一种高频应用的低介电常数中空氧化铝材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于无机材料技术领域，具体涉及一种适宜于高频应用的低介电常数中空氧化铝材料，并进一步公开其制备方法与应用。本发明专利技术借助于硬模板法结合水热技术制备中空氧化铝微球，利用空气介电性能优异(介电常数为1)的特性，不仅有效改善了氧化铝材料的介电性能，同时有利于氧化铝在较低的煅烧温度下形成稳定的氧化铝中空微球，制得中空氧化铝材料在频率20‑70GHz时，氧化铝的介电常数仅为2.5‑4.5，Df在0.0001‑0.00008之间，相较于传统氧化铝材料而言介电常数大幅降低，其性能可适用于5G通讯消费电子芯片封装陶瓷基板及玻璃陶瓷共烧基板等应用领域的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种高频应用的低介电常数中空氧化铝材料及其制备方法
本专利技术属于无机材料
，具体涉及一种适宜于高频应用的低介电常数中空氧化铝材料，并进一步公开其制备方法与应用。
技术介绍
随着科技蓬勃快速地发展，已经步入了高速发展的IT时代。在高速发展的信息化领域，各种各样的电子产品、系统以及设备不断涌现。从工业生产的自动化控制系统，到居家生活的各种电器设备，都包含了大量的电子线路。随着21世纪电子工业迅速成长起来，对我们的生活、工作的影响更是逐步加深。各种传感器以及电子元器件的出现，在国防和国民经济的各个领域均发挥着无可替代的作用，在我们生活中也得到了非常广泛的应用。在当今IT和科技经济时代，电子产业已成为各个国家公认的重要经济增长点，不断推动全球经济蓬勃发展。传统的电路板材料中，氧化铝陶瓷因具有硬度大、耐磨性高、机械强度高，电阻率高、化学稳定性好，并具有良好的介电性能，以及对热冲击作用的良好抵抗性、与金属之间能形成密封的钎焊等优势，并且，无论是多晶型材料或是单晶型材料，其介质损耗(tgδ)均处于较广的频率范围内，其中包括在超高频情况下介电损本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适宜于高频应用的低介电常数中空氧化铝材料，其特征在于，所述中空氧化铝的介电性能具有如下性质：/n当频率在20-70GHz时，所述中空氧化铝材料的介电常数为2.5-4.5，Df为0.0001-0.0006。/n

【技术特征摘要】
1.一种适宜于高频应用的低介电常数中空氧化铝材料，其特征在于，所述中空氧化铝的介电性能具有如下性质：
当频率在20-70GHz时，所述中空氧化铝材料的介电常数为2.5-4.5，Df为0.0001-0.0006。


2.根据权利要求1所述适宜于高频应用的低介电常数中空氧化铝材料，其特征在于，所述中空氧化铝材料的粒径为50nm-10μm，空腔体积率1-70％，壁厚为20nm-500nm。


3.一种制备权利要求1或2所述适宜于高频应用的低介电常数中空氧化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)取铝盐溶于有机溶剂中，配制得到铝盐溶液，并加入炭球分散均匀；
(2)配制氨基沉淀剂溶液，并加入步骤(1)中得到的混合料液，充分混匀进行反应；
(3)将上述反应后的料液于100-200℃进行水热反应，收集反应产物洗涤并烘干；
(4)将处理后的反应产物于800-1000℃进行煅烧处理，除去所述炭球模板，即得所需空心氧化铝材料。


4.根据权利要求3所述适宜于高频应用的低介电常数中空氧化铝材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，还包括将所述炭球分散于所述氨基沉淀剂溶液中进行表面氨基化预处理的步骤。


5.根据权利要求3或4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋锡滨，王梦婕，王军，潘光军，
申请(专利权)人：山东国瓷功能材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37