图案化量子点薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种图案化量子点薄膜的制备方法，包括：提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案与待制备的量子点薄膜的图案对应；提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，制备疏水表面；在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。

【技术实现步骤摘要】
图案化量子点薄膜的制备方法
本专利技术属于量子点薄膜制备
，尤其涉及一种图案化量子点薄膜的制备方法。
技术介绍
随着科技的不断发展，发光显示器件已经逐渐成为人类生产生活中不可或缺的一部分。小到人们日常生活中的手表、手机、电视、电脑等家用电器，大到生产设备的显示屏、机械设备的操作面板、航天航空方面的仪表盘等，都需要显示装置去操作和分析。发光显示器件俨然变成当前科技发展的一个热门方向，目前在传统的发光二极管(LED)基础上，又发现了一种依靠自发光的量子点发光二极管(QLED)。因其展现的诸多优良性能使其在光电器件全色彩显示方面发挥了重要应用，此外在杂化有机/无机太阳能电池、生物监测、传感器、等离子体应用等方面也拥有巨大的应用前景。一直以来，制备具有特殊功能的微观图案化表面是普遍关注的焦点。因为具有特殊图案化或者周期性图案化表面的薄膜在生物传感器、数据存储、光电器件等诸多领域有着重要应用。目前制备图案化量子点薄膜的技术手段有很多，但是无论是在制备成本、工艺流程或者是样品产量方面都各有不足，如成本高、制备效率低、工艺复杂、图案不完整等。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种图案化量子点层的制备方法，旨在解决现有方法制备图案化量子点薄膜时，存在制备效率低、图案不完整的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术提供一种图案化量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案，与待制备的量子点薄膜的图案对应；提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，制备疏水表面；在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，且使得所述凸起印章所在的表面与所述量子点溶液接触，进行压印处理，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。本专利技术提供的图案化量子点薄膜的制备方法，先制备聚硅氧烷衍生物固化产物作为基材的压印模板，然后在压印模板的压印面制备聚硅氧烷衍生物UI氟化物反应形成的疏水表面，进而在压印模板的凸起印章表面制备金属离子淬灭剂层，此时，金属离子淬灭剂中的金属离子能与疏水性聚硅氧烷薄膜中的氟离子通过配位键稳定而均匀的铺展在压印模板的凸面。进一步的，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，通过所述凸起印章压印所述量子点溶液。压印过程中金属离子淬灭剂与氟离子之间的配位键断裂，金属离子猝灭剂与量子点膜结合。因此，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离时，金属离子淬灭剂留在相应量子点薄膜对应的区域，最终实现对该区域的量子点的淬灭效果，最终实现图案化量子点薄膜。本专利技术提供的图案化量子点薄膜的制备方法，成本低，效率高，能够实现大面积图案化量子点薄膜的制备，解决传统图案化方法的工艺复杂、产率低的问题。更重要的是，本专利技术提供的方法，在压印模板的压印面制备聚硅氧烷衍生物与氟化物反应形成的疏水表面，使压印模板在与量子点层分离的过程中，大大降低压印模板与量子点层之间的黏连作用(不会出现压印模板与量子点层黏连，破坏量子点层结构的情况)，压印效果好，尽可能完整地保留了量子点的图案化结构，可以提高图案化链子点薄膜表面的质量以及图案化结构的分辨率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的图案化量子点薄膜的制备工艺流程图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如图1所示，本专利技术实施例提供一种图案化量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：S01.提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案与待制备的量子点薄膜的图案对应；S02.提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，制备疏水表面；S03.在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；S04.提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，且使得所述凸起印章所在的表面与所述量子点溶液接触，进行压印处理，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。