【技术实现步骤摘要】
电子设备和用于静噪检测的系统
本申请涉及一种静噪检测设备,并且特别地涉及一种容许过程变化(processvariation)低供电功率和高输入共模变化的静噪检测设备。
技术介绍
静噪检测器在没有足够强的所需输入信号的情况下抑制设备(诸如接收器)的输出。静噪检测器可以被实施为在有效信号与噪声之间进行区分的振幅包络检测器。在低功率系统中(例如,具有大约0.9伏特至1.1伏特(V)的供电电压),过程变化和大输入共模范围变得越来越显著,因此,常规的静噪检测器越来越难以在有效信号与噪声之间进行区分,而且在局部过程和全局过程不匹配的情况下,实现静噪的功能也变得充满挑战。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,例如在低功率系统中实现静噪检测功能,本公开提出了一种电子设备和用于静噪检测的系统。在第一方面,提供了一种电子设备,该电子设备包括:第一寄存器除法运算放大器,被配置成:接收第一输入信号和第二输入信号,确定所述第一输入信号和所述第二输入信号的第一共模,将所述第一共模与第一阈值电压和第二阈值电压的第二共模进行平均以产 ...
【技术保护点】
1.一种电子设备,其特征在于,包括:/n第一寄存器除法运算放大器,被配置成:接收第一输入信号和第二输入信号,确定所述第一输入信号和所述第二输入信号的第一共模,将所述第一共模与第一阈值电压和第二阈值电压的第二共模进行平均以产生平均共模,并且将所述第一输入信号和所述第二输入信号的所述第一共模设置为所述平均共模;/n第二寄存器除法运算放大器,被配置成:接收所述第一阈值电压和所述第二阈值电压,并且将所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的所述第二共模设置为所述平均共模;以及/n多个放大器,被配置成:接收所述第一输入信号和所述第二输入信号以及所述第一阈值电压和所述第二阈值电压,并且输出静 ...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190222 US 62/809,368;20200117 US 16/746,5181.一种电子设备,其特征在于,包括:
第一寄存器除法运算放大器,被配置成:接收第一输入信号和第二输入信号,确定所述第一输入信号和所述第二输入信号的第一共模,将所述第一共模与第一阈值电压和第二阈值电压的第二共模进行平均以产生平均共模,并且将所述第一输入信号和所述第二输入信号的所述第一共模设置为所述平均共模;
第二寄存器除法运算放大器,被配置成:接收所述第一阈值电压和所述第二阈值电压,并且将所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的所述第二共模设置为所述平均共模;以及
多个放大器,被配置成:接收所述第一输入信号和所述第二输入信号以及所述第一阈值电压和所述第二阈值电压,并且输出静噪信号,所述静噪信号指示所述第一输入信号和所述第二输入信号是否可归因于噪声。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述多个放大器被配置成:
将所述第一输入信号与所述第一阈值电压进行比较;
将所述第二输入信号与所述第二阈值电压进行比较;并且
当所述第一输入信号超过所述第一阈值电压并且所述第二输入信号低于所述第二阈值电压时,将所述静噪信号设置为第一状态。
3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述多个放大器被配置成:
当所述第一输入信号不超过所述第一阈值电压并且所述第二输入信号超过所述第二阈值电压时,将所述静噪信号设置为第二状态。
4.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一寄存器除法运算放大器被配置成:通过将所述第一输入信号的电压电平增加或减小所述平均共模与所述第一共模之间的差,并且将所述第二输入信号的电压电平增加或减小所述平均共模与所述第一共模之间的所述差,来将所述第一输入信号和所述第二输入信号的所述第一共模设置为所述平均共模。
5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二寄存器除法运算放大器被配置成:通过将所述第一阈值电压的电压电平增加或减小所述平均共模与所述第二共模之间的差,并且将所述第二阈值电压的电压电平增加或减小所述平均共模与所述第二共模之间的所述差,来将所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的所述第二共模设置为所述平均共模。
6.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一寄存器除法运算放大器包括:
偏置晶体管,具有耦合到电压源节点的源极、用于接收偏置电压的栅极、以及漏极;
第一输入晶体管,具有用于接收所述第一输入信号的栅极、耦合到所述偏置晶体管的所述漏极的源极、以及用于输出所述第一输入信号的漏极,所述第一输入信号具有被设置为所述平均共模的所述第一共模;
第二输入晶体管,具有用于接收所述第二输入信号的栅极、耦合到所述偏置晶体管的所述漏极的源极、以及用于输出所述第二输入信号的漏极,所述第二输入信号具有被设置为所述平均共模的所述第一共模;
第一寄存器,耦合在所述第一输入晶体管的所述漏极与平均共模电压节点之间;
第二寄存器,耦合在所述第二输入晶体管的所述漏极与所述平均共模电压节点之间;
第一负载晶体管,具有耦合到所述第一输入晶体管的所述漏极的漏极、耦合到基准电压节点的源极、以及耦合到所述平均共模电压节点的栅极;以及
第二负载晶体管,具有耦合到所述第二输入晶体管的所述漏极的漏极、耦合到所述基准电压节点的源极、以及耦合到所述平均共模电压节点的栅极。
7.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二寄存器除法运算放大器包括:
偏置晶体管,具有耦合到电压源节点的源极、用于接收偏置电压的栅极以及漏极;
第一输入晶体管,具有用于接收所述第一阈值电压的栅极、耦合到所述偏置晶体管的所述漏极的源极、以及用于输出所述第一阈值电压的漏极,所述第一阈值电压具有被设置为所述平均共模的所述第二共模;
第二输入晶体管,具有用于接收所述第二阈值电压的栅极、耦合到所述偏置晶体管的所述漏极的源极、以及用于输出所述第二阈值电压的漏极,所述第二阈值电压具有被设置为所述平均共模的所述第二共模;
第一寄存器,耦合在所述第一输入晶体管的所述漏极与平均共模电压节点之间;
第二寄存器,耦合在所述第二输入晶体管的所述漏极与所述平均共模电压节点之间;
第一负载晶体管,具有耦合到所述第一输入晶体管的所述漏极的漏极、耦合到基准电压节点的源极、以及耦合到所述平均共模电压节点的栅极;以及
第二负载晶体管,具有耦合到所述第二输入晶体管的所述漏极的漏极、耦合到所述基准电压节点的源极、以及耦合到所述平均共模电压节点的栅极。
技术研发人员:P·辛格,
申请(专利权)人:意法半导体国际有限公司,
类型:新型
国别省市:瑞士;CH
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