【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物、相位差膜及相位差膜的制造方法
本专利技术涉及组合物、相位差膜及相位差膜的制造方法。
技术介绍
为了制造相位差膜，开发了配合有聚合性液晶化合物和光聚合引发剂的组合物(专利文献1～4)。例如，将该组合物涂敷在基材膜上，形成组合物层，对组合物照射规定的光，由此使聚合性液晶化合物固化，制造相位差膜。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2014/065243号(对应公报：美国专利申请公开第2015/0277010号说明书)；专利文献2：国际公开第2014/069515号(对应公报：美国专利申请公开第2015/0285979号说明书)；专利文献3：日本特开2009-098664号公报；专利文献4：日本特开2017-027056号公报(对应公报：美国专利申请公开第2017/0022418号说明书)。
技术实现思路
专利技术要解决的问题相位差膜有时会被设置在例如图像显示装置等中，在例如汽车车厢内等高温的场所使用。因此，相位差膜优选为即使暴露在高...
【技术保护点】
1.一种组合物，其包含聚合性液晶化合物A、光聚合引发剂B及交联剂C，/n所述组合物满足下述式(i)和(ii)，/n|λ
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180131 JP 2018-0150401.一种组合物，其包含聚合性液晶化合物A、光聚合引发剂B及交联剂C，
所述组合物满足下述式(i)和(ii)，
|λa1-λb1|≤20nm(i)
λc1≤250nm(ii)
在所述式(i)和(ii)中，
λa1表示在所述聚合性液晶化合物A的200nm以上且500nm以下的吸收光谱中最长波长处的最大吸收波长，
λb1表示在所述光聚合引发剂B的200nm以上且500nm以下的吸收光谱中最长波长处的最大吸收波长，
λc1表示所述交联剂C的200nm以上且500nm以下的吸收光谱中的至少一个最大吸收波长。
2.根据权利要求1所述的组合物，其进一步满足下述式(iii)和(iv)，
300nm≤λa1≤355nm(iii)
5000cm2/mol≤Aa≤25000cm2/mol(iv)
在所述式(iii)和(iv)中，
λa1与上述具有相同的意思，
Aa表示所述聚合性液晶化合物A的300nm以上且355nm以下的平均摩尔吸光系数。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其进一步满足下述式(v)和(vi)，
300nm≤λb1≤355nm(v)
10000cm2/mol≤Ab≤25000cm2/mol(vi)
在所述式(v)和(vi)中，
λb1与上述具有相同的意思，
Ab表示所述光聚合引发剂B的300nm以上且355nm以下的平均摩尔吸光系数。
4.根据权利要求1～3中任1项所述的组合物，其进一步满足下述式(vii)，
Ac<Aa且Ac<Ab(vii)
在所述式(vii)中，
Aa表示所述聚合性液晶化合物A的300nm以上且355nm以下的平均摩尔吸光系数(cm2/mol)，
Ab表示所述光聚合引发剂B的300nm以上且355nm以下的平均摩尔吸光系数(cm2/mol)，
Ac表示所述交联剂C的300nm以上且355nm以下的平均摩尔吸光系数(cm2/mol)。
5.根据权利要求1～4中任1项所述的组合物，其中，所述聚合性液晶化合物A为下述式(I)所表示的化合物，
在所述式(I)中，
Ar表示下述式(II-1)～式(II-7)中任一者所表示的基团，
在所述式(II-1)～式(II-7)中，
＊表示与Z1或Z2结合的位置，
E1和E2各自独立地表示选自-CR11R12-、-S-、-NR11-、-CO-及-O-中的基团，
R11和R12各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基，
D1～D3各自独立地表示能够具有取代基的芳香族烃环基或能够具有取代基的芳香族杂环基，
D4～D5各自独立地表示能够具有取代基的非环状基团，D4和D5能够一起形成环，
D6表示选自-C(Rf)＝N-N(Rg)Rh、-C(Rf)＝N-N＝C(Rg)Rh及-C(Rf)＝N-N＝Ri中的基团，Rf表示选自氢原子和碳原子数为1～6的烷基中的基团，Rg表示选自氢原子和能够具有取代基的碳原子数为1～30的有机基团中的基团，Rh表示具有选自碳原子数为6～30的芳香族烃环和碳原子数为2～30的芳香族杂环中的1种以上芳香环的有机基团，Ri表示具有选自碳原子数为6～30的芳香族烃环和碳原子数为2～30的芳香族杂环中的1种以上芳香环的有机基团，
Z1和Z2各自独立地表示选自单键、-O-、-O-CH2-、-CH2-O-、-...
【专利技术属性】
技术研发人员：中野航，幸本壮悟，伊藤学，井伊泰规，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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