多功能压差传感器制造技术

一种多功能压差传感器，它包括：半导体芯片、具有与半导体芯片的厚壁部分相结合的结合部分的固定基座，和与固定基座相结合的壳体。半导体芯片具有：压差检测单元，静压检测单元，和温度检测单元。固定基座的结合部分不厚于半导体芯片。固定基座有一个或多个薄壁部分，从平面图看，薄壁部分位于半导体芯片的圆形压力敏感膜内。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于测量两流体之间压差的压差传感器，尤其是(但不仅仅)涉及一种能够测量静压和温度及压差的多功能压差传感器。在传统的压差传感器中，人们已知有种种多功能压差传感器，这类传感器将压差、静压和温度传感器安排在一个芯片中用来同时检测压差、静压和温度。较早的这种努力例如可参见日本的未经实审的专利，其公开号为61(1986)-240134及2(1990)-9704。另一种尝试是，作为主传感器的压差敏感元件设在一个称为压力敏感膜的薄壁上，其中具有4个对差压敏感的半导体电阻。而且该压差敏感元件也设在一个厚壁部分上，其中具有几个对静压(线性压力)和温度敏感的半导体电阻。这些半导体电阻按照半导体生产过程中的热扩散或离子注入同时形成在半导体的基片中。该半导体基片则安装到一固定的基座上，该基座与一个壳体相连。在这种多功能压差传感器中，由过程中线性压力和温度变化引起的零点偏移利用安装在该传感器上的辅助传感器如静压传感器和温度传感器的信号进行补偿以便产生高精度的差分信号。在这种较早的尝试中，尤其是公开号为2-9704的未经实审的日本专利所用的做法，利用在加静压力时，半导体基片和固定基座之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压差传感器包括在其单芯片上具有相反的第一和第二表面的半导体芯片，和与该半导体芯片的第一表面结合以牢靠安装该半导体芯片的固定基座，半导体芯片在两相反表面的至少一个面上设有检测分别加给其表面的两压力之间差的压差检测装置，其特征在于，所述固定基座有一个形成于其与所述半导体芯片和所述固定基座之间的结合处相对的表面中的通道，以便引入一个压力加到所述半导体芯片的第一表面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：飞田朋之，山本芳已，长须章，青木贤一，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]