一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法技术

本发明专利技术提供一种芯区压缩型光纤马赫‑曾德干涉器的制备方法，包括步骤如下：步骤A：部分去除单模光纤或少模光纤一侧的包层，得到一个平行于纤芯中轴线的平面；步骤B：在步骤A所得到的平面上继续刻蚀形成两条沟槽；两沟槽内侧壁的间距小于光纤基模尺寸。该方案可以大幅缩短干涉器的尺寸，并可用于紧凑化的高性能光纤传感器制备。

【技术实现步骤摘要】
一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法
本专利技术属于光纤器件领域，特别涉及到一种光纤马赫-曾德干涉器的制备方法。另外，还提供一种新型光纤干涉型折射率传感器的制备方法。
技术介绍
光纤马赫-曾德干涉器是一种基础光纤器件，它是利用两路或多路信号间的光程差，形成干涉谱，从而起到信号调制的作用，在光纤通讯、激光、传感等领域具有重要的应用。目前，光纤马赫-曾德干涉器的制备，一般是通过拉锥、错芯熔接等方式激发包层模，利用基模和包层模之间的光程差形成干涉效应；或者通过单芯光纤与多芯光纤的熔接，利用多芯光纤的不同通路形成所需的干涉效应。一般来说，由于不同光路之间的有效折射率相差较小，所需的干涉作用区域较长(通常大于数毫米)，这不利于光纤干涉器件的进一步集成化，以及高灵敏度微型光纤传感器的开发。
技术实现思路
为克服上述不足，本专利技术提供一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，并提供一种基于该原理的光纤干涉型折射率传感器的制备方法。本申请采用的技术方案是：一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法：步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：/n步骤A：部分去除单模光纤或少模光纤一侧的包层，得到一个平行于纤芯中轴线的平面；/n步骤B：在步骤A所得到的平面上继续刻蚀形成两条沟槽；两沟槽内侧壁的间距小于光纤基模尺寸。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：
步骤A：部分去除单模光纤或少模光纤一侧的包层，得到一个平行于纤芯中轴线的平面；
步骤B：在步骤A所得到的平面上继续刻蚀形成两条沟槽；两沟槽内侧壁的间距小于光纤基模尺寸。


2.一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤A：部分去除单模光纤或少模光纤双侧的包层，形成两个相对的平面；
步骤B：在步骤A形成的两...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚一村，陈南光，王宗良，田振，张丽强，任世杰，纪红柱，
申请(专利权)人：聊城大学，
类型：发明
国别省市：山东;37