本专利技术实施例提供的图案化量子点薄膜的制备方法，先制备聚硅氧烷衍生物固化产物作为基材的压印模板，然后在压印模板的压印面制备聚硅氧烷衍生物与氟化物反应形成的疏水表面，进而在压印模板的凸起印章表面制备金属离子淬灭剂层，此时，金属离子淬灭剂中的金属离子能与疏水性聚硅氧烷薄膜中的氟离子通过配位键稳定而均匀的铺展在压印模板的凸面。进一步的，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，通过所述凸起印章压印所述量子点溶液。压印过程中金属离子淬灭剂与氟离子之间的配位键断裂，金属离子猝灭剂与量子点膜结合。因此，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离时，金属离子淬灭剂留在相应量子点薄膜对应的区域，最终实现对该区域的量子点的淬灭效果，最终实现图案化量子点薄膜。本专利技术实施例提供的图案化量子点薄膜的制备方法，成本低，效率高，能够实现大面积图案化量子点薄膜的制备，解决传统图案化方法的工艺复杂、产率低的问题。更重要的是，本专利技术实施例提供的方法，在压印模板的压印面制备聚硅氧烷衍生物与氟化物反应形成的疏水表面，使压印模板在与量子点层分离的过程中，大大降低压印模板与量子点层之间的黏连作用(不会出现压印模板与量子点层黏连，破坏量子点层结构的情况)，压印效果好，尽可能完整地保留了量子点的图案化结构，可以提高图案化链子点薄膜表面的质量以及图案化结构的分辨率。具体的，上述步骤S01中，提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，为构建压印模板提供物质基础。具体的，所述聚硅氧烷衍生物能与后续提供的氟化物在酸性条件下反应产生氢键，使得氟化物结合在聚硅氧烷衍生物并形成致密的疏水性聚硅氧烷薄膜，在所述压印模板在与量子点层分离的过程中，疏水性聚硅氧烷薄膜的存在，可以避免出现压印模板与量子点层黏连，破坏量子点层结构的情况，从而得到完整的图案化量子点薄膜。在一些实施例中，聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液中，按照所述聚硅氧烷衍生物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案与待制备的量子点薄膜的图案对应；/n提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，制备疏水表面；/n在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；/n提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，且使得所述凸起印章所在的表面与所述量子点溶液接触，进行压印处理，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供聚硅氧烷衍生物与固化剂的混合胶体溶液，将所述混合胶体溶液沉积在原始模板上，经固化反应制备压印模板，其中，所述压印模板在一表面形成凸起印章，且所述凸起印章以外的部分形成的图案与待制备的量子点薄膜的图案对应；
提供含氟化合物的酸性溶液，至少在所述压印模板形成所述凸起印章的一面沉积所述酸性溶液，制备疏水表面；
在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂，在所述凸起印章表面形成淬灭剂层；
提供基板，在所述基板上沉积量子点溶液，将所述压印模板放置在所述量子点溶液上，且使得所述凸起印章所在的表面与所述量子点溶液接触，进行压印处理，经压印处理后，将所述压印模板与形成的量子点薄膜分离，得到图案化量子点薄膜。


2.如权利要求1所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氟化合物的酸性溶液为氟化物与氢氟酸的混合溶液。


3.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物与氢氟酸的混合溶液中，所述氟化物与所述氢氟酸的摩尔比为10:1-1:10。


4.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物与氢氟酸的混合溶液中，所述氟化物的浓度为1～10mol/L；和/或
所述氟化物与氢氟酸的混合溶液中，所述氢氟酸的浓度为1～20mol/L。


5.如权利要求2至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化物与氢氟酸的混合溶液为氟化铵与氢氟酸的混合溶液。


6.如权利要求5所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化铵与氢氟酸的混合溶液中，所述氟化铵的浓度为2～7mol/L；和/或
所述氟化铵与氢氟酸的混合溶液中，所述氢氟酸的工作浓度为1～5mol/L。


7.如权利要求1至4任一项所述的图案化量子点薄膜的制备方法，其特征在于，在所述压印模板的凸起印章表面沉积金属离子淬灭剂的步骤，在温度为1～10℃的条件下进行。

【专利技术属性】
技术研发人员：邓承雨，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44