【技术实现步骤摘要】
用于检测不同波长的光检测装置
本专利技术有关于一种光检测装置，更具体地，有关于一种用于检测不同波长的光检测装置，包括两个感测器，其分别对两个不同峰值波长敏感的两个吸收区反应。
技术介绍
近年来，利用卷积神经网络(convolutionalneuralnetworks，CNNs)进行图像识别已经取得了重大进展，并在许多应用中超过了人类的准确性。对于深度学习算法，输入信道越多以及每个输入通道之间的像素对齐的品质(如R、G、B、强度和深度)越好，错误率就越小。
技术实现思路
依据本申请内容之第一态样，提供一种光检测装置。光检测装置包括包含基板的第一光检测部件，以及包含第二吸收区的第二光检测部件。基板具有第一吸收区，第一吸收区被配置为吸收具有第一峰值波长的光子并产生第一光载子。第二吸收区由基板支撑并且被配置为吸收具有第二峰值波长的光子并产生第二光载子。第一吸收区和第二吸收区沿垂直方向重叠。无在本申请内容之另一态样中，提供一种光检测装置。光检测装置包括第一光检测部件、包含第二吸收区的第二检测部件。第一光检测...
【技术保护点】
1.一种光检测装置，包括：/n一第一光检测部件，包括具有一第一吸收区的一基板，该第一吸收区被配置为吸收具有一第一峰值波长的光子并产生复数个第一光载子；以及/n一第二光检测部件，包括一第二吸收区，该第二吸收区由该基板支撑且被配置为吸收具有一第二峰值波长的光子并产生复数个第二光载子；/n其中该第一吸收区和该第二吸收区沿一垂直方向重叠。/n
【技术特征摘要】
20190106 US 62/788,931;20190612 US 62/860,2641.一种光检测装置，包括：
一第一光检测部件，包括具有一第一吸收区的一基板，该第一吸收区被配置为吸收具有一第一峰值波长的光子并产生复数个第一光载子；以及
一第二光检测部件，包括一第二吸收区，该第二吸收区由该基板支撑且被配置为吸收具有一第二峰值波长的光子并产生复数个第二光载子；
其中该第一吸收区和该第二吸收区沿一垂直方向重叠。
2.如权利要求1所述的光检测装置，其中，该第一光检测部件更包括用于所述这些第一光载子的一第一读出电路，该第一读出电路电耦接至该第一吸收区。
3.如权利要求2所述的光检测装置，其中该第一光检测部件包括在该第一吸收区上方的至少两个分离的载子控制端子，其中所述这些载子控制端子其中之一电耦接至该第一读出电路。
4.如权利要求3所述的光检测装置，其中该第一光检测部件更包括：
具有一第一导电类型的一第一掺杂区，其邻近该第一吸收区并且接近该基板的一第一表面；以及
具有一第二导电类型的第二掺杂区，其邻近该第一吸收区且接近该基板的该第一表面，其中该第二导电类型不同于该第一导电类型，其中该第一掺杂区透过所述这些载子控制端子其中之一电耦接至该第一读出电路。
5.如权利要求2所述的光检测装置，其中该第二光检测部件更包括用于所述这些第二光载子的一第二读出电路，该第二读出电路电耦接至该第二吸收区且与该第一读出电路分离。
6.如权利要求5所述的光检测装置，其中该第二光检测部件包括至少两个分离的载子控制端子，该至少两个分离的载子控制端子电耦接至该第二吸收区，且所述这些载子控制端子其中之一电耦接至该第二读出电路。
7.如权利要求1所述的光检测装置，其中该第一光检测部件更包括两个第一读出电路和两个第一控制电路，用于所述这些第一光载子并电耦接至该第一吸收区。
8.如权利要求7所述的光检测装置，其中该第一光检测部件包括在该第一吸收区上方的至少四个分离的载子控制端子，其中该四个分离的载子控制端子与该两个第一读出电路及该两个第一控制电路一一对应。
9.如权利要求8所述的光检测装置，其中该第一光检测部件更包括：
具有一第一导电类型的一第一掺杂区，其邻近该第一吸收区并接近该基板的一第一表面；
具有一第二导电类型的一第二掺杂区，其邻近该第一吸收区并接近该基板的该第一表面，其中该第二导电类型不同于该第一导电类型，其中该第一掺杂区透过所述这些载子控制端子其中之一电耦接至该第一读出电路；
位于该基板中且具有该第一导电类型的一第三掺杂区，其中该第一掺杂区和该第三掺杂区设置在该第二吸收区的相对侧；以及
位于该基板中且具有该第二导电类型的一第四掺杂区，其中该第二掺杂区和该第四掺杂区设置在该第二吸收区的相对侧并且在该第一掺杂区和该第三掺杂区之间。
10.如权利要求7所述的光检测装置，其中该第二光检测部件更包括两个第二读出电路和两个第二控制电路，用于该第二光载子并电耦接至该...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦丞，那允中，陈书履，陈建宇，郑斯璘，林崇致，刘宇轩，
申请(专利权)人：光程研创股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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