【技术实现步骤摘要】
布线结构及其制造方法
本公开涉及一种布线结构和一种制造方法,且更特定来说涉及一种布线结构,其包含通过粘合层附接在一起的至少两个导电结构,以及一种用于制造所述布线结构的方法。
技术介绍
随着电子工业的快速发展和半导体处理技术的进展,半导体芯片集成数量增加的电子组件,以实现更好的电性能和更多功能。相应地,半导体芯片具备更多的输入/输出(I/O)连接。为了制造包含具有数量增加的I/O连接的半导体芯片的半导体封装,用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层可能相应地增加。因此,半导体衬底的厚度可能相应地增加,并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
在一些实施例中,一种布线结构包括上部导电结构、下部导电结构、粘合层和至少一个外部导孔。上部导电结构包括至少一个介电层和与介电层接触的至少一个电路层。下部导电结构包括至少一个介电层和与介电层接触的至少一个电路层。粘合层位于上部导电结构与下部导电结构之间,以将上部导电结构和下部导电结构接合在一起。外部导孔贯穿上部导电结构的至少一部分和粘合层,且电连接下部导电结构的电路层。 ...
【技术保护点】
1.一种布线结构,其包括:/n上部导电结构,其包括至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层;/n下部导电结构,其包括至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层;/n粘合层,其位于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间,以将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起;以及/n至少一个外部导孔,其贯穿所述上部导电结构的至少一部分和所述粘合层,且电连接所述下部导电结构的所述电路层。/n
【技术特征摘要】
20181228 US 16/236,2071.一种布线结构,其包括:
上部导电结构,其包括至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层;
下部导电结构,其包括至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层;
粘合层,其位于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间,以将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起;以及
至少一个外部导孔,其贯穿所述上部导电结构的至少一部分和所述粘合层,且电连接所述下部导电结构的所述电路层。
2.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构包括多个介电层、多个电路层和设置在两个电路层之间的至少一个内部导孔以电连接所述两个电路层,所述内部导孔向上逐渐变窄,且所述外部导孔向下逐渐变窄。
3.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构包括多个介电层、多个电路层和设置在两个电路层之间的至少一个内部导孔以电连接所述两个电路层,所述内部导孔的逐渐变窄的方向不同于所述外部导孔的逐渐变窄的方向。
4.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构包括多个堆叠介电层,每一个所述介电层界定具有内表面的通孔,所述粘合层界定具有内表面的通孔,且所述粘合层的所述通孔的所述内表面和所述介电层的所述通孔的所述内表面彼此共平面。
5.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构包括多个堆叠介电层,每一个所述介电层界定通孔,所述粘合层界定通孔,且所述粘合层的所述通孔和所述介电层的所述通孔共同配置成单个通孔以容纳所述外部导孔。
6.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构包括多个堆叠介电层,每一个所述介电层界定具有内表面的通孔,所述粘合层界定具有内表面的通孔,且所述粘合层的所述通孔的所述内表面和所述介电层的所述通孔的所述内表面的截面为实质上直线的线段。
7.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构的所述介电层的材料和所述粘合层的材料是透明的。
8.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述外部导孔延伸以接触所述下部导电结构的一部分。
9.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述外部导孔接触所述下部导电结构的最顶部电路层。
10.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述外部导孔是单体结构。
11.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构具...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄文宏,谢礼羽,钟燕雯,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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