【技术实现步骤摘要】
压电驱动电路和压电驱动方法
本专利技术涉及电力电子领域,更具体的说,涉及一种压电驱动电路和压电驱动方法。
技术介绍
压电陶瓷作为压电负载或压电致动器的一种,用途日益广泛。现有技术用于驱动压电陶瓷的压电驱动电路如图1所示,所述压电驱动电路包括boost电路1和全桥逆变电路2,所述boost电路1对输入电压VDD进行电压转换,所述全桥逆变电路2将boost电路输出的直流电转换为交流电输出,所述全桥逆变电路2的输出交流电对压电陶瓷Cload进行驱动。现有技术的压电驱动电路用于驱动一个压电陶瓷时使用的开关管较多,用于驱动多个压电压电陶瓷时,每一个压电陶瓷均耦接一个全桥逆变电路2,从而使用的开关管更多,不利于电路集成化。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提出了一种利于集成化的压电驱动电路和压电驱动方法,以解决现有技术中开关管较多造成不利于电路集成化的技术问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种压电驱动电路,用于驱动压电负载,包括:充电电路,用以接收输入电压,以对所述压电负载进行充电;r>放电电路,用以对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种压电驱动电路,用于驱动压电负载,其特征在于,包括:/n充电电路,用以接收输入电压,以对所述压电负载进行充电;/n放电电路,用以对所述压电负载进行放电;/n在一工作周期的第一工作区间,控制所述充电电路和所述放电电路的工作状态,以使得提供给压电负载的供电电压信号与参考电压的第一区间相对应,/n在所述工作周期的第二工作区间,控制所述放电电路和所述充电电路的工作状态,以使得所述供电电压信号与所述参考电压的第二区间相对应。/n
【技术特征摘要】
1.一种压电驱动电路,用于驱动压电负载,其特征在于,包括:
充电电路,用以接收输入电压,以对所述压电负载进行充电;
放电电路,用以对所述压电负载进行放电;
在一工作周期的第一工作区间,控制所述充电电路和所述放电电路的工作状态,以使得提供给压电负载的供电电压信号与参考电压的第一区间相对应,
在所述工作周期的第二工作区间,控制所述放电电路和所述充电电路的工作状态,以使得所述供电电压信号与所述参考电压的第二区间相对应。
2.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:
在所述第一工作区间,控制所述放电电路关断,并控制所述充电电路使得所述供电电压信号与所述参考电压的第一区间相对应;
在所述第二工作区间,控制所述充电电路关断,并控制所述放电电路使得所述供电电压信号与所述参考电压的第二区间相对应。
3.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:在所述第一工作区间,控制所述放电电路关断,所述充电电路工作在PWM控制模式以对所述压电负载进行充电。
4.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:在所述第二工作区间,控制所述充电电路关断,所述放电电路工作在PWM控制模式以对所述压电负载进行放电。
5.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:所述参考电压的波形为数值大于零的正弦波。
6.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:所述参考电压的第一区间为参考电压在一周期内的上升部分,所述参考电压的第二区间为参考电压在该周期内的下降部分。
7.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:所述放电电路连接在所述充电电路的输出端或所述放电电路与所述压电负载并联或所述放电电路和第一开关管串联组成的串联结构连接在所述充电电路的输出端。
8.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:还包括N路电压输出电路以相应驱动N个压电负载,各路电压输出电路相互并联,每一路所述电压输出电路包括选择开关,所述选择开关与相应的压电负载串联,通过控制所述选择开关的开关状态以导通或关断所述电压输出电路,N大于等于1。
9.根据权利要求8所述的压电驱动电路,其特征在于:所有电压输出电路共用一个所述放电电路,所述放电电路与所述电压输出电路并联。
10.根据权利要求8所述的压电驱动电路,其特征在于:每一路所述电压输出电路耦接一个所述放电电路,所述放电电路与相应的压电负载并联。
11.根据权利要求9所述的压电驱动电路,其特征在于:所述电压输出电路连接在所述充电电路的输出端。
12.根据权利要求9所述的压电驱动电路,其特征在于:还包括第一开关管,所述电压输出电路与所述第一开关管串联组成的串联结构连接在所述充电电路的输出端。
13.根据权利要求1所述的压电驱动电路,其特征在于:包括N个所述充电电路,N个与所述充电电路一一对应的所述放电电路,以为N-1个所述压电负载提供相应的所述供电电压信号;
每一所述压电负载两端分别连接至两个不相同的所述放电电路的高电位端,并控制所述压电负载两端的所述供电电压信号的数值,以使得所述压电负载两端之间的电压为交流电压,N大于等于2。
14.根据权利要求13所述的压电驱动电路,其特征在于:在相邻的两...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐志巍,方迟清,赵晨,
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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