一种籽晶铺设方法及类单晶硅锭的制备方法和由其制得的类单晶硅锭技术

本发明专利技术提供一种籽晶铺设方法，所述方法通过在铺设的籽晶之间留有缝隙并严格限定缝隙的距离，不仅能够解决现有类单晶硅锭铸锭过程中产生的位错缺陷问题；而且包括所述铺设方法的类单晶硅锭的制备方法通过同时限定第二加热熔化期和第一长晶期的坩埚底部温度，能够有效防止硅液流下导致的杂质凸起问题，制得的类单晶硅锭位错缺陷极少且没有杂质凸起，能够较好地应用在太阳能等领域中。

【技术实现步骤摘要】
一种籽晶铺设方法及类单晶硅锭的制备方法和由其制得的类单晶硅锭
本专利技术涉及晶体硅
，尤其涉及一种籽晶铺设方法及类单晶硅锭的制备方法和由其制得的类单晶硅锭。
技术介绍
单晶硅通常是利用直拉技术或区熔技术而制备获取到，但是单晶硅的制备成本高以及能耗高。而多晶硅则是利用铸造技术进行制备，其制造成本低，但制备出的太阳能电池的光电转化效率相对较低。为了结合单晶硅制备和多晶硅制备的优点，目前业界推出了一种介于单晶硅和多晶硅之间的类单晶，即利用多晶硅的铸造技术制备出效率接近单晶硅的类单晶硅，目前类单晶的铸造方法主要有无籽晶引晶和有籽晶引晶法，有籽晶引晶法是先将单晶硅籽晶铺设在石英坩埚底部，在熔化阶段保持籽晶不完全熔化，在单晶硅籽晶上进行引晶生长从而得到类单晶硅锭。目前常用的类单晶铸造方法为籽晶引晶法，基于底部籽晶进行外延生长得来的晶体硅，在籽晶和籽晶之间形成晶界。但是，在形成晶界之前籽晶和籽晶要经历升温和保温阶段，籽晶升温后体积膨胀，籽晶间必然会形成膨胀挤压，挤压造成的压力会在高温状态的硅籽晶中产生位错。CN105603507本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种籽晶铺设方法，其特征在于，所述籽晶铺设方法包括：铺设的籽晶之间留有缝隙；/n所述缝隙的距离为2.5×e

【技术特征摘要】
1.一种籽晶铺设方法，其特征在于，所述籽晶铺设方法包括：铺设的籽晶之间留有缝隙；
所述缝隙的距离为2.5×e-3L～12.5×e-3L，其中，L为垂直于缝隙方向的籽晶宽度。


2.根据权利要求1所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述铺设的籽晶晶相朝向相同；
优选地，所述籽晶之间的缝隙距离不同或相同。


3.根据权利要求1或2所述的籽晶铺设方法，其特征在于，所述缝隙的距离为3.68×e-3L～5.5×e-3L；
优选地，所述缝隙的距离为0.1～10mm。


4.一种类单晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述类单晶硅锭的制备方法采用权利要求1～3任一项所述的籽晶铺设方法进行籽晶铺设。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)在坩埚底部铺设籽晶层，籽晶之间留有缝隙，所述缝隙的距离为2.5×e-3L～12.5×e-3L，其中，L为垂直于缝隙方向的籽晶宽度；在所述籽晶层上层装载硅料；
(2)加热熔化硅料，在所述籽晶层基础上开始长晶，得到类单晶硅锭。


6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述加热熔化包括第一加热熔化期和第二加热熔化期；
优选地，所述第二加热熔化期的时长为3～4h；
优选地，控制第二加热熔化期中坩埚底部温度为1000～1300℃，优选为1050～1280℃。


7.根据权利要求4或...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32