【技术实现步骤摘要】
一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用
本专利技术涉及一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。
技术介绍
对于R-T-B系烧结磁体，为了提高烧结致密度以提高磁体剩磁(Br)，通常采用提高烧结温度或延长烧结时间。但提高烧结温度容易导致晶粒异常长大，从而降低磁体矫顽力(Hcj)。特开昭61-295355号公报和特开2002-75717号公报中，公开了一种添加Ti、Zr等生成硼化物的元素，通过使硼化物在晶界析出，抑制晶粒异常长大，既能避免矫顽力降低，又能提高烧结密度。然而，CN200480001869中也记载了以下内容：由于烧结磁体存在不具有磁力的硼化物相，所以降低了主相(R2T14B型化合物)的体积比率，结果降低剩磁，该专利技术通过不生成硼化物相，抑制矫顽力降低，且提高剩磁。现有公开技术中对于磁体剩磁的提高侧重于硼化物的生成与否，然而目前对于硼化物的作用暂无明确的定论，从而在不同的文献中，得出了相反技术效果的结论。因此，如何在保证矫顽力的基础上，提高磁体的剩磁是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中R-T-B系烧结磁体中剩磁升高会导致矫顽力下降的缺陷，而提供了一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。本专利技术为克服现有技术的不足，提供了一种高含量高熔点金属的R-T-B系烧结磁体，选择特定含量的R、B、M(Ti、Zr和Nb中的一种或多种)、X(X包括Cu、“Al和/或Ga”)值，能够在保证主相体积比的前提下，提高烧结温...
【技术保护点】
1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，其含有R，B，M，Fe，Co，X和不可避免的杂质，其中：/n(1)R为稀土元素，所述R至少含有Nd和RH；/nM为Ti、Zr和Nb中的一种或多种；/nX包括Cu、“Al和/或Ga”；/n(2)所述R-T-B系永磁材料中：以重量百分比计：/nR：30.5-32.0wt％；/nB：0.95-0.99wt％；/nM：0.3-0.6wt％；/nX：0.8-1.8wt％，且Cu：0.35-0.50wt％；/n余量为Fe、Co及不可避免的杂质。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，其含有R，B，M，Fe，Co，X和不可避免的杂质，其中：
(1)R为稀土元素，所述R至少含有Nd和RH；
M为Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
X包括Cu、“Al和/或Ga”；
(2)所述R-T-B系永磁材料中：以重量百分比计：
R：30.5-32.0wt％；
B：0.95-0.99wt％；
M：0.3-0.6wt％；
X：0.8-1.8wt％，且Cu：0.35-0.50wt％；
余量为Fe、Co及不可避免的杂质。
2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量为30.9-32.0wt％，例如30.9wt％、31.0wt％、31.5wt％或32.0wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述R中还包括Pr；
和/或，所述Nd的含量为29.5-31.0wt％，例如29.9wt％、30.0wt％、30.2wt％、30.4wt％或30.8wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述RH为Dy和/或Tb；
和/或，所述RH的含量为0.5-2.0wt％，例如0.6wt％、0.7wt％、0.8wt％、1.2wt％或1.5wt％；当所述RH中包括Tb时，所述Tb的含量优选为0.1-1.0wt％；当所述RH中包括Dy时，所述Dy的含量优选为0.1-1.5wt％；百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述X包括Cu、Al和Ga；
和/或，所述X的含量为0.85-1.8wt％，例如0.85wt％、1.0wt％、1.27wt％、1.37wt％、1.4wt％或1.8wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量为0.4-0.5wt％，例如0.4wt％、0.42wt％、0.45wt％或0.5wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述X中包含Al时，所述Al的含量为0.3-0.8wt％，例如0.3wt％、0.4wt％、0.6wt％、0.7wt％或0.8wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述X中包含Ga时，所述Ga的含量为0.2-0.5wt％，例如0.2wt％、0.25wt％、0.35wt％或0.5wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述M为Ti、Zr、Nb或者“Ti和Zr”；
和/或，所述M的含量为0.35-0.6wt％，例如0.35wt％、0.4wt％、0.45wt％、0.5wt％、0.55wt％、0.6wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量为0.3-0.6wt％，例如0.3wt％、0.4wt％、0.45wt％、0.5wt％、0.55wt％或0.6wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.3-0.6wt％，例如0.3wt％、0.4wt％或0.6wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Nb时，所述Nb的含量为0.35-0.55wt％，例如0.35wt％或0.55wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含“Ti和Zr”时，所述Ti的含量为0.2wt％，所述Zr的含量为0.3wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量为0.5-2.0wt％，例如0.8wt％、1.0wt％、1.2wt％、1.5wt％或2.0wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.96-0.99wt％，例如0.96wt％、0.97wt％、0.98wt％或0.99wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。
3.如权利要求1或2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述X中包括：Cu：0.35-0.5wt％，Al：0.3-0.8wt％，Ga：0.2-0.5wt％；百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料中包括下述组分：R：30.5-32.0wt％；B：0.95-0.99wt％；Ti：0.3-0.6wt％，或者，Zr：0.3-0.6wt％，或者，Nb：0.35-0.55wt％；Cu：0.35-0.50wt％；Al：0.3-0.8wt％；Ga：0.2-0.5wt％；Co：0.8-2.0wt％；余量为Fe；百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
或者，所述R-T-B系永磁材料中包括下述组分：Nd：29.5-31.0wt％；RH：0.5-2.0wt％；B：0.95-0.99wt％；Ti：0.3-0.6wt％，或者，Zr：0.3-0.6wt％，或者，Nb：0.35-0.55wt％；Cu：0.35-0.50wt％；Al：0.3-0.8wt％；Ga：0.2-0.5wt％；Co：0.8-2.0wt％；余量为Fe；百分比是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述R-T-B系永磁材料中存在RaMbXcTd相，其中：T为Fe和Co，15at％＜a＜25at％，2.8at％＜b＜4.1at％，3.0at％＜c＜6.0at％，68at％＜d＜78at％，at％是指在所述RaMbXcTd相中的原子百分比。
4.一种R-T-B系永磁材料的原料组合物，其特征在于，其含有R，B，M，Fe，Co，X和不可避免的杂质，其中：
(1)R为稀土元素，所述R至少含有Nd和RH；
M为Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
X包括Cu、“Al和/或Ga”；
(2)所述R-T-B系永磁材料中：以重量百分比计：
R：30.5-32.0wt％；
B：0.95-0.99wt％；
M：0.3-0.6wt％；
X：0.8-1.8wt％，且Cu：0.35-0.50wt％；
余量为Fe、Co及不可避免的杂质。
5.如权利要求4所述的R-T-B系永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述R的含量为30.9-32.0wt％，例如30.9wt％、31.0wt％、31.5wt％或32.0wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述R中还包括Pr；
和/或，所述Nd的含量为29.5-31.0wt％，例如29.9wt％、30.0wt％、30.2wt％、30.3wt％或30.8wt％，百分比是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述RH为Dy和/或Tb；
技术研发人员：蓝琴，黄佳莹，
申请(专利权)人：福建省长汀金龙稀土有限公司，厦门钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。