一种脱扣电路、方法、控制电路及其漏电检测系统技术方案

本发明专利技术提供一种脱扣电路、方法、控制电路及其漏电检测系统。所述脱扣电路还包括偏置电压单元、耦合单元、第一开关单元和第二开关单元；所述偏置电压单元在第二开关单元关断时将所述偏置电压单元两端的电压拉到接近相等；所述耦合单元第二开关单元开启时，耦合产生使第一开关单元关断的电压；所述第一开关单元：受第一控制信号控制，触发时为所述脱扣线圈提供直流通路；所述第二开关单元：受第二控制信号控制，导通时通过所述耦合单元关断第一开关单元。本发明专利技术具有以下优点：应用交错控制波形，触发过程中可将可控硅关断，并在多个触发波形后若机构仍然无法脱扣将停止机构触发，从而防止设备炸机而出现更大损失。

【技术实现步骤摘要】
一种脱扣电路、方法、控制电路及其漏电检测系统
本专利技术涉及电子领域，具体涉及脱扣电路、方法、控制电路及其漏电检测系统。
技术介绍
漏电保护系统，主要是用来在电路设备发生漏电故障时以及对有致命危险的人身触电保护，具有过载和短路保护功能，可用来保护线路过载和短路。当前针对漏电保护系统，尤其是针对整流或者直流输入的漏电保护系统，由于采用可控硅作为脱扣驱动核心器件，在发生漏电后，可控硅被触发后，即使停止触发，因为可控硅没有被有效的关断，可控硅也将一直导通，如果出现机构故障(如：黏连、生锈、杂质阻塞等)，将出现脱扣线圈烧毁或可控硅炸毁。为了解决这个问题，现有的方案是采用高压NMOS器件、IGBT器件或SiC器件作为脱扣驱动功率器件，并配合数字方波控制来解决，但是这种方案成本较高，同时在长期工作后，高压NMOS或IGBT或SiC等器件会出现较强的米勒效应而出现无法关断而造成设备炸毁问题。
技术实现思路
为解决上述问题：根据本专利技术的第一方面，本专利技术提出了一种脱扣电路。具体技术解决方案如下：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脱扣电路，包括脱扣线圈，其特征在于：/n所述脱扣电路还包括偏置电压单元、耦合单元、第一开关单元和第二开关单元；/n所述偏置电压单元在第二开关单元关断时，将所述偏置电压单元两端的电压拉到接近相等；/n所述耦合单元在第二开关单元开启时，耦合产生使第一开关单元关断的电压；/n所述第一开关单元：受第一控制信号控制，触发时为所述脱扣线圈提供直流通路；/n所述第二开关单元：受第二控制信号控制，导通时通过所述耦合单元关断第一开关单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种脱扣电路，包括脱扣线圈，其特征在于：
所述脱扣电路还包括偏置电压单元、耦合单元、第一开关单元和第二开关单元；
所述偏置电压单元在第二开关单元关断时，将所述偏置电压单元两端的电压拉到接近相等；
所述耦合单元在第二开关单元开启时，耦合产生使第一开关单元关断的电压；
所述第一开关单元：受第一控制信号控制，触发时为所述脱扣线圈提供直流通路；
所述第二开关单元：受第二控制信号控制，导通时通过所述耦合单元关断第一开关单元。


2.如权利要求1所述的脱扣电路，其特征在于：
所述脱扣线圈的一端连接第一电压信号、另一端连接第三电压信号；
所述偏置电压单元的一端连接第一电压信号、另一端连接第四电压信号：
所述第一开关单元的一端连接第三电压信号、另一端连接第二电压信号；
所述第二开关单元的一端连接第四电压信号、另一端连接第二电压信号；
第一电压信号的电压大于第二电压信号的电压。


3.如权利要求1所述的脱扣电路，其特征在于：
所述第一开关单元为可触发闩锁器件。


4.如权利要求3所述的脱扣电路，其特征在于：
所述可触发闩锁器件为可控硅或晶阀管。


5.如权利要求3所述的脱扣电路，其特征在于：
所述可触发闩锁器件为单个器件或级联器件。


6.一种脱扣电路控制方法，其特征在于：
包括第一控制信号和第二控制信号；
第一控制信号控制第一开关单元；
在第一控制信号周期内，第一控制信号依次输出第一控制电平和第二控制电平；
第一控制电平用于触发第一开关单元；
第二控制电平用于停止触发第一开关单元；
第一控制电平与第二控制电平为相反的电平信号；
第二控制信号控制第二开关单元；
在第二控制信号周期内，第二控制信号依次输出第三控制电平和第四控制电平；
第三控制电平用于导通第二开关单元；
第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：张启东，
申请(专利权)人：西安国矽微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61