【技术实现步骤摘要】
用于制备金和银的层的水性制剂
本专利技术涉及无氰化物制剂,该制剂用于在导电基材上电沉积金和银的层,其中所述制剂分别包含选自亚硫酸盐和硫代硫酸盐的络合剂,其特征在于,添加至少一种来自第5或第6副族的过渡金属的可溶含氧酸形式,以用于提高镀液稳定性。本专利技术还涉及使用根据本专利技术的制剂来制备合金沉积物的电镀方法,该方法如下实现,将待涂覆的基材浸入方法溶液中,并且在阴极极化的基材和至少一个阳极极化的对电极之间施加电场,同时在基材表面上还原金离子和银离子。概述本专利技术涉及用于金属电沉积的水性电解质领域,特别是用于电沉积金和银的合金的无氰化物电解质领域。根据所用基材的类型可以如下实施沉积:在全面涂覆的情况下以层的形式进行沉积,或者在被遮掩的表面上部分涂覆的情况下以单独的沉积物形式进行沉积。这种电镀制备的沉积物尤其适用于微电子技术中的组装和连接技术,以及用于微系统技术。在所述应用领域中,薄的金属层以导体电路平面形式用于构建半导体,以接触结构形式用于连接有源和无源半导体器件,但也以定义的刚性或可移动微结构形式用于制造执行器和传感器。所沉积的金沉积物的特殊性在于,其能够以化学或电化学方式通过对银的选择性蚀刻使多孔的金变得具有骨架结构。通过合金处理形成所述开孔结构发生在银含量为约20至50重量%的金合金上,并且基于金原子的表面扩散作用。以这种方式制成的金沉积物具有低密度和大的活性表面,不仅可以实现在新型芯片连接技术中的应用,还可以提供多样的基材表面,用于传感器技术的应用中,例如用于化学吸附和物理吸附过程,或者用 ...
【技术保护点】
1.一种无氰化物、含金属盐的水性制剂,其用于在导电基材上电沉积金和银的层,所述制剂包含或组成为:/n至少一种金盐和至少一种银盐,/n至少一种选自硫代硫酸盐的第一络合剂,/n至少一种选自亚硫酸盐的第二络合剂,和/n至少一种选自元素周期表第5族(钒族)和第6族(铬族)的过渡金属的可溶含氧酸。/n
【技术特征摘要】
20190304 DE 102019202899.31.一种无氰化物、含金属盐的水性制剂,其用于在导电基材上电沉积金和银的层,所述制剂包含或组成为:
至少一种金盐和至少一种银盐,
至少一种选自硫代硫酸盐的第一络合剂,
至少一种选自亚硫酸盐的第二络合剂,和
至少一种选自元素周期表第5族(钒族)和第6族(铬族)的过渡金属的可溶含氧酸。
2.根据权利要求1所述的制剂,其特征在于,第5族和第6族的过渡金属选自钒、铬、钼和钨。
3.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,所包含的至少一种过渡金属的含氧酸为其可溶盐的形式,优选为钒酸盐(VO3-)、原钒酸盐(VO43-)、铬酸盐(CrO42-)或重铬酸盐(Cr2O72-)、钼酸盐(MoO42-)或钨酸盐(WO42-);和/或为其独立的金属酸形式,优选为钼酸(H2MoO4)或钨酸(H2WO4);和/或为其酸酐的形式,优选为五氧化二钒(V2O5)、三氧化铬(CrO3)、三氧化钼(MoO3)或三氧化钨(WO3)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,所包含的至少一种过渡金属的含氧酸的浓度为0.1mmol/l至1000mmol/l,优选1mmol/l至50mmol/l。
5.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,
所包含的金为一价金阳离子形式,优选为亚硫酸钠金(Na3Au(SO3)2)、亚硫酸铵金((NH4)3Au(SO3)2)或其组合,和/或
所包含的银为一价银阳离子形式,优选为氯化银(AgCl)、溴化银(AgBr)、碘化银(AgI)、碳酸银(Ag2CO3)、乙酸银(Ag(CH3COO))、硫代硫酸银(Ag2S2O3)或其组合。
6.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,
所包含的金的浓度为2g/l至60g/l,优选8g/l至24g/l,和/或
所包含的银的浓度为2g/l至60g/l,优选6g/l至18g/l。
7.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,所包含的选自硫代硫酸盐的第一络合剂为硫代硫酸的盐,优选铵盐、钠盐或钾盐。
8.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,所包含的选自硫代硫酸盐的第一络合剂相对于金和银的总量是过量的,优选浓度为0.2mol/l至1.5mol/l,更优选0.5mol/l至1.0mol/l。
9.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,所包含的选自亚硫酸盐的第二络合剂为亚硫酸的盐或偏二亚硫酸的盐,优选铵盐、钠盐或钾盐。
10.根据前述权利要求中任一项所述的制剂,其特征在于,所包含的选自亚硫酸盐的第二络合剂的浓度为0.1mol/l至1mol...
【专利技术属性】
技术研发人员:洛塔尔·迪特里希,莫滕·布林克,赫尔曼·奥佩尔曼,
申请(专利权)人:弗劳恩霍夫应用研究促进协会,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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