光调制器及使用了该光调制器的光发送装置制造方法及图纸

技术编号:25576863 阅读:30 留言:0更新日期:2020-09-08 20:13
本实用新型专利技术提供一种光调制器及使用了该光调制器的光发送装置。在具备中继基板的光调制器中,有效地抑制与传输率的高速化相伴的中继基板上的信号导体图案间的串扰增加,实现良好的光调制特性。光调制器具备:光调制元件,具备多个信号电极;多个信号输入端子,输入向信号电极的电信号;中继基板,形成有将各个信号输入端子与各个信号电极电连接的多个信号导体图案及多个接地导体图案;及外壳,收容光调制元件及中继基板,其中,中继基板在相邻的信号导体图案间形成的至少一个接地导体图案具有从信号输入端子连接于信号导体图案的信号输入边延伸的至少一个槽,该槽形成为从信号输入边延伸的长度比在信号导体图案上延伸的信号输入端子的长度长。

【技术实现步骤摘要】
光调制器及使用了该光调制器的光发送装置
本技术涉及具备对信号输入端子与光调制元件电极之间的电信号的传播进行中继的中继基板的光调制器及使用了该光调制器的光传输装置。
技术介绍
在高速/大容量光纤通信系统中,多使用装入有波导型的光调制元件的光调制器。其中,将具有电光效应的LiNbO3(以下,也称为LN)使用于基板的光调制元件由于光的损失少并能实现宽带的光调制特性,因此在高速/大容量光纤通信系统中被广泛使用。在该使用了LN基板的光调制元件中,设有马赫-曾德尔型光波导和用于向该光波导施加作为调制信号的高频电信号的信号电极。并且,设置于光调制元件的这些信号电极经由在收容该光调制元件的光调制器的外壳内设置的中继基板,与设置于该外壳的作为信号输入端子的管脚或连接器连接。这些信号输入端子即上述管脚或连接器连接于搭载有用于使光调制器进行调制动作的电子电路的电路基板,由此从该电子电路输出的电信号经由上述中继基板向上述光调制元件的信号电极施加。光纤通信系统中的调制方式受到近年来的传输容量的增大化的潮流,QPSK(QuadraturePhaseShiftKeying,四比特相位偏移调制)或DP-QPSK(DualPolarization-QuadraturePhaseShiftKeying,双极化四相相移键控)等多值调制,或在多值调制中取入了偏振复用的传输制式成为主流,除了在主干光传输网络中使用之外,也正在向城域网导入。进行QPSK调制的光调制器(QPSK光调制器)或进行DP-QPSK调制的光调制器(DP-QPSK光调制器)具备成为被称作所谓套匣型的嵌套构造的多个马赫-曾德尔型光波导,这多个马赫-曾德尔型光波导分别具备至少一个信号电极。因此,这些光调制器具备多个信号电极,向这些信号电极复用的高频电信号协作而进行上述DP-QPSK调制动作。并且,在向这样的多个信号电极分别赋予的高频电信号协作的光调制器中,需要将全部的高频电信号不受杂音等的影响地向光调制元件的信号电极输入。然而,另一方面,对于光调制器的小型化的要求不变,伴随着光调制器的外壳的小型化而中继基板的小型化进展。其结果是,多个不同的高频信号向窄的中继基板接近集中地传播,形成在中继基板上的高频信号线路间的电气性的串扰逐渐无法忽视。另外,商用的DP-QPSK调制器目前多在100Gb/s的传输率下使用,但是用于将该传输率向400Gb/s扩大的开发也不断进展。今后,如果扩大传输率,则在上述中继基板中产生的高频信号线路间的串扰的问题会成为更深刻的课题。作为抑制上述串扰的方法,可考虑扩大相邻的高频信号线路间的距离的情况,但是该方法违反上述那样的对于光调制器的小型化的要求,难以采用。因此,采用例如在设置于高频信号线路间的接地电极设置导孔而连接于中继基板背面的接地层,由此对该接地电极进行强化而提高上述高频信号线路间的屏蔽效果的方法等(例如,参照专利文献1)。然而,在400Gb/s或超过400Gb/s的高传输率的DP-QPSK调制器中,仅仅是上述那样的导孔的话,会产生无法充分地抑制掉串扰的问题。根据本技术的专利技术人仔细进行的实验,在上述那样的高传输率的DP-QPSK调制器中,可知上述串扰不仅是接近的高频信号线路间的直接的信号能量的交接,而且与在中继基板的主要是高频信号的输入部(信号输入部)产生信号传播模式的转换(以下,传播模式转换)的情况相伴的、该输入部的高频信号的漏泄的影响也无法忽视。即,在向光调制器的高频信号输入中通常使用连接器或管脚等,因此向中继基板输入之前的高频信号以同轴模式传播。相对于此,在光调制元件基板或中继基板设置的高频信号线路通常为共面线路,该线路中的传播模式为共面模式(以下,称为CPW模式)。因此,在中继基板的信号输入部中,产生从同轴模式向CPW模式的传播模式转换(即,异种模式转换),以同轴模式传播的高频信号的能量的一部分向中继基板的内部或外部(空中)成为放射模式地放出。并且,这样的向中继基板的内部或外部(空中)放出的高频信号能量的一部分对上述串扰的发生附加性地发挥作用。【在先技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2012-156947号公报
技术实现思路
【技术要解决的课题】从上述背景出发,在具备将光调制元件的各个信号电极与各个信号输入端子进行电连接的中继基板的光调制器中,要求有效地抑制与传输率的高速化相伴的中继基板上的信号导体图案间的串扰增加,实现良好的光调制特性。【用于解决课题的方案】本技术的一个方式涉及一种光调制器,具备:光调制元件,具备多个信号电极;多个信号输入端子,输入向各个所述信号电极施加的电信号;中继基板,形成有将各个所述信号输入端子与各个所述信号电极电连接的多个信号导体图案及多个接地导体图案;及外壳,收容所述光调制元件及所述中继基板,其中,在所述中继基板的信号输入边,所述信号输入端子以从该信号输入边延伸到所述信号导体图案上的方式配置,所述信号输入边是来自所述信号输入端子的电信号向所述信号导体图案输入的边,所述中继基板中,在形成有所述信号导体图案的表面上,在形成于相邻的所述信号导体图案之间的至少一个所述接地导体图案具有从所述信号输入边延伸的至少一个槽,所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比所述信号输入端子从所述信号输入边延伸的长度长。根据本技术的另一方式,所述槽延伸至所述中继基板的信号输出边,所述信号输出边是电信号从所述信号导体图案向所述光调制元件的所述信号电极输出的边。根据本技术的另一方式,所述槽形成为所述信号输入边处的从所述表面测量的所述槽的端部的深度比在所述槽的另一个端部处从所述表面测量的槽的深度深。根据本技术的另一方式,所述槽形成为从所述表面测量的深度随着从所述槽的另一个端部靠近所述信号输入边而呈阶梯状或连续地变深。根据本技术的另一方式,所述槽在所述信号输入边形成至所述中继基板的与所述表面相对的背面,或者在距所述信号输入边为规定距离的范围内形成至所述中继基板的与所述表面相对的背面。根据本技术的另一方式,在所述槽的内侧面、或者在所述槽的内侧面和底面形成有金属膜。根据本技术的另一方式,在所述槽的内侧面及底面形成有金属膜,在所述中继基板的与所述表面相对的背面形成有接地用导体,在所述槽的所述底面形成有将该底面的所述金属膜与所述背面的所述接地用导体连接的导孔。根据本技术的另一方式,所述槽未延伸至所述中继基板的信号输出边,且该槽的整体贯通至所述中继基板的与所述表面相对的背面地形成,所述信号输出边是电信号从所述信号导体图案向所述光调制元件的所述信号电极输出的边。根据本技术的另一方式,在所述槽的内侧面形成有金属膜。根据本技术的另一方式,所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比沿着与该延伸的方向正交的方向测量的宽度长。本技术的另一方式涉及一种光发送装置,具备:上述任一光调制器;及电子电路,输出用于使该光调制器进行调制动作的本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种光调制器,具备:/n光调制元件,具备多个信号电极;/n多个信号输入端子,输入向各个所述信号电极施加的电信号;/n中继基板,形成有将各个所述信号输入端子与各个所述信号电极电连接的多个信号导体图案及多个接地导体图案;及/n外壳,收容所述光调制元件及所述中继基板,其中,/n在所述中继基板的信号输入边,所述信号输入端子以从该信号输入边延伸到所述信号导体图案上的方式配置,所述信号输入边是来自所述信号输入端子的电信号向所述信号导体图案输入的边,/n所述中继基板中,在形成有所述信号导体图案的表面上,在形成于相邻的所述信号导体图案之间的至少一个所述接地导体图案具有从所述信号输入边延伸的至少一个槽,/n所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比所述信号输入端子从所述信号输入边延伸的长度长。/n

