绝缘膜用树脂组合物制造技术

技术编号:25352240 阅读:63 留言:0更新日期:2020-08-21 17:10
本发明专利技术提供作为树脂组合物的可获得介电常数、介质损耗角正切被进一步降低化了的固化体的绝缘膜用树脂组合物、感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物来制造固化浮雕图案的方法、以及具备该固化浮雕图案的半导体装置。一种绝缘膜用树脂组合物,是含有聚酰亚胺前体、以及聚酰胺酸酯、热酰亚胺化促进剂和溶剂的聚酰亚胺前体组合物,热酰亚胺化促进剂包含:具有羧基和能够通过热被脱保护而显示碱性的氨基或亚氨基,且在保护基脱离前不促进聚酰亚胺前体的酰亚胺化的化合物。本发明专利技术还涉及进一步包含光聚合引发剂的感光性绝缘膜用树脂组合物。特别适合用于半导体装置制造中的再配线层形成用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】绝缘膜用树脂组合物
本专利技术涉及绝缘膜用树脂组合物、优选半导体用绝缘膜用树脂组合物、感光性绝缘膜用树脂组合物、以及包含通过使该组合物固化而获得的固化膜的半导体装置。
技术介绍
以往,电子部件的绝缘材料、和半导体装置的钝化膜、表面保护膜、层间绝缘膜等使用了兼具优异的耐热性、电气特性和机械特性的聚酰亚胺树脂。另一方面,近年来,从集成度和演算功能的提高、以及芯片尺寸的矮小化的观点考虑,半导体装置向印刷配线基板的安装方法也变化。根据以往的采用金属销和铅-锡共晶焊料的安装方法,如能够进行更高密度安装的BGA(球栅阵列)、CSP(芯片尺寸封装)等那样,聚酰亚胺被膜使用了直接与焊料凸块接触的结构。在形成这样的凸块结构时,对该被膜要求高耐热性和耐化学品性。进一步,由于半导体装置的微细化进展,因而配线延迟的问题显现。作为改善半导体装置的配线电阻的手段,进行从迄今为止使用的金或铝配线向电阻更低的铜或铜合金的配线的变更。进一步,也采用了通过提高配线间的绝缘性来防止配线延迟的方法。近年来,作为该绝缘性高的材料,低介电常数材料构成半导体装置的情况多,但本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘膜用树脂组合物,其包含:/n(A)聚酰亚胺前体,所述聚酰亚胺前体具有下述通式(1)所示的结构单元;/n(B)满足以下所示的条件(a)~(d)的全部条件的化合物;以及/n(C)有机溶剂,/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180110 JP 2018-0021931.一种绝缘膜用树脂组合物,其包含:
(A)聚酰亚胺前体,所述聚酰亚胺前体具有下述通式(1)所示的结构单元;
(B)满足以下所示的条件(a)~(d)的全部条件的化合物;以及
(C)有机溶剂,



式中,X1为碳原子数6~40的4价有机基,Y1为碳原子数6~40的2价有机基,R1以及R2各自独立地为氢原子、或选自下述通式(2)和通式(3)中的1价有机基,而且所述通式(2)所示的1价有机基与所述通式(3)所示的1价有机基的合计相对于全部R1和R2的比例为80摩尔%以上,并且所述通式(3)所示的1价有机基相对于全部R1和R2的比例为1摩尔%~100摩尔%,



在式(2)中,R3、R4和R5各自独立地为氢原子或碳原子数1~3的1价有机基,而且m为整数1~10;*为与通式(1)的聚酰胺酸主链所存在的羧酸结合的部位,
R6-*(3)
在式(3)中,R6为选自可以夹着醚氧原子的碳原子数1~30的烷基中的1价有机基;*与上述相同,
条件(a):具有至少1个羧基,
条件(b):具有下述式(N-1)或式(N-2)所示的部分结构,并且,式(N-1)所示的结构全部都是至少一处与芳香族环或羰基结合,或为胍骨架的一部分,式(N-2)所示的结构全部都是氮原子处与具有不饱和键的碳原子结合;其中,在式(N-1)为胍骨架的一部分的情况下,胍骨架所包含的2个(N-1)结构中的至少一者与芳香族环或羰基结合,



所述式(N-1)和式(N-2)表示化合物中的3价结构,
条件(c):所述(N-1)所示的部分结构中的至少1个为不与芳香族环和羰基直接结合的下述式(ND-1)所示的结构的部分结构,或(N-2)所示的部分结构的中的至少1个为下述(ND-2)所示的结构的部分结构,



式(ND-1)和式(ND-2)表示化合物中的2价结构,D为能够通过热被氢原子置换的保护基,
条件(d):相对于1个羧基,具...

【专利技术属性】
技术研发人员:大桥拓矢饭沼洋介服部隼人臼井友辉泽田和宏
申请(专利权)人:日产化学株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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