光测量方法、光测量装置、光测量程序以及存储光测量程序的存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的DUT即半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其电连接于光传感器(12)；且控制装置(18)具有：数据读取部(23)，其读取表示半导体器件(10)的掩模布局的掩模数据；探索部(24)，其基于掩模数据所含的半导体器件(10)的栅极层的多边形数据，探索半导体器件(10)的晶体管的位置；设定部(25)，其将探索到的晶体管的位置设定为光检测对象的位置；及测量部(26)，其对经设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光测量方法、光测量装置、光测量程序以及存储光测量程序的存储介质
本公开涉及以半导体器件为对象进行光测量的光测量方法、光测量装置、光测量程序以及存储光测量程序的存储介质。
技术介绍
以往，作为检查半导体集成电路的技术，已知有称为EOP(ElectroOpticalProbing：电光探测)的光探测技术(参照下述专利文献1)、或称为TRIEM(Time-resolvedImagingEmissionMicroscopy：时间分辨成像发射显微镜)的时间分辨发光测量技术(参照下述专利文献2)。例如，在EOP中，通过测定探测光的反射率的时间变化而取得伴随半导体器件的驱动的耗尽层的时间变化。另外，在TRIEM中，根据发光强度的时间变化而测定伴随半导体器件的驱动在源极-漏极间流动的热载流子的产生时点。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本特开2007-064975号公报专利文献2：日本特开平10-150086号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]在如上述的检查技术中，为解析半导体器件有无故障，谋求适当地设定半导体器件上的光测量对象的位置。此处，半导体器件的故障解析时，有操作员(操作者)不具有搭载于半导体器件的元件的配置相关的设计数据的情形，另一方面，具有表示半导体器件的制造时使用的掩模图案的掩模数据的情形较多。实施方式的课题为提供一种通过适当设定光测量对象的位置，而可容易解析半导体器件的故障的光测量方法、光测量装置、光测量程序以及存储光测量程序的存储介质。[解决问题的技术手段]本专利技术的一方面为一种进行半导体器件的光测量的光测量方法，且具备：数据读取步骤，其读取表示半导体器件的掩模布局的掩模数据；探索步骤，其基于掩模数据所含的表示半导体器件的栅极层的图案及配置的多边形数据，探索半导体器件的晶体管的位置；设定步骤，其将通过探索步骤探索到的晶体管的位置设定为光测量对象的位置；测量步骤，其对通过设定步骤设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。或者，本专利技术的其他方面为一种进行半导体器件的光测量的光测量装置，且具备：光检测器，其检测来自输入有测试信号的半导体器件的光；光学系统，其将来自半导体器件的光向光检测器导光；及控制装置，其电连接于光检测器；且控制装置具有：数据读取机构，其读取表示半导体器件的掩模布局的掩模数据；探索机构，其基于掩模数据所含的表示半导体器件的栅极层的图案及配置的多边形数据，探索半导体器件的晶体管的位置；设定机构，其将通过探索机构探索到的晶体管的位置设定为光检测对象的位置；及测量机构，其对通过设定机构设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。或者，本专利技术的其他方面为一种光测量程序，其使计算机作为以下机构发挥功能：数据读取机构，其读取表示半导体器件的掩模布局的掩模数据；探索机构，其基于掩模数据所含的表示半导体器件的栅极层的图案及配置的多边形数据，探索半导体器件的晶体管的位置；设定机构，其将通过探索机构探索到的晶体管的位置设定为光测量对象的位置；及测量机构，其对通过设定机构设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。或者，本专利技术的其他方面为一种存储上述光测量程序的计算机可读取的存储介质。根据上述任一方面，使用测定对象的半导体器件的掩模数据所含的栅极层相关的多边形数据，探索半导体器件的晶体管的位置，将探索到的位置设定为光测量对象的位置，并对设定的位置执行光测量。由此，即使操作者仅具有掩模数据的情形时，也可适当地设定为了半导体器件的故障解析而应测量的部位或容易测量的部位。其结果，可使用测量结果容易地进行故障部位的解析。[专利技术的效果]根据实施方式，通过适当地设定光测量对象的位置，可容易地进行半导体器件的故障解析。附图说明图1为显示实施方式的光测量装置即半导体器件检查装置1的概略构成的方块图。图2为显示图1的控制装置18的功能构成的方块图。图3为显示图1的控制装置18的硬件构成的图。图4为显示通过图2的探索部24处理的掩模数据所含的多边形数据的影像的图。图5为显示通过图2的探索部24处理的掩模数据所含的多边形数据的影像的图。图6为显示通过图2的设定部25以测定坐标系统设定的光测量位置的影像的图。图7为显示通过图2的测量部26检测的反射光的影像的图。图8为显示通过图2的输出部27输出的一致度数据的影像的图。图9为显示实施方式的半导体器件检查装置1的光测量的动作顺序的流程图。图10为显示实施方式的光测量程序的构成的方块图。具体实施方式以下，参照附图，针对本专利技术的实施方式详细说明。另，说明中，对相同要素或具有相同功能的要素，使用相同符号，省略重复说明。图1为显示实施方式的光测量装置即半导体器件检查装置1的概略构成的方块图。如图1所示，半导体器件检查装置1为用于通过以测定对象的被检查器件(DUT：DeviceUnderTest，被测器件)即半导体器件10为对象进行光测量，而进行半导体器件10的故障产生部位的确定等检查的装置。作为半导体器件10，有包含二极管或功率晶体管等的个别半导体元件(分立)、光电子元件、传感器/致动器、或以MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体)构造或双极构造的晶体管构成的逻辑LSI(LargeScaleIntegration，大规模集成电路)、内存元件、线性IC(IntegratedCircuit，集成电路)等、及这些的混合器件等。另外，半导体器件10也可为包含半导体器件的封装、复合基板等。半导体器件检查装置1具备光源2。光源2为LED(LightEmittingDiode，光电二极管)、SLD(SuperLuminescentDiode，超级发光二极管)光源等非相干光源、或激光等相干光源。光源2通过第1电源3而动作，出射照射于半导体器件10的光。自光源2出射的光经由探测光用光纤5而导光至扫描光学系统7。扫描光学系统(光扫描部)7具有扫描头8及透镜系统9，可以将经由光纤5导光的光2维地扫描于半导体器件10上的期望位置的方式动作。另，扫描光学系统7及半导体器件10配置于暗箱6内。自光源2出射的光照射于半导体器件10时在半导体器件10反射的反射光经由包含透镜系统9、扫描头8及回光用光纤11的光学系统，被导光至光传感器(光检测器)12。光传感器12通过与第1电源3分开设置的第2电源13动作，检测反射光并输出表示该反射光的强度水平的检测信号。例如，光传感器12包含光电子倍增管、PD(Photodiode，光电二极管)、APD(AvalanchePhotodiode，雪崩光电二极管)等光检测元件。光传感器12经由放大器14电连接于控制装置18，将自光传感器12输出并放大的检测信号输入至控制装置18。控制装置18进而电连接于光束扫描控制器21及测试器单元22。控制装置18基于时间上连续取得的检测信号，取得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光测量方法，其特征在于，/n是进行半导体器件的光测量的光测量方法，/n具备：/n数据读取步骤，其读取表示所述半导体器件的掩模布局的掩模数据；/n探索步骤，其基于所述掩模数据所含的表示所述半导体器件的栅极层的图案及配置的多边形数据，探索所述半导体器件的晶体管的位置；/n设定步骤，其将通过所述探索步骤探索到的所述晶体管的位置设定为光测量对象的位置；及/n测量步骤，其对通过所述设定步骤设定的所述光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171127 JP 2017-2265671.一种光测量方法，其特征在于，
是进行半导体器件的光测量的光测量方法，
具备：
数据读取步骤，其读取表示所述半导体器件的掩模布局的掩模数据；
探索步骤，其基于所述掩模数据所含的表示所述半导体器件的栅极层的图案及配置的多边形数据，探索所述半导体器件的晶体管的位置；
设定步骤，其将通过所述探索步骤探索到的所述晶体管的位置设定为光测量对象的位置；及
测量步骤，其对通过所述设定步骤设定的所述光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。


