控制方法、半导体微波烹饪电器和存储介质技术

技术编号:25595023 阅读:19 留言:0更新日期:2020-09-11 23:52
本发明专利技术公开了一种控制方法、半导体微波烹饪电器和存储介质。半导体微波烹饪电器包括腔体和两个微波馈入组件。控制方法包括:根据预设的多个微波参数组依次控制两个微波馈入组件同时发射微波至腔体内,微波参数组包括微波的相位差和频率。获取每次发射微波所对应的两个微波馈入组件的反射功率。根据多次获取的微波馈入组件的反射功率确定腔体的场对称参数。上述控制方法中,通过两个微波馈入组件的反射功率来确定腔体的场对称参数,有利于消除因两个微波馈入组件所产生的微波的相位差,进而可提升对物体的加热均匀性。

【技术实现步骤摘要】
控制方法、半导体微波烹饪电器和存储介质
本专利技术涉及家用电器
,尤其涉及一种控制方法、半导体微波烹饪电器和存储介质。
技术介绍
在相关技术中,微波炉利用半导体微波源产生微波。在具有2路微波馈入的半导体微波炉中,由于2路的器件、电路差异和微波炉腔体轻微的左右不对称等原因导致两路链路间存在固有的相差;要在微波加热中对两路信号进行有效相位控制,要对该相差值进行标定或消除。
技术实现思路
本专利技术实施方式提供一种控制方法、半导体微波烹饪电器和存储介质。本专利技术实施方式提供的一种控制方法,用于半导体微波烹饪电器,所述半导体微波烹饪电器包括腔体和两个微波馈入组件,所述控制方法包括:根据预设的多个微波参数组依次控制所述两个微波馈入组件同时发射微波至所述腔体内,所述微波参数组包括微波的相位差和频率;获取每次发射微波所对应的所述两个微波馈入组件的反射功率;根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率确定所述腔体的场对称参数。上述控制方法中,通过两个微波馈入组件的反射功率来确定腔体的场对称参数,有利于消除因两个微波馈入组件所产生的微波的相位差,进而可提升对物体的加热均匀性。在某些实施方式中,每个所述微波参数组包括一个微波相位差和与所述微波相位差对应的频率范围,所述多个微波参数组的所述微波相位差不同,所述频率范围相同,或每个所述微波参数组包括一个频率和与所述频率对应的相位差范围,所述多个微波参数组的所述频率不同,所述相位差范围相同。在某些实施方式中,获取每次发射微波所对应的所述两个微波馈入组件的反射功率,包括:在每次发射微波的情况下,检测所述腔体的反射微波;根据所述腔体的反射微波确定所述两个微波馈入组件的反射功率。在某些实施方式中,根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率确定所述腔体的场对称参数,包括:对每次获取到的所述两个微波组件馈入的反射功率作相减处理以获得一个差值;根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率的所述差值确定所述腔体的场对称参数。在某些实施方式中,根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率的所述差值确定所述腔体的场对称参数,包括:对多次获取的所述微波馈入组件的反射功率的所述差值作均方根运算以得到多个均方根值;根据所述多个均方根值确定所述腔体的场对称参数。在某些实施方式中,根据所述多个均方根值确定所述腔体的场对称参数,包括:在处理所述多个均方根值获得到一个最小均方根值的情况下,根据所述最小均方根值确定所述腔体的场对称参数。在某些实施方式中,根据所述多个均方根值确定所述腔体的场对称参数,包括:在处理所述多个均方根值获得到多个最小均方根值的情况下,根据所述多个最小均方根值和负载实验确定所述腔体的场对称参数。在某些实施方式中,所述控制方法包括:根据所述腔体的场对称参数控制所述半导体微波烹饪电器运行。本专利技术实施方式提供的一种半导体微波烹饪电器,包括腔体、两个微波馈入组件和控制器,所述控制器连接所述两个微波馈入组件,所述控制器用于实现上述任一实施方式的控制方法。上述半导体微波烹饪电器中,通过两个微波馈入组件的反射功率来确定腔体的场对称参数,有利于消除因两个微波馈入组件所产生的微波的相位差,进而可提升对物体的加热均匀性。本专利技术实施方式提供的一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施方式的控制方法。上述计算机可读存储介质中,通过两个微波馈入组件的反射功率来确定腔体的场对称参数,有利于消除因两个微波馈入组件所产生的微波的相位差,进而可提升对物体的加热均匀性。本专利技术的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实施方式的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:图1是本专利技术实施方式的半导体微波烹饪电器的控制方法的流程图;图2是本专利技术实施方式的半导体微波烹饪电器的模块示意图;图3-图5是本专利技术实施方式的半导体微波烹饪电器的不同相位差的反射功率频谱图;图6-图8是本专利技术实施方式的半导体微波烹饪电器的控制方法的另一流程图;图9是本专利技术实施方式的半导体微波烹饪电器的均方根曲线图;图10是本专利技术实施方式的半导体微波烹饪电器的控制方法的又一流程图;图11是本专利技术实施方式的半导体微波烹饪电器的控制方法的相位面检索图。主要元件符号说明:半导体微波烹饪电器100、腔体10、微波馈入组件20、天线22、微波源24、控制器30。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式,实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在本说明书中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接。可以是机械连接,也可以是电连接。可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本专利技术。此外,本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制方法,用于半导体微波烹饪电器,其特征在于,所述半导体微波烹饪电器包括腔体和两个微波馈入组件,所述控制方法包括:/n根据预设的多个微波参数组依次控制所述两个微波馈入组件同时发射微波至所述腔体内,所述微波参数组包括微波的相位差和频率;/n获取每次发射微波所对应的所述两个微波馈入组件的反射功率;/n根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率确定所述腔体的场对称参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种控制方法,用于半导体微波烹饪电器,其特征在于,所述半导体微波烹饪电器包括腔体和两个微波馈入组件,所述控制方法包括:
根据预设的多个微波参数组依次控制所述两个微波馈入组件同时发射微波至所述腔体内,所述微波参数组包括微波的相位差和频率;
获取每次发射微波所对应的所述两个微波馈入组件的反射功率;
根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率确定所述腔体的场对称参数。


2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,每个所述微波参数组包括一个微波相位差和与所述微波相位差对应的频率范围,所述多个微波参数组的所述微波相位差不同,所述频率范围相同,或
每个所述微波参数组包括一个频率和与所述频率对应的相位差范围,所述多个微波参数组的所述频率不同,所述相位差范围相同。


3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,获取每次发射微波所对应的所述两个微波馈入组件的反射功率,包括:
在每次发射微波的情况下,检测所述腔体的反射微波;
根据所述腔体的反射的微波确定所述两个微波馈入组件的反射功率。


4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率确定所述腔体的场对称参数,包括:
对每次获取到的所述两个微波组件馈入的反射功率作相减处理以获得一个差值;
根据多次获取的所述微波馈入组件的反射功率的所述差值确定所述腔体的...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴添洪何建波陈茂顺唐相伟
申请(专利权)人:广东美的厨房电器制造有限公司美的集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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