一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池技术

本发明专利技术涉及一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。该方法包括：(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；(2)、去除待测样品上不同金属占比的栅线图形；(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。本发明专利技术在测试总暗态饱和电流密度的过程中，载流子在待测样品前后表面的分布一致，避免了载流子在前后表面分布不均匀引起测试不准确，更具准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。
技术介绍
在晶体硅太阳电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳电池效率发展的重要因素。目前商业化的高效晶体硅太阳电池中，如P型PERC或者N型PERT电池，发射极钝化区域的暗饱和电流密度(J0,pass)一般为30～60fA/cm2，而发射极与金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为1000～2000fA/cm2，比非金属接触区域的复合高出一到两个数量级。金属接触复合成为提升太阳电池开路电压和转换效率的重要挑战。钝化接触结构，如隧穿氧化层/掺杂多晶硅层、超薄本征非晶硅层/重掺杂非晶硅层，不仅具有优异的界面钝化性能，可以显著降低金属接触复合，还具有优异的接触性能。钝化接触结构的优异性能受到研究机构及企业的广泛关注，研究机构如德国Fraunhofer、ISFH太阳能系统研究所针对隧穿氧化层/掺杂多晶硅层结构分别开发了TOPCon电池和POLO电池，企业如中来、天合等将实验室小尺寸的钝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试金属接触复合值的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；/n(2)、去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形；/n(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；/n(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。/n

【技术特征摘要】
1.一种测试金属接触复合值的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；
(2)、去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形；
(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；
(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。


2.根据权利要求1所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述表面复合模型的计算公式为：
JT＝χ*J0,metal+(1-χ)*J0,pass+J0,pass(1)；
其中，JT为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J0,metal为金属接触区域的暗态饱和电流密度，J0,pass为钝化区域的暗态饱和电流密度，χ*J0,metal和(1-χ)*J0,pass为待测样品上金属化一面的表面复合值，J0,pass为待测样品上非金属化一面的表面复合值；经变形之后，上述公式(1)变为：
JT＝(J0,metal-J0,pass)*χ+2*J0,pass(2)；
根据公式(2)可得：
k＝J0,metal-J0,pass
b＝2*J0,pass
则金属接触区域暗态饱和电流密度J0,metal的值为：
J0,metal＝k+b/2
其中，k为线性函数的斜率，b为线性函数的截距。


3.根据权利要求1或2所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述待测样品的前表面印刷有三个具有不同金属占比的栅线图形；其中，
以太阳能电池片中心为原点，沿太阳能电池片的纵向中线和横向中线将太阳能电池片分割成四个象限，所述具有不同金属占比的三个栅线图形分别位于所述四个象限中的任意三个中。

【专利技术属性】
技术研发人员：包杰，陈程，黄策，乔振聪，刘志锋，陈嘉，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32