阵列基板及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，提出一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板制作方法，包括：提供一阵列基板半成品，阵列基板半成品包括衬底基板、位于衬底基板一侧的发光层、以及位于发光层背离衬底基板一侧的公共阴极层；在公共阴极层背离衬底基板的一侧形成高分子化合物层；对高分子化合物层进行局部光照，以使高分子化合物层的光照部生成羧酸根，其中，高分子化合物层的光照部在衬底基板的正投影与发光层在衬底基板的正投影不交叠；对光照后的高分子化合物层进行金属阳离子掺杂，以使聚高分子化合物层的光照部形成导体部。该阵列基板制作方法，能够在公共阴极上形成图案化的导体部，该导体部可以作为辅助阴极降低公共阴极上的电位差。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
技术介绍
在顶发射OLED显示面板中，显示面板阴极通常采用公共阴极的设置方式，然而，由于公共阴极仅部分与低电平信号端连接，且公共阴极自身存在压降，因此，公共阴极上的电位并不均匀。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板制作方法能够解决阵列基板中公共阴极电位不均匀的技术问题。本专利技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。根据本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板制作方法，该方法包括：提供一阵列基板半成品，所述阵列基板半成品包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的发光层、以及位于所述发光层背离所述衬底基板一侧的公共阴极层。在所述公共阴极层背离所述衬底基板的一侧形成高分子化合物层；对所述高分子化合物层进行局部光照，以使所述高分子化合物层的光照部生成羧酸根，其中，所述高分子化合物层的光照部在所述衬底基板的正投影与所述发光层在所述衬底基板的正投影不交叠。对光照后的所述高分子化合物层进行金属阳离子掺杂，以使所述聚高分子化合物层的光照部形成导体部。本公开一种示例性实施例中，所述高分子化合物层由聚酯类材料组成。本公开一种示例性实施例中，所述高分子化合物层厚度为1～3um。本公开一种示例性实施例中，对所述高分子化合物层进行局部光照，包括：利用掩膜版对所述高分子化合物层进行局部紫外线照射。本公开一种示例性实施例中，所述紫外线的功率为700-1000W，照射时长为10-30min。本公开一种示例性实施例中，所述金属阳离子包括金属银离子。本公开一种示例性实施例中，对光照后的所述高分子化合物层进行金属阳离子掺杂，包括，在光照后的所述高分子化合物层上旋涂或者打印一层含有金属阳离子的盐溶液。本公开一种示例性实施例中，所述方法还包括：在所述高分子化合物层背离衬底基板的一侧形成封装薄膜；在所述封装薄膜背离所述衬底基板的一侧形成玻璃盖板。本公开一种示例性实施例中，在所述高分子化合物层背离衬底基板的一侧形成封装薄膜之前还包括：剥离所述高分子化合物层的非光照部。根据本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板，其包括：阵列基板半成品、高分子化合物层。所述阵列基板半成品包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的发光层、以及位于所述发光层背离所述衬底基板一侧的公共阴极层；高分子化合物层位于所述公共阴极层背离所述衬底基板的一侧，包括导体部，所述导体部包括羧酸根和金属阳离子的聚合物，且所述导体部在所述衬底基板的正投影与所述发光层在所述衬底基板的正投影不交叠。根据本专利技术的一个方面，提供一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。本公开提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板制作方法，包括：提供一阵列基板半成品，阵列基板半成品包括衬底基板、位于衬底基板一侧的发光层、以及位于发光层背离衬底基板一侧的公共阴极层；在公共阴极层背离衬底基板的一侧形成高分子化合物层；对高分子化合物层进行局部光照，以使高分子化合物层的光照部生成羧酸根，其中，高分子化合物层的光照部在衬底基板的正投影与发光层在衬底基板的正投影不交叠；对光照后的高分子化合物层进行金属阳离子掺杂，以使聚高分子化合物层的光照部形成导体部。该阵列基板制作方法能够在公共阴极上形成图案化的导体部，该导体部可以作为辅助阴极直接与公共阴极接触。一方面，该导体部可以与公共阴极共同连接低电平信号端，实际上降低了公共阴极在层向的电阻，从而降低了公共阴极上的电位差；另一方面，该导体部在衬底基板的正投影与发光层在衬底基板的正投影不交叠，导体部不会对发光层发出光线进行遮挡，从而不会影响阵列基板的出光率。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例的制作流程图；图2-5为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例中制作流程的结构示意图；图6为公开阵列基板制作方法一种示例性实施例中一种聚酯类材料的化学反应结构示意图；图7为一种聚酯类材料部分结构的化学反应结构示意图；图8为本公开阵列基板制作方法另一种示例性实施例中制作流程的结构示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本专利技术将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。本示例性实施例提供一种阵列基板制作方法，如图1所示，为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例的制作流程图，该方法包括：步骤S1：提供一阵列基板半成品，所述阵列基板半成品包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的发光层、以及位于所述发光层背离所述衬底基板一侧的公共阴极层。步骤S2：在所述公共阴极层背离所述衬底基板的一侧形成高分子化合物层。步骤S3：对所述高分子化合物层进行局部光照，以使所述高分子化合物层的光照部生成羧酸根，其中，所述高分子化合物层的光照部在所述衬底基板的正投影与所述发光层在所述衬底基板的正投影不交叠。步骤S4：对光照后的所述高分子化合物层进行金属阳离子掺杂，以使所述聚高分子化合物层的光照部形成导体部。该阵列基板制作方法能够在公共阴极上形成图案化的导体部，该导体部可以作为辅助阴极直接与公共阴极接触。一方面，该导体部可以与公共阴极共同连接低电平信号端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：/n提供一阵列基板半成品，所述阵列基板半成品包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的发光层、以及位于所述发光层背离所述衬底基板一侧的公共阴极层；/n在所述公共阴极层背离所述衬底基板的一侧形成高分子化合物层；/n对所述高分子化合物层进行局部光照，以使所述高分子化合物层的光照部生成羧酸根，其中，所述高分子化合物层的光照部在所述衬底基板的正投影与所述发光层在所述衬底基板的正投影不交叠；/n对光照后的所述高分子化合物层进行金属阳离子掺杂，以使所述聚高分子化合物层的光照部形成导体部。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：
提供一阵列基板半成品，所述阵列基板半成品包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的发光层、以及位于所述发光层背离所述衬底基板一侧的公共阴极层；
在所述公共阴极层背离所述衬底基板的一侧形成高分子化合物层；
对所述高分子化合物层进行局部光照，以使所述高分子化合物层的光照部生成羧酸根，其中，所述高分子化合物层的光照部在所述衬底基板的正投影与所述发光层在所述衬底基板的正投影不交叠；
对光照后的所述高分子化合物层进行金属阳离子掺杂，以使所述聚高分子化合物层的光照部形成导体部。


2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述高分子化合物层由聚酯类材料组成。


3.根据权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述高分子化合物层厚度为1～3um。


4.根据权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，对所述高分子化合物层进行局部光照，包括：
利用掩膜版对所述高分子化合物层进行局部紫外线照射。


5.根据权利要求4所述的阵列基板制作方法，其特征在于，
所述紫...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐永莲，曲连杰，赵合彬，张珊，尤杨，吕振华，石广东，春晓改，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11