谐振器电路制造技术

本发明专利技术涉及一种谐振器电路(100)，所述谐振器电路(100)包括变压器(101)，所述变压器包括初级绕组(103)和次级绕组(105)，其中所述初级绕组(103)以电感方式与所述次级绕组(105)耦合，初级电容器(107)连接到所述初级绕组(103)，所述初级电容器(107)和所述初级绕组(103)形成初级电路，且次级电容器(109)连接到所述次级绕组(105)，所述次级电容器(109)和所述次级绕组(105)形成次级电路，其中所述谐振器电路(100)具有在所述初级电路在共模中受激励时的共模谐振频率，其中所述谐振器电路(100)具有在所述初级电路在差模中受激励时的差模谐振频率，且其中所述共模谐振频率不同于所述差模谐振频率。

【技术实现步骤摘要】
谐振器电路
本专利技术涉及射频(radiofrequency，RF)谐振器电路的领域。
技术介绍
还表示为槽电路的谐振器电路广泛用作多种射频组件中的频率选择性元件，例如滤波器、放大器以及振荡器。通常，谐振器电路包括电感器和电容器，其中所述电感器和电容器连接以在特定谐振频率下谐振。谐振器电路的质量由此表征为质量因数。谐振器电路的特性在射频振荡器的设计中受到主要关注，尤其是在所述射频振荡器实施为半导体衬底上的射频集成电路(radiofrequencyintegratedcircuit，RFIC)时。具体来说，谐振器电路关于泄漏电流或在谐波频率下的电流的响应可对射频振荡器的频率稳定性和相位噪声性能具有主要影响。普通谐振器电路在谐振频率下受激励时呈现电阻特性，而在高于谐振频率的频率下受激励时呈现电容特性。因此，高阶电流分量结合Groszkowski效应可导致射频振荡器的频率稳定性降低和闪烁噪声上变频增加，即减少的近载波相位噪声性能。为了改进射频振荡器的相位噪声性能，应用噪声滤波技术。这些技术依赖于在例如核心晶体管等的晶体管的共同源极中插本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种5G手机的谐振器电路，其特征在于，包括：/n显示屏、5G信号处理器和变压器(101)，包括初级绕组(103)和次级绕组(105)。/n

【技术特征摘要】
1.一种5G手机的谐振器电路，其特征在于，包括：
显示屏、5G信号处理器和变压器(101)，包括初级绕组(103)和次级绕组(105)。


2.根据权利要求1所述的谐振器电路(100)，其特征在于：所述初级绕组(103)以电感方式与所述次级绕组(105)耦合。


3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的谐振器电路(100)，其特征在于，初级电容器(107)，连接到所述初级绕组(103)，所述初级电容器(107)和所述初级绕组(103)形成初级电路。


4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的谐振器电路(100)，其特征在于，次级电容器(109)，连接到所述次级绕组(105)，所述次级电容器(109)和所述次级绕组(105)形成次级电路。


5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的谐振器电路(100)，其特征在于，所述变压器(101)的所述初级绕组(103)包括一个匝，其中所述变压器(101)的所述次级绕组(105)包括两个匝。


6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的谐振器电路(100)，其特征在于，所述变压器(101)的所述初级绕组(103)或所述变压器(101)的所述次级绕组(105)是平面的。


7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的谐振器电路(100)，其特征在于，所述变压器(101)的所述初级绕组(103)和所述变压器(101)的所述次级绕组(105)...

【专利技术属性】
技术研发人员：米娜·沙赫莫哈马迪，马苏德·巴贝耶，罗伯特·斯塔泽夫斯基，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44