一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构制造技术

本发明专利技术公开了一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构，包括等离子体耦合相位梯度超表面结构，等离子体耦合相位梯度超表面结构包括射频感性耦合等离子体源、相位梯度超表面和闭式透波介质腔，其中，射频感性耦合等离子体源置于闭式透波介质腔中，相位梯度超表面固定于闭式透波介质腔外侧底部。相位梯度超表面为由金属铜板、介质基板、金属单元阵列从下到上依次组成的三层结构，金属单元阵列是由6个宽度相等、高度逐渐增加的H型金属贴片从左向右依次设置形成的金属单元在介质基板上从上到下重复排列而成。解决了现有等离子体吸波结构厚度较大、结构适用性较差而难以满足使用需求的问题，以及电磁波衰减幅度小的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构
本专利技术属于有源隐身
，涉及一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构。
技术介绍
反隐身雷达技术发展迅速，未来先进装备面对的探测威胁将向超宽频段、多角域方向扩展，降低目标的电磁散射特征成为目前目标电磁散射控制研究的前沿和重点。由于当前外形和材料隐身技术主要针对光学波段，并且外形隐身只能减少重点方向的雷达散射特征，材料隐身的吸波固有属性和厚度要求导致其难以突破宽带隐身，远不能实现宽角度、宽频段的雷达隐身。相比于外形、材料隐身技术，等离子体电磁散射控制技术是基于等离子体对电磁波共振吸收、碰撞衰减等效应的新型有源雷达隐身技术，在解决宽带电磁散射控制问题方面，具有两点显著优势：第一，宽带动态吸波。低温非磁化等离子体的电子密度峰值可在1011至1015cm-3量级调控，响应频带能够覆盖P~Ku雷达波段，可通过调节等离子体放电条件改变等离子体电子密度、碰撞频率等特征参数，从而调控其对电磁波的衰减幅度和频带；第二，和电磁波作用机制丰富，等离子体会对电磁波产生折射、反射、吸收、聚/散焦、变频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构，其特征在于，包括等离子体耦合相位梯度超表面结构（1），等离子体耦合相位梯度超表面结构（1）包括射频感性耦合等离子体源（2）、相位梯度超表面（3）和闭式透波介质腔（4），其中，射频感性耦合等离子体源（2）置于闭式透波介质腔（4）中，相位梯度超表面（3）固定于闭式透波介质腔（4）外侧底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构，其特征在于，包括等离子体耦合相位梯度超表面结构（1），等离子体耦合相位梯度超表面结构（1）包括射频感性耦合等离子体源（2）、相位梯度超表面（3）和闭式透波介质腔（4），其中，射频感性耦合等离子体源（2）置于闭式透波介质腔（4）中，相位梯度超表面（3）固定于闭式透波介质腔（4）外侧底部。


2.根据权利要求1所述的一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构，其特征在于，所述相位梯度超表面（3）为由金属铜板、介质基板、金属单元阵列从下到上依次组成的三层结构，金属单元阵列是由6个宽度相等、高度逐渐增加的H型金属贴片从左向右依次设置形成的金属单元在介质基板上从上到下重复排列而成。


3.根据权利要求2所述的一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构，其特征在于，每个所述H型金属贴片的宽度为4.6mm，其竖向金属贴片的宽度为0.8mm，其两个竖向金属贴片间隔宽度为3.0mm，其横向金属贴片的宽度为0.8mm；每个金属单元的6个H型金属贴片的高度从左向右依次为1.5mm、3.38mm、3.79mm、4.06mm、4.42mm、5.5mm。


4.根据权利要求2或3所述的一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构，其特征在于，每个所述金属单元的6个H型金属贴片的横向金属贴片位于同一直线上，且每个金属单元中左右相邻的两个H型金属贴片的间隔均相等；每个金属单元的宽度为H型金属贴片的宽度和右相邻的两个H型金属贴片的间隔之和。


5.根据权利要求4所述的一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构，其特征在于，所述金属单元中左右相邻的两个H型金属贴片的间隔为3.4mm，每个金属单元的宽度为8mm。


6.根据权利要求2、3或5所述的一种射...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐浩军，魏小龙，韩欣珉，武欣，常怡鹏，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军工程大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61