【技术特征摘要】
20190327 JP 2019-0615601.一种光调制器,具备:
光调制元件,具备多个信号电极;
多个信号输入端子,输入向各个所述信号电极施加的电信号;
中继基板,形成有将各个所述信号输入端子与各个所述信号电极电连接的多个信号导体图案及多个接地导体图案;及
外壳,收容所述光调制元件及所述中继基板,其中,
在所述中继基板的信号输入边,所述信号输入端子以从该信号输入边延伸到所述信号导体图案上的方式配置,所述信号输入边是来自所述信号输入端子的电信号向所述信号导体图案输入的边,
所述中继基板中,在形成有所述信号导体图案的表面上,在形成于相邻的所述信号导体图案之间的至少一个所述接地导体图案具有从所述信号输入边延伸的至少一个槽,
所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比所述信号输入端子从所述信号输入边延伸的长度长。


2.根据权利要求1所述的光调制器,其中,
所述槽延伸至所述中继基板的信号输出边,所述信号输出边是电信号从所述信号导体图案向所述光调制元件的所述信号电极输出的边。


3.根据权利要求1所述的光调制器,其中,
所述槽形成为所述信号输入边处的从所述表面测量的所述槽的端部的深度比在所述槽的另一个端部处从所述表面测量的槽的深度深。


4.根据权利要求3所述的光调制器,其中,
所述槽形成为从所述表面测量的深度随着从所述槽的另一个端部靠近所述信号输入...

【专利技术属性】
技术研发人员:宫崎德一菅又彻
申请(专利权)人:住友大阪水泥股份有限公司
类型:新型
国别省市:日本;JP

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