一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质技术

本发明专利技术公开了一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质，所述方法包括：加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存；请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据；每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。本发明专利技术使用缓存替代读写Flash芯片的存储块，因为缓存的读写速度很快，所以提高了读写速度，对于实际中经常发生的连续读写同一个存储块数据的场景，优化去掉连续读写过程中的不必要的步骤，进一步提高了读写的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质
本专利技术涉及数据存储
，尤其涉及一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质。
技术介绍
Flash芯片是一种有独特特性的数据存储芯片，Flash芯片失电后数据不会丢失，Flash芯片内部的存储空间分成若干个大小相等的存储块，通常每个存储块有128K字节大小，一个Flash存储芯片有数百甚至上千个存储块。在往某个存储块写入数据之前需要擦除该存储块中的数据，并不能直接覆盖式的写入。所以Flash芯片的数据写入存储块的过程比较繁琐，首先需要完整的读出这个存储块中的数据到内存中，在内存中的存储块旧数据上编辑新数据；然后擦除芯片上该存储块的所有数据，最后把内存中存储块的数据一起写入芯片上的这个存储块。每次写入数据到Flash芯片都额外需要一次读出数据和一次擦除数据的操作，降低了数据写入的效率。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质，旨在解决现有技术中每次写入数据到Flash芯片都额外需要一次读出数据和一次擦除数据的操作，降低了数据写入的效率的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种提高芯片读写速度的方法，所述提高芯片读写速度的方法包括如下步骤：加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存；请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据；每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述预设个数为8个，表示缓存中最多可以同时容纳8个存储块的数据。可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据，具体包括：请求读写第一存储块，判断第一存储块的数据是否在缓存中；当是时，更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据；当否时，获取缓存中最长时间未被访问过的第二存储块的缓存，擦除Flash芯片第二存储块的数据，将第二存储块在缓存中的数据写入Flash芯片第二存储块中，释放第二存储块占用的缓存，读取Flash芯片的第一存储块的数据到释放的缓存中，更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据。可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据，还包括：在一段时间内连续读写第一存储块的数据，当缓存中已有第一存储块的数据时，直接更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据。可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述预设时间为60秒。可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，缓存的读写速度大于存储块的读写速度。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种智能终端，其中，所述智能终端包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的提高芯片读写速度的程序，所述提高芯片读写速度的程序被所述处理器执行时实现如上所述的提高芯片读写速度的方法的步骤。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种存储介质，其中，所述存储介质存储有提高芯片读写速度的程序，所述提高芯片读写速度的程序被处理器执行时实现如上所述的提高芯片读写速度的方法的步骤。本专利技术通过加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存；请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据；每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。本专利技术使用缓存替代读写Flash芯片的存储块，因为缓存的读写速度很快，所以提高了读写速度，对于实际中经常发生的连续读写同一个存储块数据的场景，优化去掉连续读写过程中的不必要的步骤，进一步提高了读写的效率。附图说明图1是本专利技术提高芯片读写速度的方法的较佳实施例的流程图；图2是本专利技术提高芯片读写速度的方法的较佳实施例中读写数据的流程图；图3为本专利技术智能终端的较佳实施例的运行环境示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术较佳实施例所述的提高芯片读写速度的方法，如图1所示，所述提高芯片读写速度的方法包括以下步骤：步骤S10、加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存。具体地，加载Flash芯片(Flash芯片可进行可快速存储、擦除数据的存储物质，例如固态硬盘)驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存(缓存的读写速度大于存储块的读写速度)，其中，所述预设个数为8个，表示缓存中最多可以同时容纳8个存储块的数据。其中，缓存(cache)的原始意义是指访问速度比一般随机存取存储器(RAM)快的一种高速存储器，缓存是指可以进行高速数据交换的存储器，它先于内存与CPU交换数据，因此速率很快。步骤S20、请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据。具体地，请求读写第一存储块(表示存储块中的一个存储块)，判断第一存储块的数据是否在缓存中；当是时，更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据；当否时，获取缓存中最长时间未被访问过的第二存储块的缓存，擦除Flash芯片第二存储块的数据，将第二存储块在缓存中的数据写入Flash芯片第二存储块中，释放第二存储块占用的缓存，读取Flash芯片的第一存储块的数据到释放的缓存中，更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据。进一步地，在一段时间内连续读写第一存储块的数据，当缓存中已有第一存储块的数据时，直接更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据。步骤S30、每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。具体地，每隔预设时间(例如所述预设时间为60秒)检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。进一步地，如图2所示，读写数据的流程如下：1、请求读写存储块A；2、判断存储块A的数据是否在缓存中，当是时执行步骤6，当否时执行步骤3；3、找出缓存中最长时间没有被访问过的那个存储块B的缓存；4、擦除Flash芯片缓存块B的数据，把存储块B在缓存中的数据写入Flash芯片存储块B中，释放存储块B占用的缓存；5、读取Flash芯片的存储块A的数据到刚刚释放的缓存中；6、更本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高芯片读写速度的方法，其特征在于，所述提高芯片读写速度的方法包括：/n加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存；/n请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据；/n每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高芯片读写速度的方法，其特征在于，所述提高芯片读写速度的方法包括：
加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存；
请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据；
每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。


2.根据权利要求1所述的提高芯片读写速度的方法，其特征在于，所述预设个数为8个，表示缓存中最多可以同时容纳8个存储块的数据。


3.根据权利要求1所述的提高芯片读写速度的方法，其特征在于，所述请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据，具体包括：
请求读写第一存储块，判断第一存储块的数据是否在缓存中；
当是时，更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据；
当否时，获取缓存中最长时间未被访问过的第二存储块的缓存，擦除Flash芯片第二存储块的数据，将第二存储块在缓存中的数据写入Flash芯片第二存储块中，释放第二存储块占用的缓存，读取Flash芯片的第一存储块的数据到释放的缓存中，更...

【专利技术属性】
技术研发人员：向卫东，孟庆晓，吴闽华，
申请(专利权)人：深圳震有科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44