一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源制造技术

技术编号:25369310 阅读:51 留言:0更新日期:2020-08-21 17:36
本实用新型专利技术提供一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,包括:包括:AC转DC电源模块、前置MCU、信号隔离模块和后置MCU,其中,AC转DC电源模块:给前置MCU、后置MCU及色温灯具供电,且其电源输入线一根通过可控硅调光器与火线连线,另一根电源输入线与零线连接;前置MCU:与AC转DC电源模块连接用于检测当前电压值,并设有反映当前电压值的信号输出端口;后置MCU:通过信号隔离模块与信号输出端口连接,并设有两路PWM信号端,所述PWM信号端连接控制一个色温灯具。该驱动电源只需要一个可控硅调光器,即可同步实现亮度和色温的调节,使得电路设计结构简单、色温灯具的调节也更加便捷。

【技术实现步骤摘要】
一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源
本技术涉及一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源。
技术介绍
现有大多数对色温灯具的无级调光调色,都需要成本较高的色温控制面板,同时配套面板控制的色温电源才能实现。比如需要DMX512协议的面板,同时需要支持DMX512协议的色温电源,加上DMX512协议需求的485总线布线才能达到控制色温灯具的目的。又比如基于DALI协议的DT8控制色温灯具方案,就需要支持DT8的色温面板,支持DT8的色温电源,同时又需要对DALI总线的繁琐布线,才能达到控制色温灯具目的。这些专业的控制技术,需要高成本控制方案,高难度的布线需求,大大阻碍了对色温灯具的推广以及人们对调光调色的需求。市面上还有一种简易式通过快速通断电开关来切换色温的电源技术,这种方式只能简单调节几个色温档或者亮度等级,并不能实现无级调光调色,无法真正体验完整的控制色温灯具的功能。
技术实现思路
本技术提供了一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,旨在解决
技术介绍
中存在的问题。使用本电源,无需更改电源布线,只需要在原有的电路基础上升级调光器,色温灯具和驱动电源便可实现无级调光调色的目的。具体实现方式如下:一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,包括:AC转DC电源模块、前置MCU、信号隔离模块和后置MCU,其中,AC转DC电源模块:给前置MCU、后置MCU及色温灯具供电,且其电源输入线一根通过可控硅调光器与火线连线,另一根电源输入线与零线连接;前置MCU:与AC转DC电源模块连接用于检测当前电压值,并设有反映当前电压值的信号输出端口;后置MCU:通过信号隔离模块与信号输出端口连接,并设有两路PWM信号端,所述PWM信号端连接控制一个色温灯具。于本技术的一个或多个实施例中,两个所述PWM信号端输出的是高电平彼此不重叠的PWM脉冲信号。于本技术的一个或多个实施例中,所述前置MCU采用第一STM8S003F3P6芯片U1,且第一STM8S003F3P6芯片U1与AC转DC电源模块之间设有电压转化电路,该电压转化电路将AC转DC电源模块电压转换成第一STM8S003F3P6芯片U1可用的电压信号。于本技术的一个或多个实施例中,电压转化电路的整流器BD1输入端与AC转DC电源模块1的高电平和低电平端连接,整流器BD1高电平输入端分别与电阻R1、R2、R3和NMOS漏级连接,电阻R1另一端一方面连接NMOS栅极,另一方面连接NPN三极管Q1的集电极,电阻R2另一端一方面通过反接的二极管D1与NMOS源极连接,另一方面分别与NPN三极管Q1基级、电阻R4、电容C1连接,三极管Q1发射级、电阻R4另一端分别接地,电容C1另一端通过第一电阻与地连接;电阻R3另一端分别与第二电阻、R9连接,电阻R9的另一端分别与电容C2正极、电容C3、肖特基二极管DZ1正极、电阻R10连接,电阻R10另一端通过第一电容与肖特基二极管DZ1负极、电容C3、电容C2负极、第二电阻另一端连接,且第二电阻另一端接地;电阻R10另一端还与第一STM8S003F3P6芯片U1的20引脚连接;第一STM8S003F3P6芯片U1的引脚4一方面通过电阻R11与第一直流电源VDD连接,另一方面通过电容C6与地连接,第一STM8S003F3P6芯片U1的引脚7与地连接、引脚8通过电容C7与地连接,第一STM8S003F3P6芯片U1的引脚9一方面与第一直流电源VDD连接,另一方面通过电容C8与地连接,第一STM8S003F3P6芯片U1的引脚19与信号隔离模块3连接。于本技术的一个或多个实施例中,所述后置MCU采用第二STM8S003F3P6芯片U2,其PWM信号端与色温灯具连接。于本技术的一个或多个实施例中,所述信号隔离模块采用光耦隔离器U3,第一STM8S003F3P6芯片U1的引脚19与光耦隔离器U3阴极连接,光耦隔离器U3阳极通过电阻R12与第二直流电源VEE连接,光耦隔离器U3集电极一方面通过电阻R13与第三直流电源VCC连接,另一方面与第二STM8S003F3P6芯片U2的引脚1连接,光耦隔离器U3发射级接地;第二STM8S003F3P6芯片U2的引脚4一方面通过电阻R14与第三直流电源VCC连接,另一方面通过电容C9与地连接,第二STM8S003F3P6芯片U2的引脚8通过电容C10与地连接,第二STM8S003F3P6芯片U2的引脚9一方面与第三直流电源VCC连接,另一方面通过电容C11与地连接,第二STM8S003F3P6芯片U2的引脚16、17分别输出PWM脉冲信号。于本技术的一个或多个实施例中,所述PWM信号端通过NMOS与色温灯具连接。本技术带来的有益实施效果是:通过调节可控硅旋钮,AC转DC电源模块的电压发生变化,一方面该电压作用于色温灯具控制其亮度,另一方面前置MCU检测电压变化量,将对应的变化量进行模/数转换调制,向后置MCU输出PWM控制信号,后置MCU根据预设于内部的不同的PWM控制信号对应的色温灯具信息,后置MCU根据PWM控制信息,控制PWM信号端输出对应的PWM脉冲,从而调节不同色温灯具的占空比,从而调整色温灯具的颜色,达到亮度和色温同步调节的目的,且色温可调节的范围大。该驱动电源只需要一个可控硅调光器,将其分成两路,一路控制色温灯具的加载电压,一路通过控制PWM脉冲信号控制色温,两者相结合,达到同时调节亮度和色温的目的,使得结构简单、功率因素及谐波值低,对在线的电器干扰小,兼容性较高。由于后置MCU输出了互补型的PWM脉冲信号,色温灯具中两路LED是处于互补的状态,即当一路LED亮时,另一路LED熄灭,不会在同一时段两路LED同时亮起,从而减少了对电源、色温灯具的冲击,大大提高了电源及色温灯具的使用寿命,而且光线柔和、不频闪。增加信号隔离模块后,安全性大大提高。附图说明图1是本技术一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源原理框图;图2是本技术亮度与色温调节波形示意图;图3是本技术公开的一种电压转化电路电路图;图4是本技术公开的一种前置MCU电路图;图5是本技术公开的一种信号隔离模块电路图。图6是本技术公开的一种后置MCU电路图。图7是本技术的应用示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图1-7及实施例,对本技术进行进一步详细说明:一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,包括:AC转DC电源模块1、前置MCU2、信号隔离模块3和后置MCU4,其中,AC转DC电源模块1:给前置MCU2、后置MCU4及色温灯具5供电,且其高电平输入端通过可控硅调光器6与火线连线,低电平输入端与零线连接;前置MCU2:与AC转DC电源模块1连接用于检测当前电压值,并设有反映当前电压值的信号输出端口;后置MCU4:通过信号隔离模块3与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,其特征在于,包括:AC转DC电源模块、前置MCU、信号隔离模块和后置MCU,其中,/nAC转DC电源模块:给前置MCU、后置MCU及色温灯具供电,且其电源输入线一根通过可控硅调光器与火线连线,另一根电源输入线与零线连接;/n前置MCU:与AC转DC电源模块连接用于检测当前电压值,并设有反映当前电压值的信号输出端口;/n后置MCU:通过信号隔离模块与信号输出端口连接,并设有两路PWM信号端,所述PWM信号端连接控制一个色温灯具。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,其特征在于,包括:AC转DC电源模块、前置MCU、信号隔离模块和后置MCU,其中,
AC转DC电源模块:给前置MCU、后置MCU及色温灯具供电,且其电源输入线一根通过可控硅调光器与火线连线,另一根电源输入线与零线连接;
前置MCU:与AC转DC电源模块连接用于检测当前电压值,并设有反映当前电压值的信号输出端口;
后置MCU:通过信号隔离模块与信号输出端口连接,并设有两路PWM信号端,所述PWM信号端连接控制一个色温灯具。


