【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】药液及药液的制造方法
本专利技术涉及一种药液及药液的制造方法。
技术介绍
通过包含光刻的配线形成工序制造半导体器件时,可使用含有水和/或有机溶剂的药液来作为预湿液、抗蚀剂液(抗蚀剂组合物)、显影液、冲洗液、剥离液、化学机械性抛光(CMP:ChemicalMechanicalPolishing)浆料及CMP之后的清洗液等或它们的稀释液。近年来,图案的微细化随着光刻技术的进步而不断发展。作为图案的微细化的方法,可使用将曝光光源进行短波长化的方法,已尝试使用作为进一步短波长的EUV(极紫外线)等来代替以往所使用的紫外线、KrF准分子激光及ArF准分子激光等来作为曝光光源而形成图案。关于利用上述EUV等进行的图案形成,作为抗蚀剂图案的宽度,将10~15nm作为目标来进行开发,对于该步骤中所使用的上述药液要求更加优异的缺陷抑制性能。作为以往用于形成抗蚀剂图案的药液的制造方法,在专利文献1中记载有“一种抗蚀剂组合物的制造方法,其用于半导体装置制造工序中,该方法的特征在于,利用清洗液清洗抗蚀剂组合物的制造装置,从制 ...
【技术保护点】
1.一种药液,其含有:/n有机溶剂;及/n含有金属原子的含金属粒子,/n所述含金属粒子中粒径为0.5nm~17nm的金属纳米粒子在药液的每单位体积中的含有粒子数为1.0×10
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180112 JP 2018-0035051.一种药液,其含有:
有机溶剂;及
含有金属原子的含金属粒子,
所述含金属粒子中粒径为0.5nm~17nm的金属纳米粒子在药液的每单位体积中的含有粒子数为1.0×101个/cm3~1.0×109个/cm3。
2.根据权利要求1所述的药液,其中,
所述含金属粒子的个数基准的粒径分布在选自由粒径小于5nm的范围及粒径超过17nm的范围组成的组中的至少一个范围内具有极大值。
3.根据权利要求2所述的药液,其中,
所述粒径分布在粒径为0.5nm以上且小于5nm的范围内具有极大值。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的药液,其用于制造半导体器件。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的药液,其中,
所述金属纳米粒子包含选自由下述粒子组成的组中的至少一种,
含有所述金属原子的单质的粒子A、
含有所述金属原子的氧化物的粒子B、以及
含有所述金属原子的单质及所述金属原子的氧化物的粒子C。
6.根据权利要求5所述的药液,其中,
所述药液的每单位体积的、所述粒子A的含有粒子数相对于所述粒子B的含有粒子数和所述粒子C的含有粒子数的总计的含有粒子数之比小于1.0。
7.根据权利要求5或6所述的药液,其中,
所述含有粒子数之比为1.0×10-1以下。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的药液,其还含有沸点为300℃以上的有机化合物。
9.根据权利要求8所述的药液,其中,
所述金属纳米粒子的至少一部分...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。