【技术实现步骤摘要】
靶材的制备方法
本专利技术涉及半导体溅射靶材领域,特别涉及一种靶材的制备方法。
技术介绍
磁记录是利用磁的性质进行信息的记录的方式,在存储和使用的时候通过特殊的方法进行信息的输入和读出,从而达到存储信息和读出信息的目的;采用垂直磁记录技术,硬盘的面密度与容量呈现了快速的增长。然而实现记录数据的硬盘介质中采用多层垂直结构设计,具体包括润滑层,保护层,磁性记录层,中间层,软磁衬底层,衬底层及基底层;铬钽钛合金溅射靶材主要用于衬底层薄膜溅射,起到粘结基底层与软磁衬底层的过渡中间层,利于软磁衬底层生长;硬盘介质中多层结构通常由相应的靶材沉积而成,磁记录靶材就主要用于制备垂直结构中的多层薄膜,因此磁记录介质材料尤为重要。在实现记录数据的硬盘介质中,一般通过铬钽钛合金溅射靶材薄膜溅射而成,以利于软磁衬底层生长,从而铬钽钛合金溅射靶材的性能至关重要。现有技术中,所制备出的铬钽钛合金溅射靶材一般通过热压法或真空熔炼法制备而成,所制备出的铬钽钛合金溅射靶材成分不均匀并夹杂气孔等缺陷,机加工性能差,影响所述铬钽钛靶材的应用。r>因此,需提供一种本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种靶材的制备方法,其特征在于,包括:/n提供铬粉、钽粉和钛粉的混合粉;/n将所述混合粉放入包套中进行装模;/n将装模后的所述混合粉进行热等静压工艺。/n
【技术特征摘要】
1.一种靶材的制备方法,其特征在于,包括:
提供铬粉、钽粉和钛粉的混合粉;
将所述混合粉放入包套中进行装模;
将装模后的所述混合粉进行热等静压工艺。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,提供铬粉、钽粉和钛粉的混合粉之前,还包括:提供V型混粉机,将所述铬粉、钽粉和钛粉放入所述V型混粉机进行混粉工艺。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述混合粉中,铬元素原子百分比为54.5%-55.5%,钽元素原子百分比为19.5%-20.5%,钛元素原子百分比为24.5%-25.5%。
4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述混粉工艺中,通入惰性气体进行保护,压强为0.02Mpa-0.06Mpa,混粉速度为6r/min-15r/min,混粉时间为20h-25h。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述包套为不锈钢或碳钢包套。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述混合粉放入...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,王学泽,马国成,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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