.根据权利要求1所述的液晶性组合物，其中，
所述重复单元1是由下述式(1)表示的重复单元，
所述重复单元2不符合由所述式(1)表示的重复单元，而是由下述式(2)表示的重复单元，



在所述式(1)中，P1表示重复单元的主链，L1表示单键或二价连结基团，SP1及SP2分别独立地表示间隔基，M1表介晶基团，EWG表示哈米特取代基常数σp值大于0的吸电子基团，



在所述式(2)中，P2表示重复单元的主链，L2表示单键或二价连结基团，SP3表示间隔基，M2表示具有3个以上环状结构的介晶基团，T1表示哈米特取代基常数σp值小于0的给电子基团。


3.根据权利要求1或2所述的液晶性组合物，其中，
所述重复单元1中的所述吸电子基团的哈米特取代基常数σp值为0.3以上，
所述重复单元2中的所述基团是哈米特取代基常数σp值为-0.1以下的给电子基团。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶性组合物，其中，
所述重复单元1的含量相对于所述侧链型高分子液晶性化合物的总质量为40质量％以下，
所述重复单元2的含量相对于所述侧链型高分子液晶性化合物的总质量为60质量％以上。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶性组合物，其中，
所述重复单元1中的所述吸电子基团的哈米特取代基常数σp值与所述侧链型高分子液晶性化合物中的所述重复单元1的质量基准的含有比例的乘积为0.02～0.15。


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【专利技术属性】
技术研发人员：松山拓史，星野渉，新居辉树，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP