具有低棱线的电解铜箔制造技术

一种表面处理铜箔，包括电解铜箔，且该电解铜箔包括辊筒面及沉积面。处理层设置于辊筒面及沉积面中的一个上，并提供表面处理面。处理层包含粗化粒子层，且该表面处理面具有0.1至0.9μm

【技术实现步骤摘要】
具有低棱线的电解铜箔
本专利技术涉及具有受控的表面特性的电解铜箔。本专利技术涉及电路板及其类似物，具有低传输损耗的电子信号，且该电路板包括该电解铜箔作为其组件。
技术介绍
对于传输大量数据的需求日益增长，需要不断提高电路板上组件之间的传输速度。为达成此等速度，频率范围必需从低于1Mhz增加至1GHz、10GHz甚或更高。于此等较高范围内，电流主要在接近导体表面处流动，这是由于众所周知的“集肤效应(skineffect)”所导致，即高频电流密度于导体表面处为最高的趋势且朝向中心呈指数衰减的趋势。集肤深度(skindepth)承载大约67％的信号，与频率的平方根成反比。因此，在1MHz的集肤深度为65.2μm；在1GHz的集肤深度为2.1μm；而在10GHz的集仅为0.7μm。在较高频率，导体的表面形貌或粗糙度变得愈发重要，因为大约或大于集肤深度的粗糙度将对信号传输造成影响。超低棱线(VeryLowProfile，VLP)铜箔具有非常低的粗糙度。即使在高频下，VLP铜箔提供非常好的信号传输性能。但随着粗糙度降低，铜箔与电路板的层压结构中使用的树脂层的粘合性亦降低，往往导致不想要的脱层。为了与不佳的粘合性及可能的脱层抗衡，特意在该铜箔与树脂接触面进行粗糙化。使用标准方法的粗糙化表面可提供大约数微米的表面粗糙度，且其会影响GHz范围内的任何传输。由上可知，对于铜箔设计而言，其一方面需要较高的粗糙度以确保足够的粘合性，另一方面却又需要较低的粗糙度以尽可能减少传输损耗，此两种相对矛盾的需求使得铜箔设计深受限制。尽管VLP铜箔于传输损耗方面提供改善，VLP铜箔的粗糙化仍需要改善，以保持传输损耗的优点，同时改善粘合特性。因此，对于具有低传输损耗及良好粘合强度的用于制造电路板的铜箔仍存在需求。
技术实现思路
总的来说，本专利技术涉及一种铜箔，例如可用作电路板中的导体的电解铜箔。铜箔业经制备为具有受控的表面特性，该铜箔即使在高频率下亦可提供低传输损耗，且对电路板中的树脂层具有高粘合性。在第一方面，本专利技术包含一种表面处理铜箔，包含电解铜箔及处理层。该电解铜箔包括辊筒面及沉积面。处理层设置于辊筒面及沉积面中的一个上，并提供表面处理面，其中，该处理层包含粗化粒子层。该表面处理面具有0.1至0.9μm3/μm2范围内的空隙体积(voidvolume，Vv)，且该表面处理铜箔的氢与氧的总含量小于或等于300ppm。任选地，该表面处理铜箔的氢与氧的总含量为至少50ppm。任选地，空隙体积(Vv)为小于或等于0.7μm3/μm2。任选地，该粗化粒子层包含铜粗化粒子。任选地，根据本专利技术的第一方面，该表面处理面还具有0.08至0.84μm3/μm2范围内的核心部空隙体积(corevoidvolume，Vvc)。任选地，该表面处理面还具有0.01至0.07μm3/μm2范围内的波谷部空隙体积(dalevoidvolume，Vvv)。任选地，根据本专利技术的第一方面，该处理层还包含阻障层，包括镍，且该处理层的镍面密度(nickelarealdensity)为40至200μg/dm2范围内。任选地，该镍面密度为小于或等于120μg/dm2。任选地，该处理层还包含阻障层，包括镍，且该阻障层的空隙体积(Vv)为小于或等于0.7μm3/μm2。同样任选地，根据本专利技术的第一方面，该处理层位于该沉积面上。任选地，该处理层位于该辊筒面上。任选地，该处理层为第一处理层，且该表面处理铜箔加包含设置于该辊筒面及沉积面中的一个上的第二处理层，其中，该第一处理层及第二处理层不设置在电解铜箔的相同面上，即第一处理层和第二处理层设置在电解铜箔的不同面上。任选地，该处理层为第一处理层，且该表面处理铜箔还包含设置于该辊筒面及沉积面中另一个上的第二处理层。任选地，该第二处理层不包含粗化粒子层。任选地，根据本专利技术的第一方面的处理层还包含覆盖层、阻障层(barrierlayer)、防锈层(anti-tarnishlayer)及耦合层(couplinglayer)的至少一者。任选地，该覆盖层包含铜。任选地，该阻障层包含一个或多个子层，其中，每一子层独立包含金属或含该金属的合金，且该金属选自镍(Ni)、锌(Zn)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铁(Fe)、锡(Sn)及钒(V)的至少一者。任选地，该防锈层包括铬。任选地，该耦合层包含硅。在第二方面，本专利技术包含层压板。该层压板包含表面处理铜箔以及与该表面处理铜箔的表面处理面接触的树脂层。该表面处理铜箔包含电解铜箔以及处理层。该电解铜箔包括辊筒面及沉积面。该处理层设置于该辊筒面或沉积面中的一个上，并提供表面处理面，其中，该处理层包含粗化粒子层，以及其中，该表面处理面具有0.1至0.9μm3/μm2范围内的空隙体积(Vv)。该表面处理铜箔的氢与氧的总含量为小于或等于300ppm，且该表面处理铜箔具有40至200μg/dm2范围内的镍面密度。在第三方面，本专利技术包含装置。该装置包含电路板，以及多个安装在该电路板上的组件。该电路板包含根据本专利技术的第一方面的表面处理铜箔。该多个组件的至少一第一组件及第二组件通过该电路板的表面处理铜箔彼此电性连接。本文中所描述的表面处理铜箔展现优异的性能，例如当该表面处理铜箔用作电路板的组件时。即使在高频下，该表面处理铜箔可具有低的电子信号传输损耗，并且对树脂具有的良好粘合特性。上述的总结并非试图代表本专利技术的每一具体实施例或每一方面。反之，前述总结仅提供本文中详述的新颖实施方案及特征的示例。当结合所附图式及权利要求书时，由下述用以实施本专利技术的代表性具体实施例和模式的详细说明，上述特征及优点与本专利技术的其他特征及优点将是显而易见的。附图说明由以下例示性实施方案的说明结合参考附图将更佳地理解本专利技术。图1A显示根据第一具体实施方案的表面处理铜箔。图1B显示根据第二具体实施方案的表面处理铜箔。图1C显示根据第三具体实施方案的表面处理铜箔。图1D显示根据第四具体实施方案的表面处理铜箔。图2显示3D表面图以及负载面积率图。图3显示负载面积率图的细节。本专利技术可接受进行各种修饰及替代形式。藉由图式中的示例显示一些代表性具体实施方案，并将于本文中详细揭示。但应理解，本专利技术并不受所公开的特定形式所限。反之，本专利技术涵盖所有落入本专利技术的权利要求书所界定的精神及范围内的修饰、等效物及替代物。应明确理解，图式中所有图形及其他表示仅为示意之用。于图式的各个图中，相同的数字用以表示相似元件，以便理解所公开的具体实施方案。符号说明100表面处理铜箔102铜箔104辊筒面106沉积面108、108’处理层110表面处理面112粗化粒子层114阻障层116防锈层118耦合层210峰212孔214、310、312区域。具体实施方式本专利技术描述具有低传输损耗的表面处理铜箔。该表面处理铜箔具有受控的表面特性(例如空隙体积)，以及受控的组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，包含：/n电解铜箔，包括辊筒面及沉积面；以及/n处理层，设置于辊筒面及沉积面中的一个上，并提供表面处理面；/n其中，所述处理层包含粗化粒子层，以及，其中，所述表面处理面具有0.1至0.9μm

【技术特征摘要】
20190201 US 62/800263;20191125 US 16/6944121.一种表面处理铜箔，包含：
电解铜箔，包括辊筒面及沉积面；以及
处理层，设置于辊筒面及沉积面中的一个上，并提供表面处理面；
其中，所述处理层包含粗化粒子层，以及，其中，所述表面处理面具有0.1至0.9μm3/μm2范围内的空隙体积(Vv)；以及
其中，所述表面处理铜箔的氢与氧的总含量为小于或等于300ppm。


2.根据权利要求项所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述氢与氧的总含量为至少50ppm。


3.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述空隙体积(Vv)为小于或等于0.7μm3/μm2。


4.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理层进一步包含有包括镍的阻障层，且所述处理层的镍面密度为40至200μg/dm2范围内。


5.根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述空隙体积(Vv)为小于或等于0.7μm3/μm2。


6.根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述镍面密度为小于或等于120μg/dm2。


7.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有0.08至0.84μm3/μm2范围内的核心部空隙体积(Vvc)。


8.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有0.01至0.07μm3/μm2范围内的波谷部空隙体积(Vvv)。


9.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理层位于沉积面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71