太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法技术

太阳能单电池(1)包括：具有受光面(10a)和背面(10b)的半导体基片(10)；在半导体基片(10)的背面(10b)上在第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)；和设置在n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)上的基底层(14)。基底层(14)包括：通过具有第一分离部(17a)和第二分离部(17b)的第一分离槽(17)被彼此分离的n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)；和将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开的第一桥部(18)。第一桥部(18)在n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)的在第一方向上的边界中的至少一处，将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法
本专利技术涉及背结型的太阳能单电池和该太阳能单电池的制造方法。
技术介绍
作为光电转换效率改善的太阳能单电池，正在对背结型的太阳能单电池进行研究，在其背面上形成有n型半导体层和p型半导体层二者，该背面是在半导体基片上的与光所入射的受光面相反的面。在背结型的太阳能单电池中，在背面上层叠设置有透明电极层(基底层)，种子层(导电层)和用于提取所产生的电力的镀层(n侧电极和p侧电极)。专利文献1公开了一种太阳能单电池，其中n侧电极和p侧电极被设置在透明电极层中的分离区域(分离槽)完全分离。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2016/157701号
技术实现思路
专利技术要解决的课题作为在基底层中形成分离槽的方法，可以执行激光加工。如上所述，当基底层被分离槽完全分离时，在通过激光进行的图案形成中，产生扫描路径彼此交叉的部位。如果在该扫描路径上扫描激光期间照射激光，则会产生被激光过度照射的部位。由此，可能会损坏半导体层和半导体基片，降低光电转换效率。因此，本专利技术的目的是提供一种太阳能单电池和一种太阳能单电池的制造方法，其可在执行激光加工时抑制对半导体层等的损坏。用于解决课题的方法为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面的太阳能单电池是一种背结型的太阳能单电池，包括：具有光入射的受光面和背对上述受光面的背面的半导体基片；在上述半导体基片的上述背面上，在第一方向上延伸、且在与上述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层和p型半导体层；和设置在上述n型半导体层和上述p型半导体层上的基底层，上述基底层包括：由具有在不同方向上延伸的第一分离部和第二分离部的第一分离槽彼此分离开的、设置在上述n型半导体层上的n侧基底层和设置在上述p型半导体层上的p侧基底层；和将上述第一分离部和上述第二分离部分隔开的第一桥部，上述n侧基底层具有在上述第一方向上延伸的第一n侧基底部，上述p侧基底层具有在上述第一方向上延伸并与上述第一n侧基底部相邻设置的第一p侧基底部，上述第一桥部，在上述第一n侧基底部的在上述第一方向上的一侧的第一端部与上述p侧基底层的边界、和在上述第一p侧基底部的上述第一方向上的另一侧的第二端部与上述n侧基底层的边界的至少一者，将上述第一分离部和上述第二分离部分隔开。此外，根据本专利技术的一个方面的太阳能单电池的制造方法是一种背结型的太阳能单电池的制造方法，包括以下工序：在具有光入射的受光面和背对上述受光面的背面的半导体基片的上述背面上，形成在第一方向延伸、且在与上述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层和p型半导体层的半导体层形成工序；在形成了上述n型半导体层和上述p型半导体层的上述背面上形成基底层的基底层形成工序；在上述基底层上形成导电层的导电层形成工序；在上述导电层之上、且与上述n型半导体层和上述p型半导体层对应的区域中涂敷抗蚀剂的抗蚀剂形成工序；将在上述抗蚀剂形成工序中形成了抗蚀剂膜的上述导电层作为种子层，通过电解镀形成n侧电极和p侧电极的电极形成工序；在上述电极形成工序之后，通过使用激光扫描在上述抗蚀剂膜上形成贯通至上述种子层的槽的激光加工工序；对形成了上述槽的上述背面进行蚀刻，以形成将上述基底层分离为n侧基底层和p侧基底层的分离槽的基底层去除工序；和在上述基底层去除工序之后去除上述抗蚀剂膜的抗蚀剂去除工序，在上述激光加工工序中，通过在由上述激光扫描的扫描路径交叉的位置停止上述激光的输出，在上述位置形成将在不同的方向延伸的第一分离部和第二分离部分隔开的上述分离槽。专利技术的效果根据本专利技术，能够实现一种太阳能单电池和其制造方法，该太阳能单电池在通过激光进行加工时能够抑制对半导体层等的损伤。附图说明图1是示出根据实施方式1的太阳能单电池的俯视图。图2是实施方式1的太阳能单电池的沿图1的II-II线的局部截面图。图3是示出根据实施方式1的太阳能单电池的制造方法的流程图。图4是在电极形成工序之后的根据实施方式1的太阳能单电池的截面示意图。图5A是示出根据比较例的激光加工工序中的激光扫描路径的俯视图。图5B是示出根据实施方式1的激光加工工序中的激光扫描路径的俯视图。图6A是沿着图5B中的线VIa-VIa截取的在根据实施方式1的制造工序中的太阳能单电池的局部截面图。图6B是沿着图5B中的线VIb-VIb截取的在根据实施方式1的制造工序中的太阳能单电池的局部截面图。图7A是在与图5B中的VIa-VIa线对应的位置处的、根据实施方式1的太阳能单电池在基底层去除工序之后的局部截面图。图7B是在与图5B中的VIb-VIb线对应的位置处的、根据实施方式1的太阳能单电池在基底层去除工序之后的局部截面图。图8是根据实施方式1的太阳能单电池的导电层去除工序之后的局部截面图。图9是示出根据实施方式1的变形例1的太阳能单电池的俯视图。图10是示出根据实施方式1的变形例1的激光加工工序中的激光扫描路径的俯视图。图11是示出根据实施方式1的变形例2的激光加工工序中的激光扫描路径的俯视图。图12A是在根据实施方式1的变形例2的太阳能单电池的激光加工工序之后，沿着图11的XIIa-XIIa线截取的局部截面图。图12B是在根据实施方式1的变形例2的太阳能单电池的激光加工工序之后，沿图11的XIIb-XIIb线截取的局部截面图。图13是根据实施方式1的变形例2的太阳能单电池的在去除导电层工序之后的局部截面图。图14是根据实施方式1的变形例3的太阳能单电池的局部截面图。图15是示出根据实施方式1的太阳能单电池的短边附近的激光扫描路径的俯视图。图16是图15中的区域C的放大图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细说明本专利技术的实施方式。以下说明的实施方式均表示本专利技术的一个具体例。因此，以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置、连接方式、工序、和工序的顺序等只是一例，并没有限定本专利技术的意思。因此，以下的实施方式中的构成要素中，将表示本专利技术的最上位概念的独立权利要求中未记载的构成要素作为任意的构成要素进行说明。而且，每个图都是示意图，并且不一定是精确的图示。此外，在各图中，有对实质上相同的结构标注相同的符号，并省略或简化重复的说明的情况。另外，“大致＊＊”的记载是包含实质上看作＊＊的意图，例如，以“大致正交”为例进行说明，则不仅包括完全正交，也包含实质上看作正交的意思。例如，“大致＊＊”的表述是示出还包括例如大约百分之几的差异的情况。此外，在各图中，Z轴方向是例如与太阳能单电池的受光面垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是相互正交，且都与Z轴方向正交的方向。例如，在以下实施方式中，“俯视图”是指从Z轴方向观察。另外，在以下的实施方式中，“截面图”是指，对于通过在与太阳能单电池的受光面正交的面(例如，由Z轴和X轴定义的面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背结型的太阳能单电池，其特征在于，包括：/n具有光入射的受光面和背对所述受光面的背面的半导体基片；/n在所述半导体基片的所述背面上，在第一方向上延伸、且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层和p型半导体层；和/n设置在所述n型半导体层和所述p型半导体层上的基底层，/n所述基底层包括：由具有在不同方向上延伸的第一分离部和第二分离部的第一分离槽彼此分离开的、设置在所述n型半导体层上的n侧基底层和设置在所述p型半导体层上的p侧基底层；和将所述第一分离部和所述第二分离部分隔开的第一桥部，/n所述n侧基底层具有在所述第一方向上延伸的第一n侧基底部，/n所述p侧基底层具有在所述第一方向上延伸并与所述第一n侧基底部相邻设置的第一p侧基底部，/n所述第一桥部，在所述第一n侧基底部的在所述第一方向上的一侧的第一端部与所述p侧基底层的边界、和在所述第一p侧基底部的所述第一方向上的另一侧的第二端部与所述n侧基底层的边界的至少一者，将所述第一分离部和所述第二分离部分隔开。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180110 JP 2018-0019231.一种背结型的太阳能单电池，其特征在于，包括：
具有光入射的受光面和背对所述受光面的背面的半导体基片；
在所述半导体基片的所述背面上，在第一方向上延伸、且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层和p型半导体层；和
设置在所述n型半导体层和所述p型半导体层上的基底层，
所述基底层包括：由具有在不同方向上延伸的第一分离部和第二分离部的第一分离槽彼此分离开的、设置在所述n型半导体层上的n侧基底层和设置在所述p型半导体层上的p侧基底层；和将所述第一分离部和所述第二分离部分隔开的第一桥部，
所述n侧基底层具有在所述第一方向上延伸的第一n侧基底部，
所述p侧基底层具有在所述第一方向上延伸并与所述第一n侧基底部相邻设置的第一p侧基底部，
所述第一桥部，在所述第一n侧基底部的在所述第一方向上的一侧的第一端部与所述p侧基底层的边界、和在所述第一p侧基底部的所述第一方向上的另一侧的第二端部与所述n侧基底层的边界的至少一者，将所述第一分离部和所述第二分离部分隔开。


