【技术实现步骤摘要】
一种高分辨率可调增益的低噪声开关电容放大器及其设计方法
本专利技术属于模拟集成电路领域,涉及模拟集成电路对信号的采集、放大和模数转换(ADC),具体是一种高分辨率可调增益的低噪声开关电容放大器,适用于对高灵敏度信号链路系统,尤其是弱信号传感器的信号采集和调理,以及自动控制系统中的精细增益调节等;并且在汽车,家电,工业自动化,机器人,物联网以及军工领域亦有广泛适用性。
技术介绍
可调增益开关电容信号放大器(programmablegainamplifier,PGA)在传感器信号的检测,模拟-数字信号转换(ADC)和数字-模拟(DAC)转换电路中经常用到的。但目前常用的开关电容PGA电路的放大倍数是由输入电容和反馈电容的比例实现。对非常细分的放大倍数调节时常用数个输入电容或反馈电容的串并联组合来完成,或用两级开关电容放大器级联的方法实现细分增益的组合。但以上方法的局限性很大,主要有:(1)受芯片内部电容尺寸的限制,多个电容的串并联组合使得电容之间的匹配误差积累增加,因此PGA增益很难得到精准的细分和分档;(2)对开关电容噪声的控制趋于复杂和困难,因为某些PGA的增益需要电容的串并组合等效于一个较小的电容值,使得开关电容噪声增加。图1为常用的全差分输出的开关电容PGA示意图,CMOS开关的控制时钟信号为具有非交叠特征的等时长两相位方波,第一个相位的脉冲方波是采样时间,第二个相位的脉冲方波是放大或积分时间,将输入电容130~133对输入差分信号101和反馈电容134~137在差分输出端所采样的电荷通过运算放大 ...
【技术保护点】
1.一种高分辨率可调增益的低噪声开关电容放大器,它包括开关电容的信号输入电路、放大电路和反馈电路,其特征在于,还包括算法调制电路和delta-sigma编码器,所述算法调制电路包括两对CMOS开关管,所述放大电路的输入通过一对输入电容采样输入信号电压,然后再将采样的电压通过运算放大器运放积分,放大电路的反馈是通过一对反馈电容采样输出电压,然后再将采样的电压通过运算放大器运放积分,所述delta-sigma编码器通过编码控制两对CMOS开关管的通断进而调制所述输入电容或反馈电容。/n
【技术特征摘要】
1.一种高分辨率可调增益的低噪声开关电容放大器,它包括开关电容的信号输入电路、放大电路和反馈电路,其特征在于,还包括算法调制电路和delta-sigma编码器,所述算法调制电路包括两对CMOS开关管,所述放大电路的输入通过一对输入电容采样输入信号电压,然后再将采样的电压通过运算放大器运放积分,放大电路的反馈是通过一对反馈电容采样输出电压,然后再将采样的电压通过运算放大器运放积分,所述delta-sigma编码器通过编码控制两对CMOS开关管的通断进而调制所述输入电容或反馈电容。
2.根据权利要求1所述的高分辨率可调增益的低噪声开关电容放大器,其特征在于,所述输入电容包括第一输入电容(201)和第二输入电容(202),反馈电容包括第一反馈电容(203)和第二反馈电容(204),两对CMOS开关管分别为第一CMOS开关管(210)、第二CMOS开关管(211)、第三CMOS开关管(212)和第四CMOS开关管(213);所述第一输入电容(201)的一端连接源端,另一端分别连接第一CMOS开关管(210)和第二CMOS开关管(211)的一端,所述第二输入电容(202)的一端连接源端,另一端分别连接第三CMOS开关管(212)和第四CMOS开关管(213)的一端;所述第一CMOS开关管(210)和第三CMOS开关管(212)的另一端均连接第一反馈电容(203)的一端,并且两者该端还通过连接第九CMOS开关管(107)后接地以及通过第十五CMOS开关管(113)连接运算放大器(150)的反相输入端,第一反馈电容(203)的另一端一方面通过连接第十一CMOS开关管(109)后接地,另一方面还通过第十三CMOS开关管(111)分别连接第一积分电容(140)的一端以及运算放大器(150)的同相输出端,第一积分电容(140)的另一端连接运算放大器(150)的反相输入端;所述第二CMOS开关管(211)和第四CMOS开关管(213)的另一端均连接第二反馈电容(204)的一端,并且两者该端还通过连接第十CMOS开关管(108)后接地以及通过第十六CMOS开关管(114)连接运算放大器(150)的同相输入端,第二反馈电容(204)的另一端一方面通过连接第十二CMOS开关管(110)后接地,另一方面还通过第十四CMOS开关管(112)分别连接第二积分电容(141)的一端以及运算放大器(150)的反相输出端,第二积分电容(141)的另一端连接运算放大器(150)的同相输入端。
3.根据权利要求1所述的高分辨率可调增益的低噪声开关电容放大器,其特征在于,所述输入电容包括第一输入电容(201)和第二输入电容(202),反馈电容包括第一反馈电容(203)和第二反馈电容(204),两对CMOS开关管分别为第一CMOS开关管(210)、第二CMOS开关管(211)、第三CMOS开关管(212)和第四CMOS开关管(213);所述第一输入电容(201)的一端连接源端,另一端分别连接第一CMOS开关管(210)和第二CMOS开关管(211)的一端,并且该端还通过连接第九CMOS开关管(107)后接地以及通过第十五CMOS开关管(113)连接运算放大器(150)的反相输入端,所述第二输入电容(202)的一端连接源端,另一端分别连接第三CMOS开关管(212)和第四CMOS开关管(213)的一端,并且该端还通过连接第十CMOS开关管(108)后接地以及通过第十六CMOS开关管(114)连接运算放大器(150)的同相输入端;所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王磊,古振刚,
申请(专利权)人:苏州真感微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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