非对称结构超高频RFID标签制造技术

技术编号:25538911 阅读:84 留言:0更新日期:2020-09-04 17:29
非对称结构超高频RFID标签。本实用新型专利技术适用于RFID标签技术领域,尤其涉及一种非对称结构超高频RFID标签改进。提出一种非对称结构超高频RFID标签,RFID标签中设计标签破坏区,实现RFID标签在标签破坏区内撕毁仍具有识别性能。包括介质基板、设于所述介质基板的RFID天线和与所述RFID天线连接的RFID芯片,所述RFID天线包括阻抗匹配环、标签破坏区和天线辐射区,所述阻抗匹配环具有一开口,所述RFID芯片与所述阻抗匹配环的开口处的两端电连接,所述阻抗匹配环通过弯折线与所述标签破坏区电连接,所述标签破坏区还与所述天线辐射区电连接。本实用新型专利技术在标签破坏区撕毁标签,RFID标签仍可继续被识别,弥补了传统偶极子天线一次使用的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
非对称结构超高频RFID标签
本技术适用于RFID标签
,尤其涉及一种非对称结构超高频RFID标签改进。
技术介绍
射频识别,RFID(RadioFrequencyIdentification)技术是一种通信技术,通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据,而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。其中,超高频电子识别标签由于具有穿透性较强,抗恶劣环境,安全性、保密性强,可重复使用,数据的记忆容量大等优点而被广泛采用。目前市场商用超高频标签大多采用传统偶极子型结构,此结构下的射频标签大多为对称结构,射频标签使用频次为一次性的,一旦出现标签撕毁就可能不能被读取或者读取效率大幅度降低。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术提出一种非对称结构超高频RFID标签,RFID标签中设计标签破坏区,实现RFID标签在标签破坏区内撕毁仍具有识别性能。本技术的具体技术方案是:非对称结构超高频RFID标签,包括介质基板、设于所述介质基板的RFID天线和与所述RFID天线连接的RFID芯片,所述RFID天线包括阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.非对称结构超高频RFID标签,包括介质基板、设于所述介质基板的RFID天线和与所述RFID天线连接的RFID芯片,其特征在于,所述RFID天线包括阻抗匹配环、标签破坏区和天线辐射区,所述阻抗匹配环具有一开口,所述RFID芯片与所述阻抗匹配环的开口处的两端电连接,所述阻抗匹配环通过弯折线与所述标签破坏区电连接,所述标签破坏区还与所述天线辐射区电连接。/n

【技术特征摘要】
1.非对称结构超高频RFID标签,包括介质基板、设于所述介质基板的RFID天线和与所述RFID天线连接的RFID芯片,其特征在于,所述RFID天线包括阻抗匹配环、标签破坏区和天线辐射区,所述阻抗匹配环具有一开口,所述RFID芯片与所述阻抗匹配环的开口处的两端电连接,所述阻抗匹配环通过弯折线与所述标签破坏区电连接,所述标签破坏区还与所述天线辐射区电连接。


2.根据权利要求1所述的非对称结构超高频RFID标签,其特征在于,所述弯折线的折叠次数>2。


3.根据权利要求1所述的非对称结构超高频RFID标签,其特征在于,所述介质基板上对应所述标...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆振君林超祁海波袁森淼
申请(专利权)人:上扬无线射频科技扬州有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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