【技术实现步骤摘要】
屏幕发声单元及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种屏幕发声单元及其制造方法、显示装置。
技术介绍
显示器件的超薄、窄边框、甚至全屏设计,留给发声装置的空间越来越小。而传统的发声装置体积较大,安装位置受到限制,在新一代的显示器件中很难有合适的位置和空间。因此,需要重新设计能够适应当前显示器件的需求的发声装置。目前,出现了在OLED(OrganicLight-EmittingDiode有机发光二极管)显示器中,利用整个屏幕作为振膜,来实现发声的显示装置。此种设计中,显示装置直接发声实现声、画同步,可以有效地利用空间、节约资源,与大尺寸屏幕结合时,更可提高发声功率和实现不同的声场效果。在相关技术中,屏幕发声单元通常是在屏幕后贴激励器,激励器驱动屏幕振动,而带动整个屏幕振动,从而推动屏幕发声。为了实现屏幕分区域发声,需要控制不同区域内的激励器单独工作。目前所采用的方法是,音频控制电路输出端子数量设计足够多,每个端子控制一个区域内激励器的音频输入,对于对大尺寸屏幕来说,实现分区域发声时音频音频控制电路设计复杂,尺寸庞大。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种屏幕发声单元及其制造方法、显示装置,能够实现分区域发声,且结构紧凑,实现更为集成化、小型化设计。本公开实施例所提供的技术方案如下:一方面,本公开实施例提供一种屏幕发声单元,包括:用于振动发声的显示面板,所述显示面板包括显示面和与所述显示面相背的非显示面;驱动所述显示面板振动的多个激励器,所 ...
【技术保护点】
1.一种屏幕发声单元,其特征在于,包括:/n用于振动发声的显示面板,所述显示面板包括显示面和与所述显示面相背的非显示面;/n驱动所述显示面板振动的多个激励器,所述激励器设置在所述显示面板的非显示面一侧,所述激励器包括磁体和音圈,每一所述激励器中,所述磁体被配置为磁性相反的磁体之间产生磁场力,驱动该激励器中的所述音圈在垂直于所述显示面板的方向上发生振动;/n及,用于向所述激励器的音圈施加音频信号的驱动单元,所述驱动单元包括布设有音频控制线的布线层及与所述布线层连接的音频控制电路;/n其中,所述布线层集成于所述显示面板的非显示面上;/n所述屏幕发声单元包括多个发声区域,每一所述发声区域内设置至少一个激励器,且每一所述发声区域内的激励器与该发声区域内的音频控制线对应连接,以使不同所述发声区域的激励器分别单独施加音频信号。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种屏幕发声单元,其特征在于,包括:
用于振动发声的显示面板,所述显示面板包括显示面和与所述显示面相背的非显示面;
驱动所述显示面板振动的多个激励器,所述激励器设置在所述显示面板的非显示面一侧,所述激励器包括磁体和音圈,每一所述激励器中,所述磁体被配置为磁性相反的磁体之间产生磁场力,驱动该激励器中的所述音圈在垂直于所述显示面板的方向上发生振动;
及,用于向所述激励器的音圈施加音频信号的驱动单元,所述驱动单元包括布设有音频控制线的布线层及与所述布线层连接的音频控制电路;
其中,所述布线层集成于所述显示面板的非显示面上;
所述屏幕发声单元包括多个发声区域,每一所述发声区域内设置至少一个激励器,且每一所述发声区域内的激励器与该发声区域内的音频控制线对应连接,以使不同所述发声区域的激励器分别单独施加音频信号。
2.根据权利要求1所述的屏幕发声单元,其特征在于,
每一所述发声区域的音频控制线包括:
用于输入音频信号的栅线;
用于输入正电平信号的正电平信号线;
用于输入负电平信号的负电平信号线;
及,第一薄膜晶体管开关和第二薄膜晶体管开关;
其中,所述第一薄膜晶体管开关和所述第二薄膜晶体管开关的栅极均与所述栅线连接;
所述第一薄膜晶体管开关的漏极连接所述正电平信号线,
所述第二薄膜晶体管开关的漏极连接至所述负电平信号线,
所述第一薄膜晶体管开关的源极和第二薄膜晶体管开关的源极均连接至该发声区域内的音圈的正电极,所述音圈的另一电极接地。
3.根据权利要求2所述的屏幕发声单元,其特征在于,
所述音频控制电路包括第一音频控制电路和第二音频控制电路;
所述正电平信号线和所述负电平信号线平行设置,不同所述发声区域内的所述正电平信号线和所述负电平信号线均连接至所述第一音频控制电路;
所述栅线与所述正电平信号线交叉设置,不同所述发声区域内的所述栅线均连接至所述第二音频控制电路,且当多个所述发声区域呈阵列分布时,同一行所述发声区域内的栅线为同一根走线。
4.根据权利要求1所述的屏幕发声单元,其特征在于,
每一所述发声区域的音频控制线包括:用于输入音频信号的引线,每一所述发声区域内的音圈通过该发声区域内对应的所述引线连接至所述音频控制电路。
5.根据权利要求1所述的屏幕发声单元,其特征在于,
相邻所述发声区域之间设置有屏蔽挡墙。
6.根据权利要求1所述的屏幕发声单元,其特征在于,
每一所述激励器中,磁性相反的磁体之间具有磁间隙;
技术研发人员:姬雅倩,刘英明,韩艳玲,李秀锋,韩文超,张良浩,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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