一种抗干扰复合开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗干扰复合开关，包括可控硅驱动模块、磁保持继电器驱动模块、可控硅保护模块，可控硅驱动模块中的可控硅TSC1和磁保持继电器驱动模块中的继电器K1并联，可控硅保护模块包括过压保护器件、RC尖峰吸收器件、瞬态电流抑制器件，过压保护器件为压敏电阻RPT1，压敏电阻RPT1与可控硅TSC1并联，RC尖峰吸收器件包括电阻R2和电容C1，电阻R2和电容C1串联后再与可控硅TSC1并联，瞬态电流抑制器件为热敏电阻NTC1，热敏电阻NTC1串接于可控硅TSC1和电压输入端之间。该种复合开关抗干扰能力强，安全稳定性好，使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰复合开关
本技术涉及电能质量无功补偿装置
，特别涉及一种抗干扰复合开关。
技术介绍
随着国家对电网效率和质量要求的提高,无功补偿装置在电力系统中的应用越来越广泛。它对无功功率进行集中补偿,是有效降低线损、提高电网供电质量、节约电能的有效途经。而投切开关作为无功补偿系统的重要组成部分,是实现无功补偿电容器投切操作的动作执行部件。它的动作好坏将直接影响无功补偿装置的工作效率以及电网质量。传统的无功补偿装置主要以继电器或可控硅单独实现电容投切,存在涌流大、功耗大等缺点,已逐渐被复合开关取代。申请号为CN201520571463.3的专利文件便公开了一种复合开关结构。由于复合开关工作于复杂的环境中，还存在以下问题：1.可控硅的反向耐压一般也只能达到1600V左右，这就限制了它的应用范围，当系统电压高于380V(这是常有的情况)或非理想开断时的暂态过电压就可能远大于可控硅的反向耐压位1600V，众所周知可控硅是一种对热和电冲击很敏感的半导体元件，一旦出现冲击电流或电压超过其容许值时，就会立即使其损坏，而且是永久性的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗干扰复合开关，其特征在于：包括可控硅驱动模块、磁保持继电器驱动模块、可控硅保护模块，所述可控硅驱动模块中的可控硅TSC1和所述磁保持继电器驱动模块中的继电器K1并联，所述可控硅保护模块包括过压保护器件、RC尖峰吸收器件、瞬态电流抑制器件，所述过压保护器件为压敏电阻RPT1，所述压敏电阻RPT1与所述可控硅TSC1并联，所述RC尖峰吸收器件包括电阻R2和电容C1，所述电阻R2和电容C1串联后再与所述可控硅TSC1并联，所述瞬态电流抑制器件为热敏电阻NTC1，所述热敏电阻NTC1串接于所述可控硅TSC1和电压输入端之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗干扰复合开关，其特征在于：包括可控硅驱动模块、磁保持继电器驱动模块、可控硅保护模块，所述可控硅驱动模块中的可控硅TSC1和所述磁保持继电器驱动模块中的继电器K1并联，所述可控硅保护模块包括过压保护器件、RC尖峰吸收器件、瞬态电流抑制器件，所述过压保护器件为压敏电阻RPT1，所述压敏电阻RPT1与所述可控硅TSC1并联，所述RC尖峰吸收器件包括电阻R2和电容C1，所述电阻R2和电容C1串联后再与所述可控硅TSC1并联，所述瞬态电流抑制器件为热敏电阻NTC1，所述热敏电阻NTC1串接于所述可控硅TSC1和电压输入端之间。


2.根据权利要求1所述的复合开关，其特征在于：所述复合开关还包括电容残余电量放电模块，所述电容残余电量放电模块包括大功率电阻R1，所述电阻R1并接于所述可控硅TSC1以及继电器K1的两端。


3.根据权利要求1所述的复合开关，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡豪，仇志远，
申请(专利权)人：江苏沃之源电力技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32