一种TVS二极管的保护电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种TVS二极管的保护电路，包括控制芯片U1和负载单元，所述控制芯片U1连接负载单元，所述电路还包括保护单元、检测单元和控制单元，所述保护单元连接控制芯片U1和检测单元，所述检测单元连接控制单元，所述控制单元连接控制芯片U1；所述保护单元用于保护控制芯片U1和负载单元，所述检测单元用于检测保护单元的阻抗值，所述控制单元用于使能控制芯片U1和输出故障检修信号。本实用新型专利技术电路在负载电路短路、MOS管关断时，通过电容吸收电压尖峰，延缓能量泄放时间，避免TVS二极管因瞬间通过大能量而烧毁，解决了TVS二极管与电容失效，而造成其他线路失效的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种TVS二极管的保护电路
本技术涉及电源保护
，具体涉及一种TVS二极管的保护电路。
技术介绍
伴随着服务器供电技术的发展，服务器供电电压逐渐提升，供电电流也极大的提高了。随之而来的是对芯片的耐压等级的要求也越来越高。在芯片突然关断时，芯片前端的电流的能量会转换成极高的电压，这就可能超过芯片PIN脚的耐压值，导致芯片因电压过高而被打坏。因此，为了保护芯片一般会在芯片前端并联一个TVS二极管，在芯片前端电压过高时，TVS二极管瞬间导通将电流的能量泄放掉，避免芯片被打坏。如图1所示，TVS二极管D1和控制芯片U1并联。在线路负载R1发生短路故障时，控制芯片U1检测到故障迅速将MOS管Q1关断，MOS管Q1突然关断时，流入MOS管的电流突然被截断，由于电流不会突变，流入MOS管的电流转化成高电压加在TVS二极管D1两端，该高电压达到TVS二极管D1的导通电压时，TVS二极管D1迅速导通将该高压泄放至地上来避免高压打坏控制芯片U1与MOS管Q1。当MOS管的输入电流过大时，通过TVS二极管泄放至地面的瞬间能量有可能超过TVS二极管的耐受值，从而导致TVS二极管被烧毁，进而导致电源对地短路，整个系统供电中断；当TVS二极管承受多次冲击后存在TVS二极管失效的可能性或者由于品质因素导致失效，TVS二极管失效后，在系统正常上电时，就直接将电源对地短路，导致整个系统供电中断。
技术实现思路
本技术实施例中提供了一种TVS二极管的保护电路，以解决现有技术在控制芯片关断时，与芯片并联的TVS二极管因大电流被烧毁而导致其他线路失效的问题。本技术实施例公开了如下技术方案：本技术提供了一种TVS二极管的保护电路，包括控制芯片U1和负载单元，所述控制芯片U1连接负载单元，所述电路还包括保护单元、检测单元和控制单元，所述保护单元连接控制芯片U1和检测单元，所述检测单元连接控制单元，所述控制单元连接控制芯片U1；所述保护单元用于保护控制芯片U1和负载单元，所述检测单元用于检测保护单元的阻抗值和电压值，所述控制单元用于使能控制芯片U1和输出故障检修信号。进一步地，所述保护单元包括TVS二极管D1和电容C1,TVS二极管D1的负极连接U1的电源引脚和所述检测单元，TVS二极管D1的正极连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接地和检测单元。进一步地，所述检测单元包括电压检测模块和阻抗检测模块，所述电压检测模块的第一输入端连接TVS二极管D1的负极，所述电压检测模块的第二输入端连接TVS二极管D1的负极，所述电压检测模块的输出端连接所述控制单元，所述阻抗检测模块的第一输入端连接电容C1的一端，所述阻抗检测模块的第二输入端连接电容C1的另一端，所述阻抗检测模块的输出端连接所述控制单元。进一步地，所述控制单元包括BMC，BMC的第一检测引脚连接所述电压检测模块的输出端，BMC的第二检测引脚连接所述阻抗检测模块的输出端，BMC的控制引脚连接控制芯片U1的使能引脚。进一步地，所述负载单元包括开关管Q1和负载电阻R1，开关管Q1的控制端连接控制芯片U1的控制引脚，开关管Q1的输入引脚连接控制芯片U1的电源引脚，开关管Q1的输出引脚连接负载电阻R1的一端，电阻R1的另一端接地。进一步地，所述开关管Q1为PMOS管，PMOS管的G极为控制端，PMOS管的D极为输入端，PMOS管的S极为输出端。进一步地，所述TVS二极管D1的型号为SMDJ70A。
技术实现思路
