保持装置及保持装置的制造方法制造方法及图纸

一种保持装置及保持装置的制造方法，该保持装置抑制由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差。保持装置具备：陶瓷构件，由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成；金属制的发热电阻器，配置于陶瓷构件的内部；与发热电阻器接触的导电性的供电连接构；及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子，该保持装置是将对象物保持在陶瓷构件的表面上的装置。供电连接构件的表面中除了与发热电阻器的接触面及与供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保持装置及保持装置的制造方法
在本说明书中公开的技术涉及对对象物进行保持的保持装置。
技术介绍
公知有对对象物(例如，半导体晶片)进行保持并加热至规定的温度(例如，400～800℃的程度)的加热装置(也称为“基座”。)。加热装置例如作为如成膜装置(CVD成膜装置、溅射成膜装置等)、蚀刻装置(等离子蚀刻装置等)这样的半导体制造装置的一部分而使用。一般而言，加热装置具备由陶瓷烧结体形成的陶瓷构件。在陶瓷构件的内部配置有例如钨(W)、钼(Mo)等金属制的发热电阻器。另外，加热装置具备与发热电阻器接触的导电性的供电连接构件以及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子。当经由供电端子及供电连接构件对发热电阻器施加电压时，发热电阻器发热，从而保持在陶瓷构件的表面(以下，称为“保持面”。)上的对象物被加热。在加热装置的制造时，通过在高温(例如，1700℃～1900℃的程度)下对在内部配置有发热电阻器的材料的陶瓷构件的材料的成形体进行烧成，制作由致密的陶瓷烧结体形成的陶瓷构件和在陶瓷构件的内部配置的发热电阻器。在该烧成时，来自炉内气氛、原料的杂质(例如，碳)进入致密化前的陶瓷构件的材料的成形体中而与发热电阻器发生反应，由此会在发热电阻器的表面形成变质层(例如，碳化钨层、碳化钼层)。若在发热电阻器的表面形成变质层，则产生发热电阻器的电阻值的偏差(产品内及/或产品间的偏差)，由此可能产生发热电阻器的发热量的偏差，从而产生陶瓷构件的保持面的温度(进而，保持于保持面的对象物的温度)的偏差。以往，公知有通过对陶瓷构件的相对密度、烧成条件进行调整，抑制在发热电阻器的表面形成变质层的技术(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-273586号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题上述现有技术仅注目于在发热电阻器的表面形成的变质层。然而，本申请专利技术人新发现了如下课题，即，在陶瓷构件的烧成时，来自炉内气氛、原料的杂质与供电连接构件发生反应，由此会在供电连接构件的表面形成变质层，由于变质层的形成，可能会发生供电连接构件与发热电阻器或者供电端子之间的接触不良，或由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差。需要说明的是，这样的课题不限于上述的结构的加热装置，而是具备由陶瓷烧结体形成的陶瓷构件、配置于陶瓷构件的内部的金属制的发热电阻器、与发热电阻器接触的导电性的供电连接构件及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子，并将对象物保持在陶瓷构件的表面上的一般的保持装置的通用课题。在本说明书中，公开了能够解决上述的课题的技术。用于解决课题的技术方案在本说明书中公开的技术例如能够作为以下的方式实现。(1)在本说明书中公开的保持装置具备：陶瓷构件，具有第一表面，并且由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成；金属制的发热电阻器，配置于所述陶瓷构件的内部；与所述发热电阻器接触的导电性的供电连接构件；及与所述供电连接构件电连接的导电性的供电端子，该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，其中，所述供电连接构件的表面中除了与所述发热电阻器的接触面及与所述供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的第二涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。在本保持装置中，由于覆盖供电连接构件的表面的第二涂层的存在，在陶瓷构件的烧成时，能够抑制供电连接构件与杂质发生反应而在供电连接构件的表面形成变质层，进而，能够抑制供电连接构件与发热电阻器或者供电端子之间的接触不良的发生、由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差的产生，结果，能够抑制陶瓷构件的第一表面的温度(进而，保持于第一表面的对象物的温度)的偏差。另外，第二涂层由含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种的氮化物形成，因此在高温烧成时具有耐热性，并且不易发生向以氮化铝为主要成分的陶瓷构件的元素扩散。