【技术实现步骤摘要】
一种无氧高纯砷粉的制备方法
本专利技术属于砷材料领域,涉及一种无氧高纯砷粉的制备方法。
技术介绍
硒化砷(H16As2Se3)、砷化钴(AsCoH2)、砷化镉(As2Cd3H2)等砷的化合物广泛应用于红外光学、半导体、薄膜材料领域。这些砷的化合物一般通过绿色的粉末合成法进行合成,其中硒化砷通过砷粉和硒粉直接化合是目前较优的合成方法,但所使用的砷粉必须纯度较高、粒径要小(≤200目)。常规的制粉方法由于设备材料的限制,砷会与研磨材料相互作用,导致制得的砷粉不能满足高纯度要求。同时高纯砷在破碎成粉的时候活性极强,在与氧接触的时候会剧烈反应导致燃烧,从而破坏产品。
技术实现思路
为解决上述现有技术中存在的缺点和不足,本专利技术的目的在于提供一种无氧高纯砷粉的制备方法。本专利技术提供了一种无氧高纯砷粉的制备方法,其包括以下步骤:在保护气保护下,以氧化锆球作为研磨体,对砷块进行球磨,即得所述无氧高纯砷粉。上述制备方法利用砷粉的不易结团性,采用球磨将砷块制成砷粉,且制得的砷粉无需经过筛分,粒径 ...
【技术保护点】
1.一种无氧高纯砷粉的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:在保护气保护下,以氧化锆球作为研磨体,对砷块进行球磨,即得所述无氧高纯砷粉。/n
【技术特征摘要】
1.一种无氧高纯砷粉的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:在保护气保护下,以氧化锆球作为研磨体,对砷块进行球磨,即得所述无氧高纯砷粉。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述砷块的粒径≤5mm。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氧化锆球的直径为5-15mm,所述砷块和所述氧化锆球的质量比为0.5~2:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用球磨机进行所述球磨,所述球磨机的转速为40-80r/min。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述球磨的时间为0....
【专利技术属性】
技术研发人员:曾小东,刘留,
申请(专利权)人:广东先导先进材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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