空穴传输层及其制作方法、钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种空穴传输层及其制作方法、钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制作方法。一种空穴传输层的制作方法，空穴传输层用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，空穴传输层的制作方法包括如下步骤：采用原子层沉积技术在衬底上形成保护层；以及采用磁控溅射技术在保护层上形成金属氧化物层，得到空穴传输层。上述用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池的空穴传输层的制作方法，由于采用原子层沉积技术制作保护层，采用磁控溅射技术在保护层上制作金属氧化物层，因此既可以实现低温工艺，又可以大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
空穴传输层及其制作方法、钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种空穴传输层及其制作方法、钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
钙钛矿太阳能电池由于具有光电转换效率高、成本低、制作简单等突出优点，成为最具前景的太阳能电池并且成为研究热点。目前钙钛矿太阳电池的点电池效率已经达到23.3％。目前应用于钙钛矿太阳电池的材料一般带隙大于1.5eV，并且通过掺杂可以进一步提高钙钛矿吸收层的带隙至1.65eV以上。宽带隙的钙钛矿吸收层非常有利于和晶硅太阳电池(SHJ，SiliconHeterojunctionsolarcell)组成钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池。如图1所示，传统的钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池100'包括依次层叠的背面导电栅线110'、背面透明导电层120'、硅基异质结电池130'、隧穿结140'、钙钛矿电池150'、正面透明导电层160'和正面导电栅线170'。图1中箭头所指的方向为光照方向。其中，硅基异质结电池130'包括依次层叠的非晶硅p层131'、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴传输层的制作方法，所述空穴传输层用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，其特征在于，空穴传输层的制作方法包括如下步骤：/n采用原子层沉积技术在衬底上形成保护层；以及/n采用磁控溅射技术在所述保护层上形成金属氧化物层，得到空穴传输层。/n

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输层的制作方法，所述空穴传输层用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，其特征在于，空穴传输层的制作方法包括如下步骤：
采用原子层沉积技术在衬底上形成保护层；以及
采用磁控溅射技术在所述保护层上形成金属氧化物层，得到空穴传输层。


2.根据权利要求1所述的空穴传输层的制作方法，其特征在于，采用磁控溅射技术在所述保护层上形成金属氧化物层的步骤中，溅射气体为氩气或者氩气与氧气的混合气体；所述氩气与氧气的混合气体中，氧气的体积分数为0.01％～30％。


3.一种采用1或2所述的制作方法得到的空穴传输层，用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层包括层叠的保护层和金属氧化物层。


4.根据权利要求3所述的空穴传输层，其特征在于，所述保护层的材质选自氧化镍、钴酸锂、氧化铜、氧化钒、氧化铬与氧化钼中的至少一种。


5.根据权利要求3或4所述的空穴传输层...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州联诺太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32