一种MCU资源映射电路制造技术

本实用新型专利技术涉及单片机技术领域，公开了一种MCU资源映射电路，包括MCU和特殊功能寄存器SFR，特殊功能寄存器SFR位于MCU的内部，特殊功能寄存器SFR用于将MCU的资源映射到MCU的所有IO接口；本实用新型专利技术解决了目前解决MCU资源映射配置方案存在的MCU芯片面积大和成本高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种MCU资源映射电路
本技术涉及单片机
，具体涉及一种MCU资源映射电路。
技术介绍
MCU通常包括多种资源(功能)，满足不同的应用需求，比如：1.模数转换器(ADC)用于采集模拟信号并转换为数字信号，送给CPU进行处理，广泛应用于计量、工业控制、家电等领域。2.脉冲宽度调制(PulseWidthModulation；PWM)广泛应用于从测量、通信、工业控制等领域。3.外部复位(RESET)、外部中断(INT)等都是MCU常有的一些资源。市面上的MCU产品型号众多，通常也都包括上述资源，但是因为应用差异性，存在如下共性问题：(1)MCU的封装形式不一样，有SOP、DFN、QFN等。(2)MCU的脚位数量不一样，有40脚、28脚、16脚、8脚等。(3)MCU的PIN功能定义不一致，有些IO接口只能用作ADC功能，有些IO接口只能用作外部中断功能，有些IO接口只能用做外部复位功能等上述三个问题导致的MCU应用问题有：1.针对不同的应用，需要开发不同的MCU，开发及投片生产成本高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MCU资源映射电路，其特征在于，包括MCU和特殊功能寄存器SFR，所述特殊功能寄存器SFR位于所述MCU的内部，所述特殊功能寄存器SFR用于将所述MCU的资源映射到所述MCU的所有IO接口。/n

【技术特征摘要】
1.一种MCU资源映射电路，其特征在于，包括MCU和特殊功能寄存器SFR，所述特殊功能寄存器SFR位于所述MCU的内部，所述特殊功能寄存器SFR用于将所述MCU的资源映射到所述MCU的所有IO接口。


2.根据权利要求1所述的一种MCU资源映射电路，其特征在于，所述特殊功能寄存器SFR包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极的连接点接所述MCU的时钟端，所述第一PMOS管的衬底与所述第一PMOS管的源极相连后接VDD，所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极的连接点与所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极的连接点相连，所述第一NMOS管的衬底与所述第一NMOS管的源极相连后接VSS，所述第二PMOS管的衬底与所述第二PMOS管的源极相连后接VDD，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极的连接点开路，所述第二NMOS管的衬底与所述第二NMOS管的源极相连后接VSS。


3.根据权利要求1或2所述的一种MCU资源映射电路，其特征在于，所述特殊功能寄存器SFR还包括第三PMOS管和第三NMOS管，所述第三PMOS管衬底与所述第三PMOS管的源极相连后接VDD，所述第三PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极的连接点接所述MCU的复位端，所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极的连接点开路，所述第三NMOS管的衬底与所述第三NMOS管的源极相连后接VSS。


4.根据权利要求3所述的一种MCU资源映射电路，其特征在于，所述特殊功能寄存器SFR还包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管以及第十八PMOS管，第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第十七NMOS管以及第十八NMOS管；所述第四PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极的连接点接所述MCU的数据输入端，所述第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极相连，所述第五PMOS管的衬底与所述第四PMOS管的衬底相连后接VDD，所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极相连，所述第四NMOS管的衬底与所述第五NMOS管的衬底相连后接VSS，所述第五PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极的连接点分别连接所述第十五PMOS管的漏极与所述第十四NMOS管的漏极的连接点以及所述第七PMOS管的栅极与所述第六NMOS管的栅极的连接点，所述第六PMOS管的栅极与所述第七NMOS管的栅极相连，所述第七PMOS管的衬底与所述第六PMOS管的衬底相连后接VDD，所述第六PMOS管的漏极与所述第七PMOS管的源极相连，所述第六NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极相接，所述第七PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极的连接点还与分别连接所述第十四PMOS管的栅极与所述第十五栅极的连接以及所述第八PMOS管的栅极与所述第九NMOS管的栅极的连接点，所述第六NMOS管的衬底与所述第六NMOS管的源极相连的连接点与所述第七NMOS管的衬底与所述第七NMOS管的源极相连的连接点相连后接VSS，所述第十五PMOS管的衬底与所述第十四PMOS管的衬底相连的连接点与所述第十...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈盛，李双飞，
申请(专利权)人：深圳市云腾微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44