ScAlMgO制造技术

本发明专利技术提供一种解理性高、且在基板上生长的GaN膜不易破裂的ScAlMgO

【技术实现步骤摘要】
ScAlMgO4单晶基板及其制造方法
本申请涉及ScAlMgO4单晶基板及其制造方法。
技术介绍
近年来，作为用于形成氮化镓(GaN)的基板，ScAlMgO4受到关注。关于ScAlMgO4与GaN的晶格失配，与以往的蓝宝石相比为其1/10，是有望实现发光二极管(LED)的高亮度化的材料。作为ScAlMgO4单晶的制造方法，已知有切克劳斯基法(CZ法)。CZ法中，将材料放入设置于腔室内的坩埚中，使该材料熔融后，使晶种与熔液接触。并且，使用提拉机构一边使晶种缓慢地旋转一边进行提拉，由此使与晶种具有相同方位排列的单晶生长，得到圆柱状的晶锭。专利文献1和专利文献2中记载了ScAlMgO4的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-48296号公报专利文献2：日本特开2015-178448号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，若在ScAlMgO4单晶基板上使GaN膜生长，则存在如下课题：GaN膜与ScAlMgO4单晶基板发生翘曲，因此相互施加应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ScAlMgO

【技术特征摘要】
20190214 JP 2019-0246391.一种ScAlMgO4单晶基板，其中，通过使用电感耦合等离子体发射光谱分析法进行分析而得的结晶中的氧浓度为57原子％以下。


2.根据权利要求1所述的ScAlMgO4单晶基板，其为结晶生长用的基板，且具有下述式中的σ满足5.0N/mm2以上的曲率半径R和厚度ts，
σ＝(Ef×tf2)×103/(6×(1-vf)×R×ts)
上述式中，Ef表示要结晶生长的膜的杨氏模量，vf表示要结晶生长的膜的泊松比，tf表示要结晶生长的膜的厚度，
其中，R的单位为m，ts的单位为m，Ef的单位为GPa，tf的单位为m。

【专利技术属性】
技术研发人员：宫野谦太郎，领木直矢，石桥明彦，信冈政树，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP