超宽带天线及集成超宽带天线的电子设备外壳及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种超宽带天线，包括馈电单元，还包括接地单元、第一介质基板、至少一个天线辐射单元及与天线辐射单元数量相同的第二介质基板，第一介质基板包括相对的第一表面和第二表面；接地单元设置于第一表面上，至少一个天线辐射单元与第二介质基板依次间隔堆叠于第二表面上，第二介质基板的相对介电常数在8.5～100之间，本发明专利技术提供的一种超宽带天线，设置有第二介质基板，且第二介质基板具有较高的介电常数，缩小了介质波长，进而可缩小天线辐射体以及超宽带天线的整体尺寸，对节约电子设备内部宝贵空间有利。

【技术实现步骤摘要】
超宽带天线及集成超宽带天线的电子设备外壳及电子设备
本专利技术属于天线的设计领域，尤其涉及一种超宽带天线及集成超宽带天线的电子设备外壳及电子设备。
技术介绍
目前，超宽带天线越来越引起人们的重视，超宽带天线是否有意义取决于它能否与超宽带设备成功的集成在一起。另外，当前电子设备所含各种功能模块的数量越来越多，那些具有低剖面特点的功能模块将具有更好的市场竞争力，对于超宽带天线模块也不例外。故现在市场急需一种超宽带天线，其在保持原有性能指标的基础上，还能具有更低的剖面尺寸和更小的体积。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种超宽带天线及集成超宽带天线的电子设备外壳及电子设备，本专利技术提供的一种超宽带天线，其在保持原有性能指标的基础上，具有更低的剖面尺寸和更小的体积。为解决上述问题，本专利技术的技术方案为：一种超宽带天线，包括馈电单元，还包括接地单元、第一介质基板、至少一个天线辐射单元及与所述天线辐射单元数量相同的第二介质基板，所述第一介质基板包括相对的第一表面和第二表面；所述接地单元设置于所述第一表面上，至少一个所述天线辐射单元与所述第二介质基板依次间隔堆叠于所述第二表面上；所述第一介质基板的相对介电常数为2～8.5之间，所述第一介质基板的材质为聚四氟乙烯、液晶聚合物、改性聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、涤纶树脂、聚苯硫醚、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料、聚苯乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛树脂、聚氨酯、聚亚苯基砜树脂、聚酰胺、聚邻苯二甲酰胺、聚丙烯、聚乙烯中的任意一种或其中几种的组合；或者所述第一介质基板的相对介电常数为8.5～100之间，所述第一介质基板的材质为氧化铝、氧化锆、氧化硅、硅酸钠、硅酸钾、硅酸锂、氧化镁、氧化钇、氧化钙、氧化钛、氧化钡、氧化铋、氧化镍、氧化铬、氧化铪、氧化锶、氧化镧中的任意一种或其中几种的组合；所述第二介质基板的相对介电常数为8.5～100之间，所述第二介质基板的材质为氧化铝、氧化锆、氧化硅、硅酸钠、硅酸钾、硅酸锂、氧化镁、氧化钇、氧化钙、氧化钛、氧化钡、氧化铋、氧化镍、氧化铬、氧化铪、氧化锶、氧化镧中的任意一种或其中几种的组合；所述馈电单元、所述接地单元与所述天线辐射单元的材质为铜、镍、铝、金、银、铂、钼、钨、不锈钢中的任意一种或其中几种的组合。优选地，所述天线辐射单元包括主辐射单元和至少一个副辐射单元，所述主辐射单元具有多边形结构，所述多边形结构的边数大于或等于三，至少一个所述副辐射单元依次排列于所述主辐射单元的任意一条边或多条边的外侧。优选地，所述天线辐射单元包括所述主辐射单元和一个所述副辐射单元，所述主辐射单元为四边形结构，所述副辐射单元平行设置于所述主辐射单元的任意一条边的外侧。优选地，所述天线辐射单元包括所述主辐射单元和两个所述副辐射单元，所述主辐射单元为四边形结构，两个所述副辐射单元分别设置于所述主辐射单元的任意相对两边的外侧；或者两个所述副辐射单元分别设置于所述主辐射单元任意相邻两边的外侧。优选地，所述天线辐射单元包括所述主辐射单元和三个所述副辐射单元，所述主辐射单元为四边形结构，三个所述副辐射单元平行排列于所述主辐射单元的任意一条边的外侧。优选地，所述第二介质基板与所述接地单元、所述第一介质基板、所述天线辐射单元为一体成型。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种集成超宽带天线的电子设备外壳，包括上述的超宽带天线及外壳，所述外壳设置于所述超宽带天线靠近所述第二介质基板一侧；所述外壳与所述第二介质基板接触的一侧开设有与所述第二介质基板的尺寸相匹配的凹槽，所述第二介质基板放置于所述凹槽内；或所述外壳或者所述外壳的一部分作为所述超宽带天线的所述第二介质基板。优选地，当所述外壳的一部分作为所述超宽带天线的所述第二介质基板时，所述第二介质基板的尺寸形状按照电子设备的商标图案进行设定，将所述第二介质基板作为所述电子设备外观面的一部分。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种电子设备，包括上述的集成超宽带天线的电子设备外壳。本专利技术由于采用以上技术方案，使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果：1)本专利技术提供了一种超宽带天线，包括馈电单元，还包括接地单元、第一介质基板、至少一个天线辐射单元及与天线辐射单元数量相同的第二介质基板，第一介质基板包括相对的第一表面和第二表面；接地单元设置于第一表面上，至少一个天线辐射单元与第二介质基板依次间隔堆叠于第二表面上，第二介质基板的相对介电常数在8.5～100之间，本专利技术提供的一种超宽带天线，设置有第二介质基板，且第二介质基板具有较高的介电常数，缩小了介质波长，进而可缩小天线辐射体以及超宽带天线的整体尺寸，对节约电子设备内部宝贵空间有利。2)本专利技术提供的一种超宽带天线，其天线辐射单元包括主辐射单元和至少一个副辐射单元，主辐射单元具有多边形结构，多边形结构的边数大于等于三，至少一个副辐射单元依次排列于主辐射单元的任意一条边或多条边的外侧，多个副辐射单元可以增大天线带宽，有利于补偿超宽带天线厚度减薄带来的带宽降低的影响，换言之，多个副辐射单元有利于制备低剖面的超宽带天线，而具有低剖面特征的天线模块非常有利于集成入电子设备内部。3)本专利技术提供的一种超宽带天线，第二介质基板与接地单元、第一介质基板、天线辐射单元为一体成型，第二介质基板利用一体化成型工艺直接覆盖于天线辐射单元的外侧，可以最大程度上发挥第二介质基板对大大拓宽天线带宽的优势。4)本专利技术提供的一种集成超宽带天线的电子设备外壳，将外壳的一部分作为超宽带天线的第二介质基板，第二介质基板的尺寸形状按照电子设备的商标图案进行设定，将第二介质基板作为电子设备外观面的一部分，从而节约电子设备内部的宝贵空间。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种超宽带天线的结构截面示意图；图2为本专利技术实施例一提供的一种超宽带天线的回波损耗测试曲线；图3为本专利技术实施例二提供的一种超宽带天线的结构截面示意图；图4为本专利技术实施例三提供的一种超宽带天线的结构截面示意图；图5为本专利技术实施例四提供的一种超宽带天线的结构截面示意图；图6为本专利技术实施例五提供的一种超宽带天线的结构示意图；图7为本专利技术实施例六提供的一种超宽带天线的结构示意图；图8为本专利技术实施例六提供的一种超宽带天线的回波损耗测试曲线；图9为本专利技术实施例七提供的一种超宽带天线的结构截面示意图；图10为本专利技术实施例八提供的一种集成超宽带天线的电子设备外壳的结构截面示意图；图11为本专利技术实施例九提供的一种集成超宽带天线的电子设备外壳的结构示意图；图12为本专利技术实施例十提供的一种集成超宽带天线的电子设备外壳的结构截面示意图。附图标记说明：1：第一介质基板；2：天线辐射单元；21：主辐射单元；22：副辐射单元；3：接地单元；4：第二介质基板；5：外壳；51：外壳的外观面；52：外壳的内表面；53：凹槽；6：商标图案。