应用于SBD的新型分压环结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；位于背面金属层上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的场氧层；位于第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于第一导电类型外延层内的且位于第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于场氧层和势垒层上的正面金属层。应用于SBD的新型分压环结构能够在第一导电类型外延层的材料不变的前提下，有效提高应用于SBD的新型分压环结构的耐压性能，在保证成本的同时提高产品的性价比。

【技术实现步骤摘要】
应用于SBD的新型分压环结构
本技术涉及一种应用于SBD的新型分压环结构。
技术介绍
SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。目前，常规的平面SBD产品均采用常规浓P+分压环结构，虽然工艺简单，但由于分压环是一个单纯的突变P+N-N+结构，分压效果不是很好。
技术实现思路
本技术提供了一种应用于SBD的新型分压环结构，采用如下的技术方案：一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；应用于SBD的新型分压环结构还包括：位于背面金属层上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的场氧层；位于第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于第一导电类型外延层内的且位于第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于场氧层和势垒层上的正面金属层。进一步地，第一导电类型为N型；第二导电类型为P型。进一步地，第一浓度的第二导电类型深分压环为P-深分压环；第二浓度的第二导电类型浅分压环为P+浅分压环。进一步地，第一导电类型衬底为N+衬底；第一导电类型外延层为N-外延层。本技术的有益之处在于提供的应用于SBD的新型分压环结构在第一浓度的第二导电类型的深分压环内设置有具有第二浓度的第二导电类型浅分压环，这样能够在第一导电类型外延层的材料不变的前提下，有效提高应用于SBD的新型分压环结构的耐压性能，在保证成本的同时提高产品的性价比。附图说明图1是本技术的一种应用于SBD的新型分压环结构的示意图。应用于SBD的新型分压环结构10，背面金属层11，第一导电类型衬底12，第一导电类型外延层13，场氧层14，第二导电类型深分压环15，第二导电类型浅分压环16，势垒层17，正面金属层18。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术作具体的介绍。如图1所示，一种应用于SBD的新型分压环结构10，包括：背面金属层11；位于背面金属层11上的第一导电类型衬底12；位于第一导电类型衬底12上的第一导电类型外延层13；位于第一导电类型外延层13上的场氧层14；位于第一导电类型外延层13内的第一浓度的第二导电类型深分压环15；位于第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环16；位于第一导电类型外延层13内的且位于第一浓度的第二导电类型深分压环15围成的环形空间内的势垒层17；位于场氧层14和势垒层17上的正面金属层18。其中，第一导电类型为N型；第二导电类型为P型；第一浓度的第二导电类型深分压环15为P-深分压环；第二浓度的第二导电类型浅分压环16为P+浅分压环；第一导电类型衬底12为N+衬底；第一导电类型外延层13为N-外延层。具体而言，应用于SBD的新型分压环结构10在第一浓度的第二导电类型的深分压环内设置有具有第二浓度的第二导电类型浅分压环16，这样能够在第一导电类型外延层13的材料不变的前提下，有效提高应用于SBD的新型分压环结构10的耐压性能，在保证成本的同时提高产品的性价比。作为具体的实现方式，在不增加光刻层的前提下，在同一分压环窗口先注入淡P-剂量，退火形成第一浓度的第二导电类型深分压环15，即P-深分压环。然后再次注入浓P+剂量，氧化形成第二浓度的第二导电类型浅分压环16，即P+浅分压环。通过这样的方式在同一分压环窗口内形成由P-深分压环和P+浅分压环组合的新型分压环结构P+P-N-N+组合，从而提高新型分压环结构的耐压性能。该方案中的第二浓度大于第一浓度。经过实验证明，在第一导电类型外延层13的材料不改变的前提下，最终Vr耐压可以提高5V左右，也就是说采用正常40V的第一导电类型外延层13的材料可以加工成45V的产品，这样一来，产品的正向压降VF可以下降明显。常规工艺45V产品需要的第一导电类型外延层13的材料是电阻率0.9，厚度4.5um。采用新的分压环组合后，实际第一导电类型外延层13的材料电阻率只需要0.72，厚度只需4.5um，第一导电类型外延层13的电阻率越小，正向VF也会随之降低，但最终反偏耐压Vr并没有影响，甚至还要再高一些。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，上述实施例不以任何形式限制本技术，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；其特征在于，所述应用于SBD的新型分压环结构还包括：位于所述背面金属层上的第一导电类型衬底；位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于所述第一导电类型外延层上的场氧层；位于所述第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于所述第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于所述第一导电类型外延层内的且位于所述第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于所述场氧层和所述势垒层上的正面金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；其特征在于，所述应用于SBD的新型分压环结构还包括：位于所述背面金属层上的第一导电类型衬底；位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于所述第一导电类型外延层上的场氧层；位于所述第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于所述第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于所述第一导电类型外延层内的且位于所述第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于所述场氧层和所述势垒层上的正面金属层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：鄢细根，张斌，
申请(专利权)人：凯茂半导体厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35