2.根据权利要求1所述的基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,其特征在于:两个所述PWM信号端输出的是高电平彼此不重叠的PWM脉冲信号。


3.根据权利要求1或2所述的基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,其特征在于:所述前置MCU采用第一STM8S003F3P6芯片U1,且第一STM8S003F3P6芯片U1与AC转DC电源模块之间设有电压转化电路,该电压转化电路将AC转DC电源模块电压转换成第一STM8S003F3P6芯片U1可用的电压信号。


4.根据权利要求3所述的基于单路可控硅控制色温的LED驱动电源,其特征在于:电压转化电路的整流器BD1输入端与AC转DC电源模块1的高电平和低电平端连接,整流器BD1高电平输入端分别与电阻R1、R2、R3和NMOS漏级连接,电阻R1另一端一方面连接NMOS栅极,另一方面连接NPN三极管Q1的集电极,电阻R2另一端一方面通过反接的二极管D1与NMOS源极连接,另一方面分别与NPN三极管Q1基级、电阻R4、电容C1连接,三极管Q1发射级、电阻R4另一端分别接地,电容C1另一端通过第一电阻与地连接;电阻R3另一端分别与第二电阻、R9连接,电阻R9的另一端分别与电容C2正极、电容C3、肖特基二极管DZ1正极、电阻R10连接,电阻R10另一端通过第一电容...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷建文陆益多侯九长
申请(专利权)人:珠海雷特科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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