一种低K值高折射率的纳米钛酸钡材料及其制备的分散液制造技术

本发明专利技术属于无机非金属材料技术领域，具体涉及一种低K值、高折射率的纳米钛酸钡材料，并进一步公开其制备方法，以及其制备的纳米钛酸钡分散液。本发明专利技术所述纳米钛酸钡材料通过在水热合成过程中选用合适的有机碱作为模板剂，并通过调节模板剂的含量和水热合成条件来控制钛酸钡的介孔结构、晶型和晶粒的大小，然后经过晶化得到适宜介孔结构、参数和低K值的超细介孔立方相的纳米钛酸钡。本发明专利技术所述纳米钛酸钡的介电常数k值仅为49‑82，明显小于常规水热合成的纳米钛酸钡的介电常数k＝100‑200，具有更广泛的应用领域和应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种低K值高折射率的纳米钛酸钡材料及其制备的分散液
本专利技术属于无机非金属材料
，具体涉及一种低K值、高折射率的纳米钛酸钡材料，并进一步公开其制备方法，以及其制备的纳米钛酸钡分散液。
技术介绍
钛酸钡(BaTiO3)具有典型的钙钛矿型结构，是钛酸盐系列电子陶瓷的基础母体材料，其具有优异的高介电常数和低介电损耗的特点，有优良的压电、铁电、耐压和绝缘性能，在光学、热学、电子学、声学等领域均有广泛的应用，主要应用于压力传感器、热敏电阻器、电容器、微波器件、记忆元件等电子元件的制造，更成为电子陶瓷材料的重要基础原材料。钛酸钡在不同的温度下有四种不同的晶相，随着温度的升高，晶相从三方相向正交相、四方相、立方相和六方相转变，相变温度分别为-90℃、5℃、120℃和1460℃，并且介电常数也会随着晶相的转变发生变化。通常情况下，钛酸钡常温存在的铁电相为高介电常数的四方相，其广泛应用于MLCC等高容电子陶瓷中。据报道，低介电常数和高折射率的纳米钛酸钡材料及其分散液，将其均匀分散于环氧基树脂做成的超薄膜可以明显的提高LCD、LED、OLED等显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低K值高折射率的纳米钛酸钡材料，其特征在于，所述纳米钛酸钡材料的介电常数及介电损耗角正切值具有如下性质：/n所述纳米钛酸钡材料在10GHz频段的介电常数k值为42-82、介电损耗角正切值为0.0015-0.0025；/n所述纳米钛酸钡材料在24GHz频段的介电常数k值为51-79、介电损耗角正切值为0.002-0.004；/n所述纳米钛酸钡材料在28GHz频段的介电常数k值为38-75、介电损耗角正切值为0.002-0.005。/n

【技术特征摘要】
1.一种低K值高折射率的纳米钛酸钡材料，其特征在于，所述纳米钛酸钡材料的介电常数及介电损耗角正切值具有如下性质：
所述纳米钛酸钡材料在10GHz频段的介电常数k值为42-82、介电损耗角正切值为0.0015-0.0025；
所述纳米钛酸钡材料在24GHz频段的介电常数k值为51-79、介电损耗角正切值为0.002-0.004；
所述纳米钛酸钡材料在28GHz频段的介电常数k值为38-75、介电损耗角正切值为0.002-0.005。


2.根据权利要求1所述的低K值高折射率的纳米钛酸钡材料，其特征在于，所述纳米钛酸钡材料具有介孔立方相晶型结构，其晶面衍射峰的半高峰宽FWHM＝0.305-0.315，其孔径为2.0-2.5nm，孔容为0.30-0.35cm3/g，比表面积为350-600m2/g，粒径为10-60nm。


3.一种制备权利要求1或2所述的低K值高折射率的纳米钛酸钡材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)前驱体制备：配制TiCl4溶液并加入碱液调节pH至碱性，得到正钛酸溶胶；经固液分离之后，加入有机碱模板剂和水进行混合，并加入氢氧化钡以及纳米钛酸钡晶种，得到前驱体溶胶，备用；
(2)水热合成：将制得的前驱体溶胶于120-250℃下进行水热合成；
(3)后处理：将合成的钛酸钡经冷却、洗涤、干燥，焙烧，得到所需介孔结构的立方相纳米钛酸钡。


4.根据权利要求3所述低K值高折射率的纳米钛酸钡材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述有机模板剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋锡滨，艾辽东，奚洪亮，
申请(专利权)人：山东国瓷功能材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37