2.如权利要求1所述的光测量方法，其中，
在所述探索步骤中，探索所述半导体器件内驱动能力相对较高的晶体管的位置，作为所述晶体管的位置。


3.如权利要求1或2所述的光测量方法，其中，
在所述探索步骤中，自所述多边形数据抽出对应于栅极长度相对较短的栅极层的图案的位置，作为所述晶体管的位置候补。


4.如权利要求2所述的光测量方法，其中，
在所述探索步骤中，自所述多边形数据，基于互相连接的栅极层的图案的条数，探索驱动能力相对较高的晶体管的位置。


5.如权利要求1至4中任一项所述的光测量方法，其中，
在所述测量步骤中，取得光强度的波形数据作为所述测量结果。


6.如权利要求1至5中任一项所述的光测量方法，其中，
在所述测量步骤中，对输入有测试信号的所述半导体器件的所述光测量对象的位置照射光，测量来自所述半导体器件的所述光测量对象位置的反射光。


7.如权利要求1至5中任一项所述的光测量方法，其中，
在所述测量步骤中，测量来自输入有测试信号的所述半导体器件的所述光测量对象的位置的发光。


8.一种光测量装置，其特征在于，
是进行半导体器件的光测量的光测量装置，
具备：
光检测器，其检测来自输入有测试信号的所述半导体器件的光；
光学系统，其将来自所述半导体器件的光向所述光检测器导光；及
控制装置，其电连接于所述光检测器，
所述控制装置具有：
数据读取机构，其读取表示所述半导体器件的掩模布局的掩模数据；
探索机...

【专利技术属性】
技术研发人员：嶋瀬朗，堀田和宏，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP