压力传感器及其制造方法技术

压力传感器包括与上衬底（１４）硅熔接的下衬底（１２），在下衬底和上衬底之间设置有室（１６）。下衬底和上衬底均包括硅。下衬底包括限定腔体（１８）的壁和位于该腔体之上的隔膜部分（２２），其中腔体向所要感应的环境开放。该室对环境气密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种压力传感器，包括：　　　　下衬底，所述下衬底包括限定腔体的壁和位于所述腔体之上的隔膜部分，其中所述下衬底包括硅并且其中所述腔体向所要感应的环境开放；　　　　包括硅的上衬底，其中所述上衬底与所述下衬底硅熔接；　　　　设置在所述下衬底和上衬底之间的室，其中所述室对所述环境气密封；和　　　　设置为与所述隔膜部分物理连通的压阻元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯坦利丘，西西拉K加梅奇，权贤镇，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]