高比容的中高压电极箔的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了高比容的中高压电极箔的生产工艺，它涉及铝箔加工技术领域；基本工艺流程是：原材料→前处理→水洗→多级腐蚀扩面处理→水洗→多级腐蚀扩面处理→水洗→化学洗涤→纯水洗涤→干燥→成品，其中多级腐蚀扩面处理设备的机架上设有数组与铝箔腐蚀箱对于那个的电源；电源的正极与铝箔连接；电源的负极分别与两个异形石墨电极连接，所述异形石墨电极的顶部与防腐铜排连接；铝箔传动辊设置在异形石墨电极的下方与异形石墨电极的屏蔽板连接。采用了多级发孔装置，通过使用异形石墨电极板，实现了可变电流加电问题，解决了原工艺断电引起并孔以及孔过浅的问题，从而可以有效的提高发孔密度，提高腐蚀箔比容。

【技术实现步骤摘要】
高比容的中高压电极箔的生产工艺
本专利技术属于铝箔加工
，具体涉及高比容的中高压电极箔的生产工艺。
技术介绍
随着行业的发展，越来越需要电子元件体积小型化，对于铝电解电容器而言，要实现体积小型化，就需要作为电容器阳极的正极铝箔单位静电容量提高。由电容器的原理公式：可以看出：介质的介电系数ε是常数，因此要提高静电容量Cap，则需要提高电极的表面积S或降低介质的厚度d。目前，国内电极箔高加工时采用单级发孔装置，如图1所示，铝箔从两块直板石墨电极板001板中间穿过，操作时，接通两个电源，两个电源由于正负极的不同连接，导致加于铝箔两个面的电流不同，这样腐蚀不同，影响铝箔的品质；另外，两个直板石墨电极板之间的距离约为20cm，阻抗大，能耗高，一个电源的电流在4500～5500A之间，这样的结构在操作时，断电会引起并孔以及孔过浅的问题，影响效率和品质。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题；本专利技术的目的在于提供高比容的中高压电极箔的生产工艺，可以生产出比容高、强度好的中高压电极箔，提高生产效率，并有效提高产品质量水平。本专利技术的高比容的中高压电极箔的生产工艺，采用电化学处理的方式，实现铝箔表面积扩大；基本工艺流程如下：原材料→前处理→水洗→多级腐蚀扩面处理→水洗→多级腐蚀扩面处理→水洗→化学洗涤→纯水洗涤→干燥→成品。1.前处理：目的：去除铝箔表面的油污以及氧化物；溶液：10～25％H2SO4；温度：40～70℃；处理时间：1～5min；2.一次可变电流多级腐蚀扩面处理：目的：采用特殊波形智能电源，通过多次通断电，在铝箔表面形成一定数目和孔径的腐蚀孔；溶液：15～25％H2SO4+3～10HCl+添加剂A；温度：60～80℃；处理时间：1～5min；电流密度：0-0.5A/cm23.二次化学腐蚀扩面处理：目的：将一次腐蚀扩面形成的腐蚀孔孔径扩大；溶液：1～10％HCl+添加剂B；温度：80～90℃；处理时间：15～20min；4.化学洗涤：目的：去除腐蚀铝箔表面残留的铝粉和氯离子；溶液：0.5～10％HNO3；温度：40～60℃；处理时间：1～3min；5.水洗：目的：各级水洗的目的去除铝箔从酸槽出来后铝箔表面残留的酸液；溶液：自来水；温度：常温；处理时间：1～5min；6.纯水洗涤：目的：去除腐蚀铝箔表面残留的酸液和氯离子；溶液：纯水；温度：常温；处理时间：10～30min；7.烘干：目的：烘干铝箔；温度：200～400℃；处理时间：1～3min；经过上述各级处理以后，铝箔的表面积得到扩大，实现单位面积静电容量提高。所述步骤2一次可变电流多级腐蚀扩面处理的设备包括机架、铝箔腐蚀箱、防腐铜排、异形石墨电极、铝箔传动辊；所述数个铝箔腐蚀箱设置在机架的下方；机架上设有数组与铝箔腐蚀箱对于那个的电源；电源的正极与铝箔连接；电源的负极分别与两个异形石墨电极连接，所述异形石墨电极的顶部与防腐铜排连接；铝箔传动辊设置在异形石墨电极的下方与异形石墨电极的屏蔽板连接。作为优选，所述异形石墨电极之间的间距为5cm左右，抗阻小，节能环保。作为优选，所述异形石墨电极的内侧为斜面结构，底部窄顶部宽，适用于可变电流的铝箔加工，可以提高铝箔的比容与强度。作为优选，所述电源的电流为2000～2200A，将原来的单一电源分级化处理，提高了电源电流的稳定性，同时也节省了电源的能耗，降低了成本。本专利技术采用多级发孔处理技术，提高腐蚀箔发孔密度。采用特殊波形智能电源，降低腐蚀孔并孔现象。本专利技术采用了多级发孔装置，通过使用异形石墨电极板，实现了可变电流加电问题，解决了原工艺断电引起并孔以及孔过浅的问题，从而可以有效的提高发孔密度，提高腐蚀箔比容，而且多级发孔装置可以有效地提高反应速度，提高生产效率。二级采用化学腐蚀，降低了设备制造成本和生产制造成本，并有效降低污染物排放。附图说明为了易于说明，本专利技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为
技术介绍
的结构示意图；图2为本专利技术的结构示意图；图3为图2其中两级发孔装置的结构示意图。图中：机架1、铝箔腐蚀箱2、防腐铜排3、异形石墨电极4、铝箔传动辊5、电源6。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本专利技术。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与根据本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。由电容器的原理公式：可以看出：介质的介电系数ε是常数，因此要提高静电容量Cap，则需要提高电极的表面积S或降低介质的厚度d。因此本具体实施方式就是采用电化学处理的方式，实现铝箔表面积扩大。本具体实施方式的基本工艺流程如下：原材料→前处理→水洗→多级腐蚀扩面处理→水洗→多级腐蚀扩面处理→水洗→化学洗涤→纯水洗涤→干燥→成品。1.前处理：目的：去除铝箔表面的油污以及氧化物；溶液：10～25％H2SO4；温度：40～70℃；处理时间：1～5min；2.一次可变电流多级腐蚀扩面处理：目的：采用特殊波形智能电源，通过多次通断电，在铝箔表面形成一定数目和孔径的腐蚀孔；溶液：15～25％H2SO4+3～10HCl+添加剂A；温度：60～80℃；处理时间：1～5min；电流密度：0-0.5A/cm23.二次化学腐蚀扩面处理：目的：将一次腐蚀扩面形成的腐蚀孔孔径扩大；溶液：1～10％HCl+添加剂B；温度：80～90℃；处理时间：15～20min；4.化学洗涤：目的：去除腐蚀铝箔表面残留的铝粉和氯离子；溶液：0.5～10％HNO3；温度：40～60℃；处理时间：1～3min；5.水洗：目的：各级水洗的目的去除铝箔从酸槽出来后铝箔表面残留的酸液；溶液：自来水；温度：常温；处理时间：1～5min；6.纯水洗涤：目的：去除腐蚀铝箔表面残留的酸液和氯离子；溶液：纯水；温度：常温；处理时间：10～30min；7.烘干：目的：烘干铝箔；温度：200～400℃；处理时间：1～3min；经过上述各级处理以后，铝箔的表面积得到扩大，实现单位面积静电容量提高。如图2和图3所示，所述步骤2一次可变电流多级腐蚀扩面处理的设备包括机架1、铝箔腐蚀箱2、防腐铜排3、异形石墨电极4、铝箔传动辊5；所述数个铝箔腐蚀箱2设置在机架1的下方；机架1上设有数组与铝箔腐蚀箱2对于那个的电源6；电源6的正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高比容的中高压电极箔的生产工艺，其特征在于：工艺流程如下：(1).前处理：目的：去除铝箔表面的油污以及氧化物；溶液：10～25% H

【技术特征摘要】
1.高比容的中高压电极箔的生产工艺，其特征在于：工艺流程如下：(1).前处理：目的：去除铝箔表面的油污以及氧化物；溶液：10～25%H2SO4；温度：40～70℃；处理时间：1～5min；
一次可变电流多级腐蚀扩面处理：目的：采用特殊波形智能电源，通过多次通断电，在铝箔表面形成一定数目和孔径的腐蚀孔；溶液：15～25%H2SO4+3～10HCl+添加剂A；温度：60～80℃；处理时间：1～5min；电流密度：0-0.5A/cm2
(3).二次化学腐蚀扩面处理：目的：将一次腐蚀扩面形成的腐蚀孔孔径扩大；溶液：1～10%HCl+添加剂B；温度：80～90℃；处理时间：15～20min；
(4).化学洗涤：目的：去除腐蚀铝箔表面残留的铝粉和氯离子；溶液：0.5～10%HNO3；温度：40～60℃；处理时间：1～3min；
(5).水洗：目的：各级水洗的目的去除铝箔从酸槽出来后铝箔表面残留的酸液；溶液：自来水；温度：常温；处理时间：1～5min；
(6).纯水洗涤：目的：去除腐蚀铝箔表面残留的酸液和氯离子；溶液：纯水；...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾兆宁，
申请(专利权)人：南通嘉凡电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32