中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是技术所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：本技术提供的TVS二极管保护电路，在TVS二极管D1与接地端串联一个电容C1，增加了TVS二极管电压检测与电容检测线路，并将检测结果送至BMC，由BMC根据检测阻抗值控制U1电源的开通与关断，在负载电路短路、MOS管关断时，通过电容吸收电压尖峰，延缓能量泄放时间，避免TVS二极管因瞬间通过大能量而烧毁；即使TVS二极管因烧毁而短路，也不至于因电源对地短路而对其他线路造成风险，在下次上电时会检测TVS二极管烧毁情况并报告给BMC。本技术电路解决了TVS二极管与电容失效，而造成其他线路失效的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术所述现有电路的结构框图；图2为本技术所述电路的结构框图；图3为本技术实施例所述电路原理图。具体实施方式为了能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本技术进行详细阐述。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本技术省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本技术。如图2所示，为本技术电路的结构框图，电路包括包括控制芯片U1(ADM1272)、负载单元、保护单元、检测单元和控制单元，控制芯片U1连接负载单元，保护单元连接控制芯片U1和检测单元，检测单元连接控制单元，控制单元连接控制芯片U1。保护单元用于保护控制芯片U1和负载单元，检测单元用于检测保护单元的阻抗值和电压值，控制单元用于使能控制芯片U1和输出故障检修信号。如图3所示，为本技术实施例电路原理图，保护单元包括TVS二极管D1(TVS，TransientVoltageSuppressor，瞬态抑制二极管)和电容C1,TVS二极管D1(SMDJ70A)的负极连接U1的电源引脚和检测单元，TVS二极管D1的正极连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接地和检测单元。检测单元包括电压检测模块和阻抗检测模块，电压检测模块的第一输入端连接TVS二极管D1的负极，电压检测模块的第二输入端连接TVS二极管D1的负极，电压检测模块的输出端连接控制单元，阻抗检测模块的第一输入端连接电容C1的一端，阻抗检测模块的第二输入端连接电容C1的另一端，阻抗检测模块的输出端连接控制单元。电压检测模块和阻抗检测模块借用现有电路，故此处不再赘述。控制单元包括BMC(BMC，BaseboardManagementController，基板管理控制器)，BMC的第一检测引脚连接电压检测模块的输出端，BMC的第二检测引脚连接阻抗检测模块的输出端，BMC的控制引脚连接控制芯片U1的使能引脚。负载单元包括开关管Q1和负载电阻R1，开关管Q1的控制端连接控制芯片U1的控制引脚，开关管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TVS二极管的保护电路，包括控制芯片U1和负载单元，所述控制芯片U1连接负载单元，其特征在于，所述电路还包括保护单元、检测单元和控制单元，所述保护单元连接控制芯片U1和检测单元，所述检测单元连接控制单元，所述控制单元连接控制芯片U1；/n所述保护单元用于保护控制芯片U1和负载单元，所述检测单元用于检测保护单元的阻抗值，所述控制单元用于使能控制芯片U1和输出故障检修信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种TVS二极管的保护电路，包括控制芯片U1和负载单元，所述控制芯片U1连接负载单元，其特征在于，所述电路还包括保护单元、检测单元和控制单元，所述保护单元连接控制芯片U1和检测单元，所述检测单元连接控制单元，所述控制单元连接控制芯片U1；
所述保护单元用于保护控制芯片U1和负载单元，所述检测单元用于检测保护单元的阻抗值，所述控制单元用于使能控制芯片U1和输出故障检修信号。


2.根据权利要求1所述的一种TVS二极管的保护电路，其特征在于，所述保护单元包括TVS二极管D1和电容C1,TVS二极管D1的负极连接U1的电源引脚和所述检测单元，TVS二极管D1的正极连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接地和检测单元。


3.根据权利要求1所述的一种TVS二极管的保护电路，其特征在于，所述检测单元包括电压检测模块和阻抗检测模块，所述电压检测模块的第一输入端连接TVS二极管D1的负极，所述电压检测模块的第二输入端连接TVS二极管D1的负极，所述电压检测模块的输出端连接所述控制单元，所述阻抗检测模块的第一输入端连接电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李颖超，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32