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽带天线，包括馈电单元，其特征在于还包括接地单元、第一介质基板、至少一个天线辐射单元及与所述天线辐射单元数量相同的第二介质基板，所述第一介质基板包括相对的第一表面和第二表面；所述接地单元设置于所述第一表面上，至少一个所述天线辐射单元与所述第二介质基板依次间隔堆叠于所述第二表面上；/n所述第一介质基板的相对介电常数为2～8.5之间，所述第一介质基板的材质为聚四氟乙烯、液晶聚合物、改性聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、涤纶树脂、聚苯硫醚、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料、聚苯乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛树脂、聚氨酯、聚亚苯基砜树脂、聚酰胺、聚邻苯二甲酰胺、聚丙烯、聚乙烯中的任意一种或其中几种的组合；或者/n所述第一介质基板的相对介电常数为8.5～100之间，所述第一介质基板的材质为氧化铝、氧化锆、氧化硅、硅酸钠、硅酸钾、硅酸锂、氧化镁、氧化钇、氧化钙、氧化钛、氧化钡、氧化铋、氧化镍、氧化铬、氧化铪、氧化锶、氧化镧中的任意一种或其中几种的组合；/n所述第二介质基板的相对介电常数为8.5～100之间，所述第二介质基板的材质为氧化铝、氧化锆、氧化硅、硅酸钠、硅酸钾、硅酸锂、氧化镁、氧化钇、氧化钙、氧化钛、氧化钡、氧化铋、氧化镍、氧化铬、氧化铪、氧化锶、氧化镧中的任意一种或其中几种的组合；/n所述馈电单元、所述接地单元与所述天线辐射单元的材质为铜、镍、铝、金、银、铂、钼、钨、不锈钢中的任意一种或其中几种的组合。/n...

【技术特征摘要】
1.一种超宽带天线，包括馈电单元，其特征在于还包括接地单元、第一介质基板、至少一个天线辐射单元及与所述天线辐射单元数量相同的第二介质基板，所述第一介质基板包括相对的第一表面和第二表面；所述接地单元设置于所述第一表面上，至少一个所述天线辐射单元与所述第二介质基板依次间隔堆叠于所述第二表面上；
所述第一介质基板的相对介电常数为2～8.5之间，所述第一介质基板的材质为聚四氟乙烯、液晶聚合物、改性聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、涤纶树脂、聚苯硫醚、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料、聚苯乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛树脂、聚氨酯、聚亚苯基砜树脂、聚酰胺、聚邻苯二甲酰胺、聚丙烯、聚乙烯中的任意一种或其中几种的组合；或者
所述第一介质基板的相对介电常数为8.5～100之间，所述第一介质基板的材质为氧化铝、氧化锆、氧化硅、硅酸钠、硅酸钾、硅酸锂、氧化镁、氧化钇、氧化钙、氧化钛、氧化钡、氧化铋、氧化镍、氧化铬、氧化铪、氧化锶、氧化镧中的任意一种或其中几种的组合；
所述第二介质基板的相对介电常数为8.5～100之间，所述第二介质基板的材质为氧化铝、氧化锆、氧化硅、硅酸钠、硅酸钾、硅酸锂、氧化镁、氧化钇、氧化钙、氧化钛、氧化钡、氧化铋、氧化镍、氧化铬、氧化铪、氧化锶、氧化镧中的任意一种或其中几种的组合；
所述馈电单元、所述接地单元与所述天线辐射单元的材质为铜、镍、铝、金、银、铂、钼、钨、不锈钢中的任意一种或其中几种的组合。


2.根据权利要求1所述的超宽带天线，其特征在于，所述天线辐射单元包括主辐射单元和至少一个副辐射单元，所述主辐射单元具有多边形结构，所述多边形结构的边数大于或等于三，至少一个所述副辐射单元依次排列于所述主辐射单元的任意一条边或多条边的外侧。


3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋海英，丁娟娟，吴昊，
申请(专利权)人：上海安费诺永亿通讯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31