清洁片及带清洁功能的输送构件制造技术

本发明专利技术提供一种清洁片及带清洁功能的输送构件。提供能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件、且异物去除性能及耐热性优异的清洁片。另外，提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能及耐热性优异的带清洁功能的输送构件。本发明专利技术的清洁片具备包含聚苯并噁唑的清洁层。

【技术实现步骤摘要】
清洁片及带清洁功能的输送构件
本专利技术涉及清洁片及带清洁功能的输送构件。
技术介绍
对于半导体、平板显示器、印刷电路板等制造装置、检查装置等忌讳异物的各种基板处理装置，一边使输送装置(代表性为卡盘台等)与基板物理接触一边输送。此时，若异物附着在输送装置上，则相继污染后续的基板，因此需要定期停止装置，进行清洗处理。其结果，存在处理装置的运转率降低这样的问题、由于装置的清洗处理而需要大量的劳力的问题。为了克服这样的问题，提出了通过向基板处理装置内输送板状构件而将附着在输送装置上的异物去除的方法(参照专利文献1)。根据该方法，不需要停止基板处理装置来进行清洗处理，因此消除了处理装置的运转率降低这样的问题。但是，通过该方法，不能充分去除附着在输送装置上的异物。另一方面，提出了将固着有粘合性物质的基板作为清洁构件向基板处理装置内输送，由此去除附着在输送装置上的异物的方法(参照专利文献2)。该方法与专利文献1记载的方法相比，异物的去除性优异。但是，专利文献2记载的方法中，可能会产生粘合性物质与输送装置的接触部分粘接过强而不能分离的问题。其结果，可能产生无法可靠地输送固着有粘合性物质的基板的问题、使输送装置破损这样的问题。作为解决上述那样的各种问题等的手段，本申请人报道了一种清洁片，其采用丙烯酸系聚合物、聚酰亚胺、聚酯作为清洁层，能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件(专利文献3、4)。另一方面，近年来，伴随半导体装置的多样化，有时要求在基板处理装置内设定必须在高温条件下进行输送等的工艺区域。但是，如上所述的现有的清洁片存在耐热性不充分、例如无法耐受200℃水平的高温条件这样的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-87458号公报专利文献2：日本特开平10-154686号公报专利文献3：日本特开2007-307521号公报专利文献4：日本特开2010-259970号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的课题在于，提供能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件、且异物去除性能及耐热性优异的清洁片。另外，提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能及耐热性优异的带清洁功能的输送构件。用于解决问题的方案本专利技术的清洁片具备包含聚苯并噁唑的清洁层。一个实施方式中，上述清洁层中的上述聚苯并噁唑的含有比例为50重量％～100重量％。一个实施方式中，上述清洁层的厚度为1μm～500μm。一个实施方式中，本专利技术的清洁片包含粘合剂层。一个实施方式中，本专利技术的清洁片包含支撑体。本专利技术的带清洁功能的输送构件具有上述清洁片和输送构件。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件、且异物去除性能及耐热性优异的清洁片。另外，可以提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能及耐热性优异的带清洁功能的输送构件。附图说明图1为示出本专利技术的清洁片的一个实施方式的概略截面图。图2为示出本专利技术的清洁片的另一个实施方式的概略截面图。图3为示出本专利技术的清洁片的又一个实施方式的概略截面图。图4为示出本专利技术的带清洁功能的输送构件的一个实施方式的概略截面图。