【技术实现步骤摘要】
一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法
:本专利技术属于一种新型芯片连接技术,具体的涉及一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法,可应用于各类元器件的表面贴装工艺。
技术介绍
:在微电子封装领域中,半导体芯片的发展趋势必定朝着小型化、高集成度、高功率密度的方向推进,并且对器件提出了更高更苛刻的要求,如:高温、大电流及恶劣环境下的高可靠性服役,这对于传统芯片互连带来了极大的挑战。此外,随着以SiC、GaN为代表的宽禁带、热导率高、击穿电压高、化学稳定型好等独特性能的第三代半导体材料的快速发展,尤其是他们在航空航天、电力电子、5G通讯基站、汽车电子等方面的大量应用,使得其备受研究者们的青睐。因此,对于第三代新型半导体器件在高温下(350℃)具有良好的服役条件提出了严峻的挑战,由此关于开发新型互连材料和封装工艺的研究显得尤为急迫和重要。目前,针对新型互连材料与工艺开发的难题,研究者们提出的主要解决方法是高温无铅钎料、瞬态液相连接、纳米颗粒烧结等。首先,高温无铅钎料存在众多劣势,如高脆性的Bi基钎料、高昂成本的Au基钎料以及高温稳定型差的Zn基钎料,它们都会造成芯片互连的失效,进而严重限制其广泛的应用。其次,现在主流的瞬态液相连接技术,其特点是由两种高熔点与低熔点物质在一定温度下生成高熔点全化合物接头,它可以降低器件的工艺温度,但获得全化合物接头的时间过长,且容易产生较高的热应力,进而使器件的可靠性大大降低。最后,随着纳米技术的快速发展,具有尺寸效应的金属纳米颗粒可以在低温下实现快速烧结,从而获得与块状 ...
【技术保护点】
1.一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法,其特征在于:连接材料主要包括:具有镀层的芯片-1、纳米焊料中间层-2和基板-3,其特征在于包括以下步骤:一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法,连接材料主要包括:具有镀层的芯片-1、纳米焊料中间层-2和基板-3,其特征在于包括以下步骤:/n(1)被连接材料进行表面处理:具有镀层的芯片-1和基板-3进行采用金属表面离子清洗,以去除氧化层和表面有机物,然后进行超声清洗,使其露出清洁的金属表面备用;/n(2)采用凹版印刷工艺将配置好的纳米焊膏均匀涂敷在基板-3的上表面,并将基板-3置于下层,将具有镀层的芯片-1置于上层,从而构成从上到下依次为具有镀层的芯片-1、纳米焊料中间层-2和基板-3的一种三明治结构,将此三明治结构置于夹具中;/n(3)用加热装置对下基板-3进行加热,通过热传导使纳米焊料中间层-2达到预定连接温度后保温一段时间,目的是除去焊膏中水蒸气及有机溶剂;/n(4)将三明治结构持续加热至一定温度,记录此过程的升温速率,并预先设置好需要的超声参数,待温度稳定后施加超声;/n(5)采用高频低压的超声振动作用于具有镀层的芯片- ...
【技术特征摘要】
1.一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法,其特征在于:连接材料主要包括:具有镀层的芯片-1、纳米焊料中间层-2和基板-3,其特征在于包括以下步骤:一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法,连接材料主要包括:具有镀层的芯片-1、纳米焊料中间层-2和基板-3,其特征在于包括以下步骤:
(1)被连接材料进行表面处理:具有镀层的芯片-1和基板-3进行采用金属表面离子清洗,以去除氧化层和表面有机物,然后进行超声清洗,使其露出清洁的金属表面备用;
(2)采用凹版印刷工艺将配置好的纳米焊膏均匀涂敷在基板-3的上表面,并将基板-3置于下层,将具有镀层的芯片-1置于上层,从而构成从上到下依次为具有镀层的芯片-1、纳米焊料中间层-2和基板-3的一种三明治结构,将此三明治结构置于夹具中;
(3)用加热装置对下基板-3进行加热,通过热传导使纳米焊料中间层-2达到预定连接温度后保温一段时间,目的是除去焊膏中水蒸气及有机溶剂;
(4)将三明治结构持续加热至一定温度,记录此过程的升温速率,并预先设置好需要的超声参数,待温度稳定后施加超声;
(5)采用高频低压的超声振动作用于具有镀层的芯片-1上进行辅助烧结;
(6)超声振动结束后,将超声振动压头抬起并停止对具有镀层的芯片-1施压以及停止加热,使连接接头部位冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,具有镀层的芯片-1背面镀层为Ni/Ag、Ni/Au,所述背面镀层朝下,与纳米焊料中间层-2接触,所述芯片包括Si、SiC、GaN等宽带隙半导体芯片,所述的基板-3形状为片状、板状或块状,其材料为高纯的金属基板或引线框架,金属基板包括工业生产的铜基板、铜引线框架和其他金属基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的表面离子清洗工艺采用离子源为氧、氮、氩等离子,射频功率为50-500W,射频时间为10-200s,腔体压强为-10--100Pa,...
【专利技术属性】
技术研发人员:计红军,张文武,修子进,马秋晨,曹依琛,潘浩,张琳,李明雨,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学深圳哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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