自旋探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自旋探测器。所述自旋探测器包括至少一个探测单元，所述探测单元包括自旋发光二极管以及光电放大转换器，光电放大转换器与自旋发光二极管相匹配并至少用于捕获自旋发光二极管产生的偏振光并将捕获的偏振光形成电信号。本实用新型专利技术提供的自旋发光二极管和与其配合的光电放大转换器可作为微尺寸基本探测单元制成集成阵列，由于众多的微尺寸探测单元的使用，自旋光电子被探测的效率大大提高，从而可以在相对非常短的时间内实现高质量自旋角分辨光电子能谱的采集，显著提高电子能谱的采集效率，进而可以大大提高昂贵设备的利用率。

【技术实现步骤摘要】
自旋探测器
本技术特别涉及一种自旋探测器，属于半导体器件

技术介绍
自旋分辨的角分辨光电子能谱仪的自旋探测器：目前在自旋分辨的角分辨光电子能谱仪中使用的电子自旋探测器主要包括，Motto型自旋探测器，极低能量电子衍射探测器(VLEEDdetector)和扩散干涉探测器，这些自旋探测器的主要原理是利用自旋极化电子被金属靶散射(或反射)的几率的方向和自旋依赖性，即利用自旋极化电子被散射几率的不对称性。由于金属中具有自由电子气，自旋光电子与金属靶的相互作用中，自旋光电子易被金属靶中自由电子干扰，形成有效探测信号的效率很低；而多通道自旋探测器，由于探测单元不可大规模集成，从而探测效率提高不多，这些都造成自旋角分辨光电子能谱的测量时间过长。例如现有的Motto型探测器的光电子探测效率只有0.1％，最高的多通道探测器的探测效率也只能达到20％，从而导致探测时间过长、效率低。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种自旋探测器，以克服现有技术中的不足。为实现前述技术目的，本技术采用的技术方案包括：>本技术实施例提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自旋探测器，其特征在于包括至少一个探测单元，所述探测单元包括自旋发光二极管、光电放大转换器以及能够在所述自旋发光二极管与光电放大转换器之间传导圆偏振光的反射模块，所述光电放大转换器能够将经所述反射模块导入的圆偏振光转化形成电信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种自旋探测器，其特征在于包括至少一个探测单元，所述探测单元包括自旋发光二极管、光电放大转换器以及能够在所述自旋发光二极管与光电放大转换器之间传导圆偏振光的反射模块，所述光电放大转换器能够将经所述反射模块导入的圆偏振光转化形成电信号。


2.根据权利要求1所述的自旋探测器，其特征在于：所述反射模块包括金属反射层。


3.根据权利要求2所述的自旋探测器，其特征在于：所述金属反射层的厚度为50-200nm。


4.根据权利要求2所述的自旋探测器，其特征在于：所述反射模块还包括牺牲层载体，所述金属反射层设置在所述牺牲层载体上。


5.根据权利要求2所述的自旋探测器，其特征在于：所述光电放大转换器包括圆偏振光检测器和电荷耦合元件，所述圆偏振光检测器设置在所述电荷耦合元件上。


6.根据权利要求5所述的自旋探测器，其特征在于：所述光电放大转换器与所述自旋...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，肖绍铸，何少龙，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：新型
国别省市：浙江;33