附图标记说明清洁片100清洁层10保护薄膜20粘合剂层30支撑体40带清洁功能的输送构件300输送构件200具体实施方式《《1.清洁片》》本专利技术的清洁片具备包含聚苯并噁唑的清洁层。本专利技术的清洁片可以仅由包含聚苯并噁唑的清洁层构成，也可以具有其他层。聚苯并噁唑为具有耐热性及绝缘性的树脂，作为凸块保护膜、层间绝缘膜等被用于半导体装置。本专利技术中，关于耐热性优异的聚苯并噁唑，进行了各种实验/研究，结果发现包含聚苯并噁唑的层不仅耐热性优异，而且能够表现出异物去除性能也优异这样预料不到的效果，因此，想到包含聚苯并噁唑的层能够利用于向设定有必须在高温条件下进行输送等的工艺区域的基板处理装置内输送的清洁片，从而完成。本专利技术的清洁片通过具备包含聚苯并噁唑的清洁层，异物去除性能及耐热性优异。因此，本专利技术的清洁片能够适合用于向设定有必须在高温条件下进行输送等的工艺区域的基板处理装置内输送的、以异物去除等为目的的输送构件。本专利技术的清洁片的耐热性优异，在高温环境下也能充分使用。作为这样的高温环境，优选为150℃以上、更优选为200℃以上、进一步优选为250℃以上、进一步优选为300℃以上、特别优选为350℃以上。图1为示出本专利技术的清洁片的一个实施方式的概略截面图。图1中，清洁片100具有清洁层10和保护薄膜20。可以以清洁层10的保护等为目的而具备保护薄膜20，也可以根据目的省略。即，本专利技术的清洁片可以仅由清洁层10构成。图2为示出本专利技术的清洁片的另一个实施方式的概略截面图。图2中，清洁片100具有保护薄膜20、清洁层10和粘合剂层30。可以以清洁层10的保护等为目的而具备保护薄膜20，也可以根据目的而省略。图3为示出本专利技术的清洁片的又一实施方式的概略截面图。图3中，清洁片100具有保护薄膜20、清洁层10、支撑体40和粘合剂层30。可以以清洁层10的保护等为目的而具备保护薄膜20，也可以根据目的而省略。本专利技术的清洁片的厚度根据其构成可以采用任意适当的厚度。《1-1.清洁层》清洁层包含聚苯并噁唑。清洁层通过包含聚苯并噁唑，从而异物去除性能及耐热性优异。清洁层中的聚苯并噁唑的含有比例优选为50重量％～100重量％、更优选为70重量％～100重量％、进一步优选为90重量％～100重量％、特别优选为95重量％～100重量％、最优选为98重量％～100重量％。清洁层中的聚苯并噁唑的含有比例为上述范围内时，能够提供异物去除性能及耐热性更优异的清洁片。清洁层中可以在不损害本专利技术的效果的范围内包含任意适当的其他成分。作为这样的其他成分，例如可以举出聚苯并噁唑以外的耐热性树脂、表面活性剂、增塑剂、抗氧化剂、导电性赋予剂、紫外线吸收剂、光稳定剂等。清洁层的厚度优选为1μm～500μm、更优选为3μm～100μm、进一步优选为5μm～50μm。通过清洁层的厚度处于上述范围内，能够提供异物去除性能及耐热性优异、并且向基板处理装置内的输送性能也优异的清洁片。清洁层实质上不具有粘合力。即，例如由粘合性物质形成的清洁层、通过固着粘合带而形成的清洁层被从本专利技术中的清洁层中排除。本专利技术的清洁片具备实质上具有粘合力的清洁层时，有可能该清洁层与例如基板处理装置内的输送装置的接触部分变得粘接过强而不会分离。其结果，有可能产生无法可靠地输送基板的问题、使输送装置破损的问题。清洁层如上所述，实质上不具有粘合力。具体而言，对硅晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180°剥离粘合力A优选小于0.20N/10mm，更优选为0.01～0.10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁片，其具备包含聚苯并噁唑的清洁层。/n

【技术特征摘要】
20190130 JP 2019-0145501.一种清洁片，其具备包含聚苯并噁唑的清洁层。


2.根据权利要求1所述的清洁片，其中，所述清洁层中的所述聚苯并噁唑的含有比例为50重量％～100重量％。


3.根据权利要求1或2所述的清洁...

【专利技术属性】
技术研发人员：深道佑一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP