一种高频应用电介质材料及其制备方法技术

一种高频低损耗的电介质材料，其包括以下质量百分比的组分：45‑60wt％的CBSZA玻璃粉和45‑55wt％的分子筛；其中，CBSZA玻璃粉包括以下质量百分比的组分：SiO

【技术实现步骤摘要】
一种高频应用电介质材料及其制备方法
本专利技术涉及电子陶瓷材料
，一种高频应用的电子陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
在5G高频通信应用中，具有高品质因数(Q)的介电材料能够有效降低能量损失率，对于高频应用的Q＞1000的非常高的Q值的介电材料的具有非常大的需求。但是高Q的结晶氧化物材料，具有高的烧结温度，一般在高于1000℃的高温下烧结。在微波和高频通讯领域，低介电常数k材料具有较低的信号损耗或较低的延迟，能够减少导线之间的串扰。一般要求介电常数K≤6，优选＜4。常见的高Q值、低K值的氧化物陶瓷材料，如二氧化硅(K＝3.8)、LiAlSiO4(K＝4.8)、Al2O3·SiO2(K＝5.3)，NaAlSi3O8(K＝5.5)，Mg2P2O7(K＝6.1)，堇青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)(K＝6.2)和2ZnO·SiO2(K＝6.6)，但是这类材料具有非常高的烧结温度(≥高于1000℃)，不能与银电极共烧。目前常用的低温共烧陶瓷(LTCC)材料，K＝4-12。现有技术中，通常向低介电常数陶瓷材料中添加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频低损耗的电介质材料，其包括以下质量百分比的组分：45-60wt％的CBSZA玻璃粉和45-55wt％的分子筛；/n其中，CBSZA玻璃粉包括以下质量百分比的组分：SiO

【技术特征摘要】
1.一种高频低损耗的电介质材料，其包括以下质量百分比的组分：45-60wt％的CBSZA玻璃粉和45-55wt％的分子筛；
其中，CBSZA玻璃粉包括以下质量百分比的组分：SiO245-60％、B2O38-30％、Al2O35-20％、CaO10-30％、BaO5-10％、ZnO5-15％、Na2O0-5％；
其中，所述分子筛是CHA结构的分子筛。


2.如权利要求1所述的高频低损耗的电介质材料，其中，所述CHA结构的分子筛的硅铝比以质量比计为10-35。


3.如权利要求1所述的高频低损耗的电介质材料，其中，CBSZA玻璃粉的比表面积为0.2-2.0m2/g。


4.一种如权利要求1-3任一所述的高频低损耗的电介质材料的制备方法，包括：向CBSZA玻璃粉中添加分子筛粉体，经研磨分散，得到所述电介质材料。


5.如权利要求4所述的高频低损耗的电介质材料的制备方法，包括步骤：
(1)制备CBSZA玻璃粉：
按照配方称取CBSZA玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋锡滨，艾辽东，奚洪亮，
申请(专利权)人：山东国瓷功能材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37