因此，根据本保持装置，能够在抑制由来自第二涂层的元素扩散引起的陶瓷构件的特性变化的发生的同时，通过耐热性高的第二涂层的存在，抑制在供电连接构件的表面形成变质层，进而，能够抑制供电连接构件与发热电阻器或者供电端子之间的接触不良的发生，并且能够抑制由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差，结果，能够抑制陶瓷构件的第一表面的温度(进而，保持于第一表面的对象物的温度)的偏差。(2)在上述保持装置中也可以是如下结构：所述供电连接构件的表面中与所述发热电阻器的接触面的至少一部分被由氮化物形成的第一涂层覆盖，该氮化物含有Ti、Zr、V、Cr、Ta和Nb中的至少1种。若采用这样的结构，则由于覆盖供电连接构件的表面的第一涂层的存在，在陶瓷构件的烧成时，能够有效地抑制供电连接构件与杂质发生反应而在供电连接构件的表面形成变质层，进而，能够抑制供电连接构件与发热电阻器或者供电端子之间的接触不良的发生、由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差的产生，结果，能够抑制陶瓷构件的第一表面的温度(进而，保持于第一表面的对象物的温度)的偏差。另外，第一涂层由含有Ti、Zr、V、Cr、Ta和Nb中的至少1种的氮化物形成，因此在高温烧成时具有耐热性，并且不易发生向以氮化铝为主要成分的陶瓷构件的元素扩散，进一步地，由于具有导电性，因此能够确保供电连接构件与发热电阻器之间的电连接。因此，根据本保持装置，能够在避免因第一涂层而供电连接构件与发热电阻器之间的电连接被阻碍的同时，且在抑制由来自第一涂层的元素扩散引起的陶瓷构件的特性变化的发生的同时，通过耐热性高的第一涂层的存在，有效地抑制在供电连接构件的表面形成变质层，进而，能够抑制供电连接构件与发热电阻器或者供电端子之间的接触不良的发生，并且能够抑制由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差，结果，能够抑制陶瓷构件的第一表面的温度(进而，保持于第一表面的对象物的温度)的偏差。(3)在上述保持装置中也可以是如下结构，所述第一涂层的厚度为0.3μm以上且60μm以下。若采用这样的结构，则由于第一涂层的厚度不会过薄(为0.3μm以上)，因此由于第一涂层的存在，能够更可靠地抑制在供电连接构件的表面形成变质层。另外，若采用这样的结构，则由于第一涂层的厚度不会过厚(为60μm以下)，因此能够减小因供电连接构件与第一涂层之间的线膨胀差而在第一涂层产生的应力，从而能够防止以下事态的发生：因该应力而在第一涂层产生裂纹从而无法抑制变质层的形成。(4)在上述保持装置中也可以是如下结构：所述发热电阻器的表面中除了与所述供电连接构件的接触面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的第三涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。若采用这样的结构，则由于覆盖发热电阻器的表面的第三涂层的存在，在陶瓷构件的烧成时，能够抑制发热电阻器与杂质发生反应而在发热电阻器的表面形成变质层，进而，能够抑制由发热电阻器的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差的产生，结果，能够抑制陶瓷构件的第一表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保持装置，具备：/n陶瓷构件，具有第一表面，并且由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成；/n金属制的发热电阻器，配置于所述陶瓷构件的内部；/n与所述发热电阻器接触的导电性的供电连接构件；及/n与所述供电连接构件电连接的导电性的供电端子，/n该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，其特征在于，/n所述供电连接构件的表面中除了与所述发热电阻器的接触面及与所述供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的第二涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181119 JP 2018-216116;20181119 JP 2018-2161151.一种保持装置，具备：
陶瓷构件，具有第一表面，并且由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成；
金属制的发热电阻器，配置于所述陶瓷构件的内部；
与所述发热电阻器接触的导电性的供电连接构件；及
与所述供电连接构件电连接的导电性的供电端子，
该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，其特征在于，
所述供电连接构件的表面中除了与所述发热电阻器的接触面及与所述供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的第二涂层覆盖，该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。


2.根据权利要求1所述的保持装置，其特征在于，
所述供电连接构件的表面中与所述发热电阻器的接触面的至少一部分被由氮化物形成的第一涂层覆盖，该氮化物含有Ti、Zr、V、Cr、Ta和Nb中的至少1种。


3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂卷龙之介，高冈胜哉，渡边洋史，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP