【技术实现步骤摘要】
一种均匀高应变的二维二硫化钼材料及其制备方法
本专利技术属于二维材料制备领域，更具体地，涉及一种均匀高应变的二维二硫化钼材料及其制备方法。
技术介绍
应变被广泛用来调节材料的物理化学性质，通常称为应变工程。应变工程催生了很多技术应用，其中以高迁移率的应变硅锗在现代晶体管中的应用以及应变三五族半导体在光电器件中的应用为代表。这些材料中的应变主要通过异质外延生长来实现，外延生长的材料与衬底间的晶格失配导致外延层产生应变。二维材料从其被发现以来，就被认为在应变工程方面具有特别的潜力。这主要归因于其原子级的厚度和超高的柔性，因此能承载超高的弹性应变。然而，传统的外延生长方法并不能沿用到二维材料，原因在于其表面无悬挂键，与衬底之间只存在微弱的范德华力相互作用，外延生长的二维材料通常都倾向于保持无应变的状态。与非层状材料的应变工程相似，在实际应用中通常要求应变材料能实现大规模制备，且应变均匀且大小可调节。采用柔性衬底弯折和纳米探针等机械方式，或者采用弯曲的衬底的方式并不能满足这些条件。这无疑限制了二维材料在应变工程方面的发展，其巨大的潜
【技术保护点】
1.一种均匀高应变的二维二硫化钼材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在600℃以上的反应温度下，以二维二碲化钼作为前驱体，使其与硫化氢之间进行可控的碲元素和硫元素替换，从而得到均匀高应变的二维二硫化钼，完成二维二硫化钼材料的制备。/n
【技术特征摘要】
1.一种均匀高应变的二维二硫化钼材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在600℃以上的反应温度下，以二维二碲化钼作为前驱体，使其与硫化氢之间进行可控的碲元素和硫元素替换，从而得到均匀高应变的二维二硫化钼，完成二维二硫化钼材料的制备。
2.如权利要求1所述的均匀高应变的二维二硫化钼材料的制备方法，其特征在于，通过改变反应温度调控二维二硫化钼的应变，且应变大小随着反应温度升高而减小。
3.如权利要求1所述的均匀高应变的二维二硫化钼材料的制备方法，其特征在于，反应温度为600℃～800℃，此时得到的二维二硫化钼的应变为10％到1.3％。
4.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘开朗，翟天佑，李会巧，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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