2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：
所述n侧基底层具有在所述第二方向上延伸、且连接所述第一n侧基底部的在所述第一方向上的另一侧端部的第二n侧基底部，
所述p侧基底层具有在所述第二方向上延伸、且连接所述第一p侧基底部的在所述第一方向上的一侧端部的第二p侧基底部，
在俯视所述太阳能单电池时，所述第一分离部在所述第一方向上延伸，且设置在彼此相邻的所述第一n侧基底部和所述第一p侧基底部之间，
所述第二分离部分别设置在所述第一端部与所述第二p侧基底部之间和所述第二端部与所述第二n侧基底部之间，
所述第二分离部在所述第二方向上的长度大于彼此相邻的所述第一分离部之间的间隔，
所述第一桥部将所述第一分离部的在所述第一方向上的端部与所述第二分离部分隔开。


3.如权利要求2所述的太阳能单电池，其特征在于：
第一桥部在所述第一方向上的长度，为所述第一桥部在所述第二方向上的长度以下。


4.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：
所述n侧基底层具有在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸、且连接所述第一n侧基底部的在所述第一方向上的另一侧端部的第二n侧基底部，
所述p侧基底层具有在所述第二方向上延伸、且连接所述第一p侧基底部的在所述第一方向上的一侧端部的第二p侧基底部，
在俯视所述太阳能单电池时，所述第一分离部的一端部设置在所述第一p侧基底部与所述第二n侧基底部的边界处，另一端部设置在与所述第一p侧基底部相邻的一个所述第一n侧基底部与所述第二p侧基底部之间的边界处，
在俯视所述太阳能单电池时，所述第二分离部的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：兼松大二，益子庆一郎，中井出，片山博贵，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP