电平移位器制造技术

提供了一种电平移位器。该电平移位器转换输入电压的电平并且输出经电平转换的输入电压，该电平移位器包括：第一电平移位器模块，该第一电平移位器模块被配置为接收输入信号并且输出在中等电压和基准电压之间摆动的信号；以及第二电平移位器模块，该第二电平移位器模块被配置为响应于所述输入信号而输出在上限电压和下限电压之间摆动的信号，其中，所述第二电平移位器模块包括N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，并且所述下限电压被提供给所述NMOS晶体管的体电极。

【技术实现步骤摘要】
电平移位器本申请是原案申请号为201710172612.2的专利技术专利申请(申请日：2017年3月21日，专利技术名称：电平移位器、数模转换器、缓冲放大器、源极驱动器和电子装置)的分案申请。
本专利技术涉及电平移位器、数模转换器和缓冲放大器以及包括其的源极驱动器和电子装置。
技术介绍
如今，诸如移动电话、计算机和显示装置的大多数电子装置利用基于硅的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路来实现。CMOS电路包括当阈值电压或更小的电压被施加到其栅电极时导通的P型MOS(PMOS)器件以及当阈值电压或更大的电压被施加到其时导通的N型MOS(NMOS)器件，并且配置PMOS器件和NMOS器件彼此互补地工作的电路。
技术实现思路
在互补金属氧化物半导体(CMOS)电路中，N型MOS(NMOS)器件和P型MOS(PMOS)器件接收电源电压和地电压并且输出在所述电压之间摆动的信号，并且CMOS电路的PMOS器件和NMOS器件即使在施加电源电压与地电压的电压差时也不应被破坏，以便执行期望的功能。作为示例，与以1.2V的电压差工作的N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电平移位器，该电平移位器转换输入电压的电平并且输出经电平转换的输入电压，该电平移位器包括：/n第一电平移位器模块，该第一电平移位器模块被配置为接收输入信号并且输出在中等电压和基准电压之间摆动的信号；以及/n第二电平移位器模块，该第二电平移位器模块被配置为响应于所述输入信号而输出在上限电压和下限电压之间摆动的信号，/n其中，所述第二电平移位器模块包括N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，并且所述下限电压被提供给所述NMOS晶体管的体电极。/n

【技术特征摘要】
20160321 KR 10-2016-00335701.一种电平移位器，该电平移位器转换输入电压的电平并且输出经电平转换的输入电压，该电平移位器包括：
第一电平移位器模块，该第一电平移位器模块被配置为接收输入信号并且输出在中等电压和基准电压之间摆动的信号；以及
第二电平移位器模块，该第二电平移位器模块被配置为响应于所述输入信号而输出在上限电压和下限电压之间摆动的信号，
其中，所述第二电平移位器模块包括N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，并且所述下限电压被提供给所述NMOS晶体管的体电极。


2.根据权利要求1所述的电平移位器，其中，所述NMOS晶体管被布置在三阱结构中所包括的P阱中，并且所述下限电压被提供给所述P阱。


3.根据权利要求2所述的电平移位器，其中，所述第二电平移位器模块还包括漏电极连接至所述NMOS晶体管的漏电极的P型MOSPMOS晶体管，并且所述PMOS晶体管被布置在所述三阱结构中所包括的N阱中。


4.根据权利要求1所述的电平移位器，其中，所述第一电平移位器模块和所述第二电平移位器模块是...

【专利技术属性】
技术研发人员：金晖哲，
申请(专利权)人：二劳额市首有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR