【技术实现步骤摘要】
驱动电路及电力电子设备
本专利技术涉及变频器驱动
,更具体地说,涉及一种驱动电路及电力电子设备。
技术介绍
对于使用二极管不可控整流的电压型变频器,直流母线需使用电解电容进行储能滤波,由于电解电容具有电压不能突变的特性,整机上电瞬间的输入冲击电流会很大,这个大冲击电流会对整流桥和母线电容产生不利影响,因而需要对这个电流进行限制。在现有的变频器中,一般是通过增加缓冲电路(即软启动电路)来实现这一功能,上述缓冲电路既可串联连接在正直流母线上,如图1所示,也可以串联连接在负直流母线上,如图2所示。缓冲电路一般使用缓冲开关T和缓冲电阻D并联的电路形式,而其中的缓冲开关一般使用继电器、接触器、可控硅等器件类型。当选用可控硅作为母线上的缓冲开关时,需要增加用于驱动该母线可控硅的驱动电路。由于可控硅是电流型驱动器件,其驱动电路相对于继电器驱动电路要复杂一些,另外由于上电瞬间电网电压峰值会全部加在母线可控硅上,同时这个电压也会加在可控硅的驱动电路上,所以应用在这种场合的母线可控硅驱动电路必须也能承受整机上电瞬间的高压。这使得上 ...
【技术保护点】
1.一种驱动电路,应用于电力电子设备,所述电力电子设备包括串接在直流母线上,用于对整机上电瞬间的电流进行缓冲的缓冲电路,所述缓冲电路由缓冲开关和缓冲电阻并联组成,所述缓冲开关包括与所述缓冲电阻并联的母线可控硅,所述驱动电路用于驱动所述母线可控硅,其特征在于,所述驱动电路包括隔离单元及高压开关单元,其中:/n所述隔离单元的输入端连接至电力电子设备的控制单元的输出端,所述隔离单元的输出端连接至所述高压开关单元的控制端,所述高压开关单元的输入端连接至母线可控硅的阳极,所述高压开关单元的输出端与所述母线可控硅的门级共接后连接至参考地;/n所述电力电子设备上电瞬间,所述高压开关单元保 ...
【技术特征摘要】
1.一种驱动电路,应用于电力电子设备,所述电力电子设备包括串接在直流母线上,用于对整机上电瞬间的电流进行缓冲的缓冲电路,所述缓冲电路由缓冲开关和缓冲电阻并联组成,所述缓冲开关包括与所述缓冲电阻并联的母线可控硅,所述驱动电路用于驱动所述母线可控硅,其特征在于,所述驱动电路包括隔离单元及高压开关单元,其中:
所述隔离单元的输入端连接至电力电子设备的控制单元的输出端,所述隔离单元的输出端连接至所述高压开关单元的控制端,所述高压开关单元的输入端连接至母线可控硅的阳极,所述高压开关单元的输出端与所述母线可控硅的门级共接后连接至参考地;
所述电力电子设备上电瞬间,所述高压开关单元保持关断状态,此时所述母线可控硅处于关断状态,上电瞬间的输入电压峰值同步加在所述高压开关单元的输入端和输出端之间,所述电力电子设备通过所述缓冲电阻对母线电容充电;
当所述电力电子设备的母线电压上升到预设值时,由所述隔离单元根据所述控制单元输入的可控硅控制信号控制所述高压开关单元导通,使所述高压开关单元向所述母线可控硅的门极输出触发电流,控制所述母线可控硅导通,进而使得所述电力电子设备完成上电缓冲。
2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述高压开关单元包括限流电阻和单向可控硅,且所述单向可控硅的阳极经由所述限流电阻后构成所述高压开关单元的输入端,并连接至所述母线可控硅的阳极;所述单向可控硅的阴极构成所述高压开关单元的输出端,并与所述母线可控硅的门级共接后连接至参考地;所述单向可控硅的门级构成所述高压开关单元的控制端,并连接至所述隔离单元的输出端。
3.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,当所述电力电子设备的供电电源为电压等级为380V-480V的三相交流电时,所述单向可控硅的耐压等级大于1200...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾金芳,
申请(专利权)人:深圳市汇川技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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